微細配線形成用銅箔 PF-E,PF-EL ■特長 ■用途 ●PF-ELは銅箔粗化形状を利用したセミアディティブ工法（SAP）による、微細配線形成に適した銅箔です。 ●半導体パッケージ基板 ●PF-ELはめっき銅との高い密着性が得られます。 ●高密度多層配線板 ●高周波用途配線板 ●PF-Eはサブトラクティブ法やMSAPによる微細配線形成に適した銅箔です。 ●プリプレグとともに使用可能であるため、剛性の高い微細配線基板を得ることができます。 ●一般箔と比較して、伝送損失を約8dB/m低減できます。（at 5GHz） ■一般仕様ラインナップ PF-EL-12 銅厚(μm) 12 接着面粗さ(μm) 粗化処理 Ra : 0.3∼0.4 Rz : 1.5∼2.5 微粗化 Ra : 0.3∼0.4 Rz : 1.5∼2.5 微粗化 PF-EL-3 3 PF-EL-2 2 PF-E-12 12 Ra : 0.15∼0.25 Rz : 1.0∼2.0 無粗化 3 Ra : 0.15∼0.25 Rz : 1.0∼2.0 無粗化 PF-E-3 ロープロファイル銅箔特殊処理層無粗化銅箔特殊処理層 ※1：特殊処理層の銅箔粗化形状を利用したSAP。 ※2：極薄銅箔を給電層（シード層）とするSAP。（MSAP：Modiﬁed Semi-Additive Process） ●微細配線形成性 20μm 設計仕様 L/S=8/8μm SAP法（PF-EL使用） 64 主な対応プロセス構成 100μm 設計仕様 L/S=15/15μm MSAP法（PF-E使用）＊1 SAP MSAP＊2 SAP＊1 サブトラクティブ法＊2 MSAP ●銅箔引き剥がし強さ（PF-E） ●めっき銅引き剥がし強さ（PF-EL） 1.2 1.2 めっき銅引剥がし強さ銅箔引剥がし強さ Rz:7∼9μm 1.0 0.8 Rz:1∼2μm Rz:3∼5μm 0.6 0.4 （kN/m） 0.0 一般箔ロープロファイル箔無粗化箔 Rz:1.5∼2.5μm 0.8 0.6 0.4 （kN/m） Rz:1∼2μm 0.2 1.0 Rz:1.5∼2.5μm 0.2 0.0 PE-E箔 ※MCL-E-700G （R）使用、銅箔12μm 超ロープロファイル箔 PF-EL箔 ※MCL-E-700G （R）使用、めっき厚み20μm ●絶縁信頼性 1.0E+14 サンプル構造 AS-Z3 1.0E+12 PF-EL MCL-679GT 抵抗値前処理（a） TCT：-40degC(15min) to 60degC(15min), 5cycles （b） Baking: 125 degC, 24hr （c） 60 degC, 60%RH, 120hr （d） Reﬂow: 260degC(max), 3cycles 1.0E+10 試験条件：130degC,85%.3.3V L/S＝15μm/15μm 1.0E+08 （Ω） 1.0E+06 1.0E+04 0 50 100 150 200 250 300 350 時間（h） ●伝送損失 0 伝送損失ー10 PF-E箔ー20 ロープロファイル箔ー30 （db/m）基板仕様：サイズ：510mm×510mm 層数：8層ライン構造：ストリップラインライン長：500mm ライン幅：0.06∼0.184mm 絶縁層厚：0.16∼0.27mm ライン端部：めっきスルーホール評価ライン一般箔ー40 ー50 ー60 0 1 2 3 4 5 6 プリプレグ MCL 周波数（GHz） ※MCL-E-679FG使用層構成 65