ハロゲンフリー高Tg・高耐熱・高信頼性多層材料 MCL-E-75G GEA-75G <プリプレグ> ガラス布基材高Tgエポキシ樹脂多層材料(FR-4) ■特 長 ■用 途 ●ハロゲン系難燃剤、アンチモンおよび赤リンを使用せずに、難燃性UL94V-0を達成している 環境対応材料です。 ●耐熱性に優れています(鉛フリーはんだ工程対応)。 ●Z方向の熱膨張係数が一般FR-4より約40%低く、スルーホール信頼性に優れています。 ●はんだ耐熱性に優れています(鉛フリーリフロー対応)。 ●一般FR-4材よりも耐電食性に優れています。 ●自動車用電子機器 ●パソコン、高密度電子機器 ●電子交換機、携帯端末機器など ●大型コンピューター ■一般仕様 品 番 タイプ名 MCL-E-75G − 定尺寸法 (たて×よこ) 1020 +10 −0 ×1020 +10 −0 mm 1020 +10 −0 ×1220 +10 −0 mm 標準銅箔厚さ 12μm 18μm 35μm 70μm 呼び名 (呼称) 0.06 0.1 0.15 V0.2 0.3 V0.4 0.5 V0.6 0.8 1.0 1.2 1.6 厚さおよび許容差 0.06±0.03mm 0.10±0.03mm 0.15±0.04mm 0.20±0.04mm 0.30±0.05mm 0.40±0.06mm 0.50±0.07mm 0.60±0.08mm 0.80±0.09mm 1.00±0.10mm 1.20±0.11mm 1.60±0.19mm 注1)呼び名の中間に位置する厚さ許容差は、 より厚い方の許容差によります。 注2)厚さは絶縁層の厚さを示します。 ただし、厚さ0.8以上は銅箔を含む厚さを示します。 ■一般特性 ●多層用銅張積層板 (t0.8mm) 処理条件 試験項目 TMA ガラス転移温度 Tg 熱膨張係数 DMA *1 X (30∼120℃) Y (30∼120℃) Z A *2 T260 TMA T288*2 TMA 銅箔引きはがし強さ 18μm 35μm 曲げ弾性率(たて方向) 比誘電率 誘電正接 1MHz 1GHz*3 1MHz 1GHz*3 ℃ TGA ppm/℃ 秒 分 ℃ kN/m A GPa C-96/20/65 195∼215 14∼17 30∼40 180∼240 A C-96/20/65 実測値 155∼170 12∼15 (>Tg) はんだ耐熱性 (260℃) 熱分解温度 (5%重量減少) − − 300以上 60以上 60以上 380∼390 1.2∼1.4 1.5∼1.8 25∼29 5.0∼5.2 4.4∼4.6 0.009∼0.011 0.014∼0.016 体積抵抗率 C-96/20/65+C-96/40/90 Ω・cm 15 16 1×10 ∼1×10 表面抵抗 C-96/20/65+C-96/40/90 Ω 1×1013∼1×1015 絶縁抵抗 26 (<Tg) 単 位 C-96/20/65 C-96/20/65+D-2/100 吸水率 E-24/50+D-24/23 耐燃性 (UL-94) A 耐電食性 85℃/85%RH, DC100V印加 注)一般特性試験は、JIS C 6481によります。 *1) 昇温速度:10℃/min. *2) IPC-TM-650によります。 *3) 弊社トリプレートストリップライン共振器法によります。 Ω % 1×1014∼1×1016 1×1013∼1×1015 0.08∼0.12 − V−0 時間 1000以上 ●プリプレグ ガラスクロス 品 番 タイプ名 0.06 0.06 0.10 0.15 0.20 GEA-75G IPC スタイル 織密度 (たて×よこ) 樹脂分 (%) プリプレグ特性 揮発分 硬化時間 (%) (秒) 1080 1078 2116 1501 7628 60×48 53×53 60×58 46×45 44×31 65±2 65±2 56±2 52±2 50±2 155±30 155±30 155±30 145±30 140±30 (1080N65) (1078N65) (2116N56) (1501N52) (7628N50) 1.0以下 成形厚さ*1 (mm) 0.077 0.077 0.128 0.182 0.213 注) 一般特性試験はJIS C 6521 (成形厚さを除く) によります。 *1) 成形厚さは樹脂流れを0%と仮定した場合のプリプレグ1枚当たりの厚さです。 この値はプレス条件や内層パターンにより変わります。 ●耐電食性(85℃85%RH, DC32V, 層内連続測定) t1.6mm,6層貫通基板 1.0E+12 ●スルーホール接続信頼性 ー55℃30分⇔150℃30分 (t1.6両面板) 20 前処理条件 260℃maxリフロー3回+260℃はんだフロート20秒 1.0E+11 一般FR-4 導通抵抗変化率 ︵%︶ 絶縁抵抗 ︵Ω︶ 1.0E+10 1.0E+09 1.0E+08 1.0E+07 パターンA 壁間0.4mm パターンB 壁間0.5mm パターンC 壁間0.6mm 1.0E+06 15 高Tg FR-4 10 5 0 ー5 0 200 400 600 E-75G 0 800 1000 0 500 試験時間 (時間) 1000 1500 2000 サイクル ●誘電特性(樹脂分依存性) 0.022 4.8 0.021 4.6 0.020 誘電正接 ︵ 比誘電率 ︵ 4.4 0.019 4.2 Df 4.0 0.017 1GHz 2GHz 5GHz 3.8 3.6 40 0.018 ︶ ︶ DK 5.0 45 50 55 1GHz 2GHz 5GHz 0.016 60 65 70 75 樹脂分 (%) 0.015 40 45 50 55 60 65 70 75 樹脂分 (%) 注) 比誘電率および誘電正接はトリプレートストリップライン共振器法により測定しています。 27 00
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