MCL-E-679F(J)タイプ (PDF形式、510kバイト)

高Ｔｇ高耐熱多層材料
MCL-E-679F（J）タイプ
GEA-679F（J）タイプ〈プリプレグ〉
ガラス布基材高Tgエポキシ樹脂多層材料（FR-4）
■特長
■用途
●はんだ耐熱性が優れています。
●大型コンピューター
●厚み方向の熱膨張係数が一般FR-4より約30％小さく
（当社比）、スルー
ホール信頼性が高い材料です。
●自動車用電子機器
●高多層板における高アスペクト比のIVH穴埋め性に優れています。
■一般仕様
品番
タイプ名
MCL-E-679F
（J）
定尺寸法
（たて×よこ）
＋10
1020 ＋10
−0 ×1020 −0 mm
＋10
1220 ＋10
−0 ×1020 −0 mm
標準銅箔厚さ
呼び名
（呼称）
0.07
0.1
0.13
0.15
0.2
0.3
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
12μm
18μm
35μm
70μm
厚さおよび許容差
0.07±0.02mm
0.10±0.03mm
0.13±0.03mm
0.15±0.03mm
0.20±0.04mm
0.31±0.05mm
0.39±0.07mm
0.58±0.07mm
0.77±0.09mm
0.96±0.10mm
1.15±0.12mm
注1）
厚さの中間に位置する厚さ許容差は、
より厚い方の厚さ許容差とします。
注2）
厚さは絶縁層の厚さを示します。
■一般特性
●多層用銅張積層板
（t0.8mm）
処理条件
試験項目
TMA
ガラス転移温度 Tg
DMA
X
熱膨張係数
（＜Tg）
Z
T-260
＊2
T-288＊2
熱分解温度
（5％重量減少）
35μm
ppm/℃
195∼205
14∼17
35∼45
180∼240
A
秒
TMA
分
TGA
℃
A
165∼175
kN/m
300以上
60以上
30以上
340∼360
1.1∼1.4
1.4∼1.6
表面粗さ
（Ra）
A
μm
5∼10
曲げ弾性率（たて方向）
A
GPa
25∼31
比誘電率
誘電正接
1MHz
1GHz
＊3
1MHz
1GHz＊3
C-96/20/65
C-96/20/65
−
−
4.6∼4.8
4.2∼4.4
0.011∼0.013
0.017∼0.019
体積抵抗率
C-96/20/65+C-96/40/90
Ω･cm
1×1015∼1×1016
表面抵抗
C-96/20/65+C-96/40/90
Ω
1×1013∼1×1015
絶縁抵抗
38
18μm
実測値
12∼15
（＞Tg）
はんだ耐熱性
（260℃）
銅箔引きはがし強さ
℃
（30∼120℃）
Y
＊1
単位
C-96/20/65
C-96/20/65+D-2/100
Ω
1×1014∼1×1016
1×1013∼1×1015
吸水率
E-24/50+D-24/23
％
耐燃性
（UL-94）
A
−
Ｖ−0
耐電食性
85℃/85％RH，
DC100V印加
時間
2000以上
注）
一般特性試験は、JIS C 6481によります。
＊1）
昇温速度：10℃/min ＊2）
IPC-TM-650によります｡
（銅箔なし）
＊3）
トリプレートストリップライン共振器法によります｡
測定項目により、t0.8mmの値を記載しております。
0.04∼0.06
●プリプレグ
ガラスクロス
品番
IPC
スタイル
タイプ名
0.03 （JORE）
（JUME）
0.06
（JUNE）
0.08 （JGKE）
（JSJE）
0.1
（JSKE）
0.2 （JPDE）
GEA-679F
106
織密度
（たて×よこ）
樹脂分
（％）
56×56
73.5±2
65±2
68±2
59±2
55±2
60±2
45±2
1080
60×48
3313
60×62
2116
60×58
7629
44×34
揮発分
（％）
1.0以下
0.75以下
1.0以下
プリプレグ特性
樹脂流れ＊1
硬化時間
（％）
（秒）
̶
̶
̶
39±5
33±5
40±5
̶
145±25
0.75以下
成形厚さ＊2
（mm）
0.056
0.078
0.087
0.110
0.126
0.145
0.197
注）
一般特性試験は、JIS C 6521
（成形厚さを除く）
によります。
＊1）
樹脂流れはIPC TM-650によります。
＊2）
成形厚さは樹脂流れを0％と仮定した場合のプリプレグ1枚当たりの厚さです。
この値はプレス条件や内層パターンにより変わります。
●厚み方向の熱膨張量
●熱衝撃試験（MIL-STD-202 Method107E）
（t0.8mm）
40
100
80
熱膨張量
不良発生率
30
一般FR-4
20
40
（％）
高Tg FR-4
（μm）
60
一般FR-4
10
20
MCL-E-679F（J）
タイプ
高Tg FR-4
MCL-E-679F（J）
タイプ
0
0
50
100
150
200
0
250
0
1000
2000
3000
サイクル数
温度
（℃）
●比誘電率の周波数依存性
●誘電正接の周波数依存性
0.030
5.0
0.025
4.5
高Tg FR-4
誘電正接
比誘電率
0.020
MCL-E-679F（J）
タイプ
4.0
MCL-E-679F（J）
タイプ
0.015
高Tg FR-4
0.010
3.5
0.005
3.0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0.000
周波数
（GHz）
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
周波数
（GHz）
注）
比誘電率および誘電正接はトリプレートストリップライン共振器法により測定しています。
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