主に対象となる課程担当教員名研究室公開日および場所量子半導体工学研究室名電子システム課程東清一郎(教授)、村上秀樹 (助教)、花房宏明（助教） 3月6日, 9:00 ~ 17:00, 先端物質科学研究科 4F ラウンジ薄膜トランジスタ（TFT）研究領域プラズマジェット超高密度大気圧熱プラズマジェットによる結晶成長メカニズム解明とデバイス応用に関する研究ナノメートルサイズの微細半導体薄膜への大気圧プラズマジェット照射による結晶成長に関して、結晶粒界形成の挙動および単結晶化のメカニズム解明に取組むとともに、高品質絶縁膜低温形成技術により、高性能薄膜トランジスタ（TFT）の作製およびCMOS回路の低電圧・高速動作を目指す。薄膜転写法を用いたフレキシブル基板上のCMOS 回路作製技術の開発薄膜転写法を用いたデバイス作製の要素技術となる中空構造作製、局所転写、位置合わせ、絶縁膜および配線技術を確立し、フレキシブル基板上の超高性能トランジスタ作製、CMOS回路およびメモリ動作、光センサ集積化に挑戦する。フレキシブルディスプレイ有機ELディスプレイ向け封止膜形成技術有機ELディスプレイの経時劣化の主要因である水分の透過を抑制する封止膜形成を目的として、プラズマCVD法による低温成膜技術を開発する。次世代半導体デバイス研究領域ゲート絶縁膜ソースゲルマニウムチャネルトランジスタのデバイスプロセス開発絶縁膜形成、低抵抗ソースドレイン形成、パッシベーション膜形成等のMOSデバイス作成の要素技術を確立し、ゲートラスト、ゲートファーストプロセスでのデバイス作成を行い、電気特性評価を行う。 n+ ゲート電極 p-Si(100) SiO2 ドレイン SiO2 + n 極微細MOSトランジスタ高移動度チャネル材料を有するMIS構造の形成と界面物性評価半導体基板材料として従来のSiからSiGe, 歪Si, Ge等の高移動度チャネル材料の導入が進められている。これら新規材料でのMIS構造形成技術を確立し、移動度向上に向けた詳細な物性評価を行う。ワイドバンドギャップ半導体デバイス向けの要素技術開発とデバイス応用 SiCを用いたトランジスタの作製法研究や評価手法の開発などに挑戦する。パワーエレクトロニクスデバイスの応用例：ハイブリッド・電気自動車配属が決定した学生は、3/18 12:00 に、先端物質科学研究科401A に集合してください。