分析事例C0383 2015/05/18 2015/05/18
エッチングによる有機付着物除去
表面汚染を除去してXPSによる評価を行います
測定法 ：XPS
製品分野 ：LSI・メモリ・酸化物半導体・パワーデバイス・光デバイス・製造装置・部品
分析目的 ：組成評価・同定・化学結合状態評価
概要
XPSは表面敏感な手法のため、大気等による有機付着物由来のCが主成分レベルで検出されます。こう
いった有機付着物由来のCの影響を減らすことは、膜本来の組成を評価する上で重要です。
通常、有機付着物の除去にはArイオンスパッタを用いますが、スパッタによるダメージにより膜本来の組
成,結合状態が評価できない場合があります。Arイオンスパッタを使用せず、表面酸化層をウェットエッチ
ングを用いて除去することで、有機付着物由来のCの影響を低減させた例をご紹介します。
データ
SiC膜について、ウェットエッチング処理前後に評価を行いました。
エッチング処理後において有機付着物, 表面酸化層が減少し、膜成分が増加する傾向が確認されました。
エッチング処理前
エッチング処理後
| SiC
| SiOC
表面酸化層が減少
表面酸化層が減少
膜成分が増加
| SiO2
| SiO2
| SiC
有機付着物が減少
膜成分が増加
| C-C,C-H
定量値においても
膜成分が増加
定量値においても
有機付着物が減少
定量値 （atomic%）
Si
O
C(SiC)
C(有機付着物)
エッチング処理前
35.8
14.9
26.7
22.6
エッチング処理後
42.6
11.6
40.6
5.2
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