マテリアルサイエンス研究科セミナー（第１１回） テ ーマ 「アモルファス酸化物 TFT を用いた 薄膜 HF 帯 RFID の開発」 Thin-Film HF-band RFID Tag Based on Amorphous Oxide TFT Technology 講演者：株式会社日立製作所 中央研究所 主任研究員 内山 博幸 氏 Senior Researcher, Hiroyuki Uchiyama Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. 日 場 時：平成２６年１１月１７日（月）１５：３０～１７：００ 所：マテリアルサイエンス研究科Ⅳ棟 8 階 中セミナー室 講演要旨： アモルファス酸化物 TFT は、OLED ディスプレイ駆動用など、次世代高精細ディスプレイを担う技術として注目され ている。特長は、高移動度と高オン/オフ比、低電圧駆動、低温・薄膜プロセスなどであり、ディスプレイの他、これら を活かした新しい応用が期待できる。特に、低温・薄膜プロセスが不可欠な薄膜フレキシブルデバイスは、現状の Si テクノロジーでは困難な領域であり、アモルファス酸化物 TFT による実現が期待される。 我々は、薄膜プロセスのみで形成が可能なアモルファス酸化物 TFT 技術をベースとしたフレキシブル RFID の実 現とその応用を検討しており、今回ガラス基板上薄膜 RFID 回路の試作と無線評価を行ったので紹介する。 講演者略歴： 1989 年 3 月 千葉大学大学院理学研究科化学専攻修士課程修了 1989 年 4 月 （株）日立製作所 中央研究所 入所 ～2006 年 3 月 化合物半導体デバイス、プロセス技術の研究に従事 2006 年 3 月 法政大学工学部工学研究科より博士（工学）の称号授与 2007 年 4 月～現在 酸化物半導体デバイス技術の研究に従事 2011 年 9 月～現在 法政大学理工学部兼任講師 2012 年 8 月～現在 酸化物半導体材料技術の研究に従事 （日立金属（株）冶金研究所出向中） 参加申込・予約は不要です。直接会場にお越しください。 お問い合わせ先：共通事務管理課 共通事務第三係 （E-mail：ms-secr）
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