M63816P/FP/KP - 三菱電機

三菱半導体〈トランジスタアレイ〉
M63816P/FP/KP
8-UNIT 300mA TRANSISTOR ARRAY WITH CLAMP DIODE
概要
M63816P/FP/KPは、NPNトランジスタで構成された8回路
のクランプダイオード付きのトランジスタアレイであり、微小
入力電流で大電流駆動できる半導体集積回路です。
特長
¡3パッケージをラインアップ
¡中耐圧（BVCEO ≧ 35V）
¡シンク電流（IC(max) ＝ 300mA ）
¡クランプダイオード付き
¡出力低飽和電圧
¡広動作温度範囲 (Ta = −40 ∼ ＋85℃)
ピン接続図（上面図）
IN1→ 1
18 →O1
IN2→ 2
17 →O2
IN3→ 3
16 →O3
IN4→ 4
15 →O4
IN5→ 5
14 →O5
IN6→ 6
13 →O6
IN7→ 7
12 →O7
IN8→ 8
11 →O8
GND
10
入力
9
出力
COM COMMON
外形 18P4G(P)
用途
LED・ランプ等表示用素子のディジットドライブ小信号駆動用
NC
1
20
IN1→ 2
19 →O1
IN2→ 3
18 →O2
IN3→ 4
17 →O3
IN4→ 5
16 →O4
IN5→ 6
15 →O5
IN6→ 7
14 →O6
IN7→ 8
13 →O7
IN8→ 9
12 →O8
GND
11
入力
機能概要
NPNトランジスタが8回路内蔵されています。各トランジス
タの出力端子
（コレクタ）
とCOM端子間にスパイクキラー用のク
ランプダイオードが、また、エミッタは共通にGND端子に接
続されています。
コレクタ電流は最大300mA流せ、コレクタ・エミッタ間に
最大35Vの電圧が印加できます。
NC
10
出力
COM COMMON
NC：無接続
外形 20P2N-A(FP) 20P2E-A(KP)
回路図（各回路）
COM
出力OUT
入力IN
2.7K
10K
GND
COMとGNDは8回路共通です。
破線で示すダイオードは寄生ダイオードであり使用しないでく
ださい。
単位:Ω
三菱半導体〈トランジスタアレイ〉
M63816P/FP/KP
8-UNIT 300mA TRANSISTOR ARRAY WITH CLAMP DIODE
絶対最大定格（指定のない場合は、Ta = −40∼＋85℃）
記号
VCEO
IC
VI
項目
コレクタ・エミッタ間電圧
コレクタ電流
入力電圧
IF
VR
クランプダイオード順電流
クランプダイオード逆電圧
Pd
消費電力
Topr
Tstg
条件
出力が“H”のとき
出力が“L”のとき，1回路当りの電流
Ta = 25°C，基板実装時
M63816P
M63816FP
M63816KP
定格値
–0.5 ~ +35
300
–0.5 ~ +35
単位
V
mA
V
300
35
1.79
1.10
mA
V
W
0.68
–40 ~ +85
–55 ~ +125
動作周囲温度
保存温度
°C
°C
推奨動作条件（指定のない場合は、Ta = −40∼＋85℃）
記号
VO
項目
出力印加電圧
M63816P
IC
コレクタ電流
（8回路同時動作時の
1回路当りの電流）
M63816FP
M63816KP
VIH
VIL
条件
“H”入力電圧
“L”入力電圧
Duty Cycle 50%以下
Duty Cycle 100%以下
Duty Cycle 30%以下
Duty Cycle 100%以下
Duty Cycle 12%以下
Duty Cycle 100%以下
IC ≧ 50mA
規格値
最小
0
0
標準
—
—
最大
35
250
0
0
—
—
—
170
250
0
0
0
2.4
0
—
—
—
—
130
250
単位
V
mA
100
20
V
0.4
V
電気的特性（指定のない場合は、Ta = 25℃）
記号
項目
V (BR)CEO
コレクタ・エミッタ間降伏電圧
ICEO = 10µA
VCE (sat)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
IIN = 1mA, IC = 10mA
IIN = 2mA, IC = 150mA
VIN (on)
VF
IR
入力ON電圧
クランプダイオード順電圧
クランプダイオード逆電流
直流電流増幅率
hFE
測定条件
IIN = 1mA, IC = 10mA
IF = 250mA
VR = 35V
VCE = 10V, IC = 10mA
規格値
最小
35
—
—
2.4
—
—
標準
—
—
—
3.5
1.2
—
最大
—
0.2
0.8
4.2
2.0
10
50
—
—
単位
V
V
V
V
µA
—
スイッチング特性（指定のない場合は、Ta = 25℃）
記号
ton
toff
2
項目
ターンオン時間
ターンオフ時間
測定条件
CL = 15pF（注1）
規格値
最小
標準
最大
—
125
—
—
250
—
単位
ns
ns
三菱半導体〈トランジスタアレイ〉
M63816P/FP/KP
8-UNIT 300mA TRANSISTOR ARRAY WITH CLAMP DIODE
