工学部教授石川順三微小電子源開発と負イオン注入技術に関する研究 ISHIKAWA Junzo 工学部電子情報工学科電子およびイオンビーム技術は我々の豊かな生活を支える物づくりの基盤技術となっている。当研究室では、電子およびイオンビームに関する最先端の技術開発を行っている。次世代半導体デバイス製造では、イオン注入のエネルギーが低エネルギー化し、イオンビームの空間電荷による発散効果のため平行に輸送することシリコン系微小電子源のSEM写真低エネルギーイオンビーム空間電荷中和実験装置が困難となる。この問題を解決するため、金属汚染源とならないシリコン系電界放出微小電子源を開発し、それから引き出した電子を利用して、イオン注入装置のイオンビームを空間電荷中和する技術の開発を行っている。また、負イオン注入では絶縁性材料との相互作用において表面帯電が生じないという特長がある。この特長を活かした負イオン注入の新分野への応用展開として、絶縁薄膜中へのナノ粒子形成による量子効果デバイスの開発、高分子材料表面の生体適合性改質による神経細胞接着制御などの研究を行っている。【研究テーマ】ポリスチレン表面に炭素負イオン注入をして注入領域に神経細胞を接着した様子 SiO2薄膜中にGe負イオン注入し、 Geナノ粒子を形成した層からのEL発光シリコン系電界放出微小電子源開発イオンビーム減速技術開発低エネルギーイオンビーム空間電荷中和技術開発負イオン注入による量子効果デバイス開発負イオン注入による生体適合性材料開発キーワード相談に応じられる内容イオン注入、微小電子源、空間電荷中和、ナノ粒子、イオン源開発、低エネルギーイオン注入技術、負イオン注入技術生体適合材料ワイドギャップ半導体の欠陥準位計測とバンド構造解析教授中野由崇 NAKANO Yoshitaka 従来のSiやGaAsの物性限界を凌駕するワイドギャップ半導体（III族窒化物、 ࣂࣥࢻࢠࣕࢵࣉ㟁Ꮚ≧ែ SiC、酸化物、有機半導体）はパワーデバイス・太陽電池・光触媒などの ࣭Ḟ㝗‽఩ィ ࣭ࣂࣥࢻᵓ㐀ゎᯒ ⤖ᬗᡂ㛗䡡䝥䝻䝉䝇ᢏ⾡グリーンエネルギー分野において注目されている。これらの新規半導体が (F 㻔ఏᑟᖏ㻕 ⇕ບ㉳ '/76 aH9 䝟䝽䞊䝕䝞䜲䝇䞉 ኴ㝧㟁ụ䞉ගゐ፹ ෌⤖ྜ୰ᚰ (J '/26 ගບ㉳䜲䜶䝻䞊䞉䝞䞁䝗 '/76 aH9 9* '&VV& GDUN 1%($O*D1 9* 9 $O*D1*1#䢛& 9* 9 aH9 $O*D1*D1#䢛& aH9 ,QFLGHQW3KRWRQ(QHUJ\H9 キーワード 9* 9 aH9 7 欠陥準位を光励起や熱励起などを利用した過渡容量分光法（DLOS: Deep-Level Optical Spectroscopy, DLTS: Deep-Level Transient Spectroscopy, TAS: Thermal Admittance Spectroscopy）を用いて高感度に精密計測し、バンド構造解析を通して結晶成長やプロセス技術へフィードバックするバンド構造エンジニア【研究テーマ】 AlGaN/GaNヘテロ構造の炭素関連欠陥準位とスイッチング特性の相関研究 7 7 する必要がある。当研究室では、これらの半導体デバイス・材料に存在するリングを積極的に行っている。 7 LOOXPLQDWLRQ 7GLVORFDWLRQ VXUIDFH 79*D DQGRU9*D21 7Ĺ 79*D&1 </ 7 7&1 (Y 㻔౯㟁Ꮚᖏ㻕 1%(*D1 V 9 有する優れた物性を具現化するには、電気的に活性な欠陥準位を極力低減 InGaN厚膜pin接合型太陽電池の欠陥準位評価･解析有機デバイスの界面欠陥準位計測と劣化解析 a-Si:H/c-Siヘテロ接合型太陽電池の欠陥準位評価・解析 SiCエピタキシャル膜の欠陥準位評価・解析欠陥準位の非侵襲･高感度計測技術の開発相談に応じられる内容ワイドギャップ半導体、欠陥準位計測、過渡容量分光、 GaN・SiC・酸化物・有機物などのワイドギャップ半導体デバイス・材料における欠陥準位バンド構造解析計測とバンド構造解析工学部工学部電子情報工学科