平成 19年度システム情報工学研究科修士（工学）論文概要高濃度オゾン液膜を用いた回転平盤上のレジスト除去に関する研究専攻名学籍番号200621142 構造エネルギー工学専攻学生氏名八木崇宏指導教員名阿部皇半導体製造プロセスにおいて半導体基盤上に電子回路をパターニングするフォトリソグラフィ工程では、シリコン基盤上の酸化膜にフォトレジストとよばれる感光性高分子材料を塗布し、レジスト膜を部分的に露光させることで基盤上に回路パターンを転写し、その後、現像やエッチング等の加工工程を経て酸化膜上に回路のパターγを形成する。その際、露光済みのフォトレジストは不要となるため除去する工程が必要となる。現在、このレジスト除去のためには、熱濃硫酸や過酸化水素水などを用いた洗浄が用いられているが、使用済みの薬液を廃棄するために多大なコストとエネルギーが必要となる上、処理のために多大な環境負荷を発生させるという問題点がある。近年、これらの熱波硫酸の対策として、高濃度オゾン水を代替として使用する方法が提唱されている。高濃度オゾン水は半導体の製造に使用される超純水にオゾンガスを溶解させた機能水であり、従来の洗浄方法に比べ汚染物質が少ないことや、時間経過とともに無害な物質に変化するなど、環境負荷が低いという特徴がある．しかし，現段階では、熱波硫酸に比べて、オゾン水によるフォトレジストの除去速度が低く処理時間も長いため、実用的には用いられていない。本研究は、従来に無い高濃度のオゾン水とエキシマ光を併用する方式において、シリコン基盤表面上のフォトレジストの除去効率がどのように変化するかを実験的に調べたものである。実験は、高濃度オゾン水によってレジスト除去処理された後のシリコン基盤上のレジスト膜厚の測定を行うことで、そのレジスト除去速度の評価を行った．またその際のオゾン水供給状態やエキシマ光照射時のレジスト除去速度への影響を定量的に評価し考察を行った。