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Ⅰ類
電 気 専 門 問 題
平成27年6月施行
特別区職員
Ⅰ類採用試験
指示があるまで開いてはいけません。
注
意
1
問題は、〔問題
〕から〔問題
解答してください。
〕まで
題あり、このうち
題を超えて解答した場合は、
〔問題
たところで採点を終了し、
題を任意に選択して
〕以降解答数が
を超えた分については採点しないので、注意してくださ
い。
2
解答は解答用紙に記入してください。問題に記入しても採点しません。
3
解答時間は
4
問題の内容に関する質問には、一切お答えしません。
5
問題は持ち帰ってください。
時間
に達し
分です。
特 別 区 人 事 委 員 会
〔電気
問題
〕
次の問(1)、(2)
に答えよ。
(1) 次の図のような回路において、AB間の合成抵抗 웭
웮及びAF間の電圧降下 웭
윋を、計算の過
程を示して求めよ。
C
웭
윋
욿= 7K Ω
F
욼
=1
0
KΩ
KΩ
웂= 5
욾
=5
KΩ
웁
=1
0
KΩ
A
KΩ
욽= 5
B
웃= 5
KΩ
움= 1
4.25
KΩ
D
E
웅= 109.5V
(2) 次の文は、交流回路に関する記述であるが、文中の空所A∼Fに該当する式を下の式群から1
つずつ選び、その記号を解答欄に記入せよ。

Hのコイル、静電容量 
Fのコンデンサを直列に接続された
Ωの抵抗、インダクタンス 
回路に、電流= 
욇si
n
ω+θ
Aが流れるとき、抵抗の電圧降下 윒=
A

V
、コイル
の電圧降下 웳=
B

V
、コンデンサの電圧降下 웯=
C

V
、この回路の全電圧
降下  =
D
×
E

V
、電圧と電流の位相差 φ=
F
となる。
<式群>
ア 
욇si
n
ω+ θ
イ 
욇cos
ω+ θ
ウ
ω
욇cos
ω+ θ
1
エ ω

욇cos
ω+ θ

オ
−ω
욇si
n
ω+ θ
カ
1
 
욇si
n
ω+ θ
ω
1
キ −  
욇cos
ω+ θ
ω
ク

욇si
n
ω+ θ+ φ
ケ

욇cos
ω+ θ+ φ
コ 

워
+
ω− ω
워
サ


1 워
워
+
ω− 



ω
シ


1 워
워
+
ω+ 



ω
ω− ω
ス t
an욹웋


セ
1
ω− 
ω
t
an욹
웋


電気専門
P1
ソ
1
ω+ 
ω
t
an욹웋


〔電気
問題
〕
次の問(1)、(2)
に答えよ。
(1) 平行平板コンデンサに比誘電率 4.5、絶縁耐力 5kV/mmの誘電体で満たしたところ、このコンデ
ンサの耐電圧は 30kV、静電容量は 150
0pFであった。このとき、このコンデンサの電極の間隔と電
極の面積を計算の過程を示して求めよ。ただし、真空の誘電率 ε웅= 8.855× 10욹
웋
워
F/mとする。
(2) 次の文は、磁性体に関する記述であるが、文中の空所A∼Hに該当する語を下の語群から1つ
ずつ選び、その記号を解答欄に記入せよ。
磁界の強さ  と磁化の強さ との関係は = χ で表され、この χを
A
という。χと真

空の透磁率の比を
B
といい、χとする。

χが正で大きい値の物体を強磁性体といい、このうち、Fe、
C
、Ni
などをフェロ磁性、
D
などをフェリ磁性に分類できる。

が
χが
E
で 小 さ い 値 で あ る Ptや
F
を 常 磁 性 体、χ
G
で小さい値で
ある Hgや
H
を反磁性体という。
<語群>
ア 磁化率
キ Ag
イ 磁束密度
ク Al
ウ 比磁化率
ケ Co
電気専門
P2
エ 比透磁率
コ Fe
욾
O욿
オ
正
カ
負
〔電気
問題
〕
次の問(1)、(2)
に答えよ。
(1) 次の図のような単相全波整流回路について、次の問①、②に答えよ。ただし、は出力電流、=


