物理システム工学科3年次 物性工学概論 第火曜1限0023教室 第4回半導体の色 大学院ナノ未来科学研究拠点 量子機能工学分野 佐藤勝昭 第3回で学んだこと 金属の色:金、銀、銅、鉄、白金 3原色:加法混色と減法混色/CIE色度図 ヒトが色を認識する仕組み 自由電子のプラズマ運動 誘電率と屈折率・消光係数 負の誘電率の意味するところ 第3回の問題 問1:さまざまな色が3原色によって表される理由 を述べよ。 • ヒトの網膜には色を感じる錐体という細胞があるが、 錐体には赤、緑、青の波長にピーク感度をもつ3種類 の細胞がある。ヒトはこれらの3つの細胞の刺激の程 度によってすべての色を感じる。(従って、カラーテレ ビのカメラでは、光を赤、緑、青の3色に分解し、それ ぞれの光の強さを電気信号として伝送して、ブラウン 管など表示装置の赤、緑、青の光源の強度を変化さ せてもとの色を再現している。) 第3回の問題 問2:金が金色である原因と、半導体であるゲル マニウムや黄鉄鉱(FeS2)が金色を示す原因は 異なっている。何が違うのかを関与する電子状態 を考えて説明せよ。 • 金が金色であるのは、赤から緑にかけての反射率が 高いことによるが、この高い反射率は自由電子の集 団運動によるDrude則による負の誘電率が原因であ る。これに対して、黄鉄鉱では、バンド間遷移によって、 強い吸収が赤~赤外領域に存在するために反射率も 高くなっていることが原因である。 第3回の補足 スペクトルとは 光学定数の意味 マクスウェルの方程式 スペクトルとは 白色光の連続 スペクトル 気体原子の 線スペクトル 吸収線 発光線 国立天文台 http://centaurs.mtk.nao.ac.jp/~avell/study/SPECTR/node9.html 媒体中における光の電界の伝搬 光:電磁波(電界Eと磁界Hが直交して振動) E=2E0cos{(t-x/c’)}=E0[exp {-i(t-x/c’)}+cc.] • 媒体中の光速 c’=c/n:ここにnは屈折率 E=E0exp{-i(t-nx/c)} で代表させる。 媒体中での光の電界の減衰 E=E0exp(-x/c) 媒体中で電界が1/eになる距離 x=c/ 光学定数(屈折率nと消光係数) E=E0exp(-x/c) exp{-i(t-nx/c)} =E0 exp{-i(t-(n+i)x/c)}=E0 exp{-i(t-Nx/c)} N= n+i (複素屈折率) 屈折率n:媒体中での光速を表す因子。 光速は真空中の光速の1/nになっている。 消光係数:媒質中で電磁波の振幅が減衰する 様子を表している。 波動の振動の様子 1.000 Eexp(-/c) 500 n= 2.5 k= 0.2 振幅 λ= 0.500 0.000 0 500 1000 -0.500 -1.000 距離(nm) 1500 2000 マクスウェルの方程式 rotH=D/t =r0E/t rotE=-B/t =-0 H/t rot rotE= -r0 0E2/t2 左辺=( ・E)E- 2E=- 2E 右辺 =-r/c2 E2/t2 E2/x2+ E2/y2 + E2/z2 = r/c2 E2/t2 E=E0 exp{-i(t-Nz/c)}を代入 - N2 2/c2E=-r 2/c2E→(N2- r)E=0 N2= r 誘電率と屈折率・消光係数 N2=εr • 誘電率が物質定数、屈折率はその媒質での光の固有値 (N+i)=εr’+iεr” 2 2 (n - )+i2n= εr’+iεr” εr’= n2- 2 εr”=2n 誘電率の虚部:エネルギーの損失を表す項 • 電子レンジで食品が加熱される原因:誘電率の虚部 半導体の光学現象 半導体とは何か 半導体にはどんな物質があるか バンド構造とバンドギャップ 半導体の透過色、反射色 吸収スペクトル:バンド間遷移 シリコン結晶の金属光沢の原因は? 半導体とは何か 半導体の抵抗率の範囲とバンドギャップ (佐藤・越田:応用電子物性工学 図4.2) 半導体の電気抵抗の温度変化 金属と半導体の電気抵抗の温度変化の比較 導電率、キャリア密度、移動度 導電率、キャリア密度n、移動度の間には = ne の関係式が成り立つ。 抵抗率と導電率の関係は =1/ である。 移動度とは、単位電界E[V/cm]によって得られる平均速 度v[cm/s]を表し、v=E である。 • 例:1mのシリコン膜の表裏の間に1Vの電圧を印加したとき、 E=104V/cm、シリコンの=1000cm2/Vsとしてv= E =107cm/sと なる。 • このときの導電率はキャリア数1016cm-3として = ne =10161.6 10-19 103=1.6S/cm: =0.625cm 周期表と半導体 IIB IIIB IV V VI B C N O Al Si P S Zn Ga Ge As Se Cd In Sn Sb Te Hg Tl Pb Bi Po IV族(Si, Ge) III-V族(GaAs, GaN, InP, InSb) II-VI族(CdS, CdTe, ZnS, ZnSe) I-VII族(CuCl, CuI) I-III-VI2族(CuAlS2,CuInSe2) II-IV-V2族(CdGeAs2, ZnSiP2)) 半導体の構造 ダイヤモンド構造 閃亜鉛鉱(ジンクブレンド)構造 黄銅鉱(カルコパイライト)構造 非晶質(アモルファス) バンド構造による金属・半導体の区別 エネルギー帯の考え方 自由電子からの近似 • Hartree-Fockの近似 • 電子を波数kの平面波として扱う E=(k)2/2m 放物線バンド 孤立原子に束縛された電子からの近似 • Heitler-Londonの近似 • 原子の電子波動関数(s, p, dなど)の1次結合 • 電子間相互作用を考慮しやすい シリコンのバンドとバンドギャップ 半導体の光吸収スペクトル 直接吸収端 InSb, InP, GaAs 間接吸収端 Ge, Si, GaP バンドギャップと半導体の吸収端 ・フォトン・エネルギーE=hがエネルギー・ギャップEgよ り小さいとき、価電子帯の電子がE=hを得ても、伝導帯に 遷移できないので、光は吸収されず透過する。 フォトン・エネルギーがエネルギー・ギャップよりも大きい と、価電子帯の電子が伝導帯に遷移することができるので、 光吸収が起きる。吸収が始まる端っこということで、エネル ギー・ギャップを吸収端のエネルギー、それに相当する波長 を吸収端の波長という。吸収端の波長より長い波長の光は透 過する。 1240 / h 伝導帯 h h>Eg 価電子帯 Eg 半導体のバンドギャップと透過光の色 ZnS CdS 黄 Eg=2.6eV GaP 橙 Eg=2.2eV Eg=2eV HgS 赤 Eg=1.5eV GaAs 黒 800nm 300nm 4eV 白 透過域 Eg=3.5eV 3.5eV 3eV 2.5eV 2eV 1.5eV 半導体の色 透過光の色 diamond http://www.sei.co.jp/ • バンドギャップより低いエ ネルギーの光を全部通す • Eg>3.3eV:無色透明 • Eg=2.6eV:黄色 • Eg=2.3eV:橙色 Si http://www.anstro.gov.au/ • Eg=2.0eV:赤色 • Eg<1.7eV:不透明 Ge http://www.ii-vi.com/ ZnSe, ZnS http://www.ii-vi.com/ 反射光の色 GaAs http://www.ii-vi.com/ HgS www.lotzorox.com/ cinn3b.JPG 半導体のバンドギャップと絵の具の色 Color of some ban d- gap se mic on du c tors Mineral Pigment Band name name gap Substance C Diamond ZnO Zincite - Color 5.4 Colorless HgS Zinc white Cadmium Greenockite yellow Cadmium orange Cinnabar Vermillion HgS M etacinnabar - 1.6 Black Si - 1.1 Black PbS Galena CdS CdS1-xSex Mixed crystals of yellow cadmium sulfide CdS and black cadmium selenide CdSe, showing the intermediate-bandgap colors (eV) - http://webexhibits.org/causesofcolor/10.html 3 Colorless 2.6 Yellow 2.3 Orange 2 Red 0.4 Black 第4回の問題 さまざまな半導体のバンド ギャップ(室温) 半導体 Eg[eV] g[nm] Ge 0.67 1851 Si 1.11 1117 GaAs 1.42 873 CdSe 1.74 712 GaP 2.26 549 CdS 2.42 512 ZnSe 2.67 463 GaN 3.39 366 ZnS 3.68 337 左に示す半導体を透過 した光は、それぞれ何 色に見えるか、またそう 見える理由を述べよ。
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