2 s
、Th2、
i
nωは電源電圧、ωは角速度、は時間、は負荷抵抗、ω= θ、サイリスタ Th1
Th3、Th4のそれぞれの制御角は αとし、0< α< πとする。

Th1
Th3
= 

2 s
i
nω
 
Th2
①
②
Th4
出力電圧 の波形を解答用紙に図示せよ。
出力電圧 の平 値 윫を求めよ。
(2) 次の文は、電力用半導体素子に関する記述であるが、文中の空所ア∼オに該当する語を下の語
群から1つずつ選び、その記号を解答欄に記入せよ。
GTOは、正のゲート電流で
ア
、負のゲート電流で
イ
が可能な素子である。
パワーMOSFETは、入力インピーダンスが
ウ
、
エ
駆動形の素子である。
バイ ポーラ ト ラ ン ジ ス タ に 比 べ、少 数 キャリ ア の 蓄 積 効 果 が な い た め ス イッチ ン グ 動 作 が
オ
。
<語群>
A ターンオン
F 電流
B ターンオフ
G 速い
C 高く
H 遅い
電気専門
P3
D
低く
E
電圧
〔電気
問題
〕
次の問(1)、(2)
に答えよ。
(1) 毎 分 
m웍
/mi
nの 水 を ポ ン プ で 全 揚 程 
mの と こ ろ に 揚 水 す る 場 合 に 要 す る 電 動 機 の 出
力 
kWを計算の過程を示して求めよ。ただし、このポンプの効率η、余裕を見込む係数 とする。
(
2) 次の①∼③の誘導電動機の制動方法について、それぞれ説明せよ。
①
②
③
発電制動
逆相制動
回生制動
電気専門
P4
〔電気
問題
〕
次の問(1)∼(3)
に答えよ。
(1) 次の図は、排熱回収式コンバインドサイクル発電の系統図であるが、図中の空所A∼Eに該当
する語を下の語群から1つずつ選び、その記号を解答欄に記入せよ。
D
C
燃料
空気
A
<語群>
ア 圧縮機
オ 蒸気タービン
ケ 復水器
B
イ
カ
E
ガスタービン
節炭器
ウ
キ
給水ポンプ
燃焼器
エ
ク
空気予熱器
発電機
(2) 次の文は、中性点接地方式に関する記述であるが、文中の空所ア∼エに該当する語を解答欄に
記入せよ。
直接接地方式では1線地絡のときの
ア
の対地電圧はほとんど上昇しないため、線路や
機器の絶縁が低減できる。
イ
が大きいので、保護継電器の動作は確実である。しかし、
通信線に対する
ウ
が大きい。通常、
エ
以上の送電系統で採用される。
(3) 架空送電線路の雷害対策に関する次の①、②について、それぞれ説明せよ。
①
②
埋設地線
不平衡絶縁
電気専門
P5
〔電気
問題
〕
次の問(1)、(2)
に答えよ。
(1) 次の図のような論理回路について、次の問①、②に答えよ。





①
②
解答用紙の真理値表を完成させよ。
出力  を表す論理式を示せ。
(
2) 図1のような論理回路に、図2のようなクロックパルスを入力したとき、出力 욼
、욽
、욾
、욿
の
出力波形を解答用紙のタイムチャートに図示せよ。ただし、욼
、욽
、욾
、욿
のはじめの値は0とす
る。
욼
욽
욾
AND2
욿
AND1
1
クロックパルス
FF1
FF2
FF3
FF4
J Q
C
K Q
J Q
C
K Q
J Q
C
K Q
J Q
C
K Q
図1
クロックパルス
1
0
図2
電気専門
P6