タイミング図
注1．測定回路
入力
VO
被測定素子
RL
OPEN
入力
50%
50%
出力
PG
出力
CL
50Ω
50%
50%
ton
toff
(1)パルス発生器(PG)の特性 : PRR = 1kHz,
tw = 10µs, tr = 6ns, tf = 6ns, ZO = 50Ω,
VIH = 3V
(2)出力条件 : RL = 220Ω, VO = 35V
(3)静電容量CLは、結線の浮遊容量及びプロ
ーブの入力容量を含みます。
標準特性
入力特性
熱低減率特性
2.0
8
Ta=–40°C
1.5
入力電流 II (mA)
許容消費電力 Pd (W)
M63816P
M63816FP
1.0
0.931
M63816KP
0.572
0.5
6
4
Ta=25°C
Ta=85°C
2
0.354
0
0
25
50
75 85
0
100
0
5
①∼⑤
⑥
⑦
⑧
300
200
100
•コレクタ電流は1回路当りの電流です。
•繰返し周波数≧10Hz
• ⃝ 内の数字は同時動作回路数を示す。
•Ta = 25°C
20
40
60
20
80
デューティーサイクル (％)
100
デューティーサイクル—コレクタ電流特性
(M63816P)
400
コレクタ電流 Ic (mA)
コレクタ電流 Ic (mA)
デューティーサイクル—コレクタ電流特性
(M63816P)
400
0
15
入力電圧 VI (V)
周囲温度 Ta (°C)
0
10
300
①∼③
④
⑤
⑥
⑦
⑧
200
100
0
•コレクタ電流は1回路当りの電流です。
•繰返し周波数≧10Hz
• ⃝ 内の数字は同時動作回路数を示す。
•Ta = 85°C
0
20
40
60
80
100
デューティーサイクル (％)
3
三菱半導体〈トランジスタアレイ〉
M63816P/FP/KP
8-UNIT 300mA TRANSISTOR ARRAY WITH CLAMP DIODE
①∼③
④
⑤
⑥
⑦
⑧
300
200
100
0
デューティーサイクル—コレクタ電流特性
(M63816FP)
400
コレクタ電流 Ic (mA)
コレクタ電流 Ic (mA)
デューティーサイクル—コレクタ電流特性
(M63816FP)
400
•コレクタ電流は1回路当りの電流です。
•繰返し周波数≧10Hz
• ⃝ 内の数字は同時動作回路数を示す。
•Ta = 25°C
0
20
40
60
80
③
200
④
⑤
⑥⑦
⑧
100
0
100
①
②
300
•コレクタ電流は
1回路当りの電流です。
•繰返し周波数≧10Hz
• ⃝ 内の数字は同時動作回路数を示す。
•Ta = 85°C
0
デューティーサイクル (％)
③
④
⑤
⑥
⑦
⑧
100
0
•コレクタ電流は1回路当りの電流です。
•繰返し周波数≧10Hz
• ⃝ 内の数字は同時動作回路数を示す。
•Ta = 25°C
0
20
40
60
80
②
100
③
④
⑤
⑥
⑧⑦
•コレクタ電流は
1回路当りの電流です。
•繰返し周波数≧10Hz
• ⃝ 内の数字は同時動作回路数を示す。
•Ta = 85°C
0
20
40
60
80
100
デューティーサイクル (％)
出力飽和電圧—コレクタ電流特性
出力飽和電圧—コレクタ電流特性
100
Ta=25°C
Ta=25°C
IB=2mA
IB=3mA
200
IB=1.5mA
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ電流 IC (mA)
100
①
200
0
100
250
IB=1mA
150
100
IB=0.5mA
50
0.2
0.4
0.6
出力飽和電圧 VCE (sat) (V)
4
80
300
デューティーサイクル (％)
0
0
60
デューティーサイクル—コレクタ電流特性
(M63816KP)
400
コレクタ電流 Ic (mA)
コレクタ電流 Ic (mA)
①∼②
200
40
デューティーサイクル (％)
デューティーサイクル—コレクタ電流特性
(M63816KP)
400
300
20
0.8
80
VI=7V
VI=6V
VI=5V
VI=4V
60
VI=3V
VI=2V
40
20
0
0
0.05
0.10
0.15
出力飽和電圧 VCE (sat) (V)
0.20
三菱半導体〈トランジスタアレイ〉
M63816P/FP/KP
8-UNIT 300mA TRANSISTOR ARRAY WITH CLAMP DIODE
直流電流増幅率—コレクタ電流特性
出力飽和電圧—コレクタ電流特性
103
100
80
7
5
Ta=–40°C
直流電流増幅率 hFE
コレクタ電流 Ic (mA)
II=2mA
Ta=25°C
Ta=85°C
60
40
20
0
VCE=10V
Ta=25°C
3
2
102
7
5
3
2
0
0.05
0.10
0.15
101 0
10 2 3 5 7101 2 3 5 7102 2 3 5 7103
0.20
出力飽和電圧 VCE (sat) (V)
コレクタ電流 IC(mA)
エミッタ接地伝達特性
エミッタ接地伝達特性
250
50
VCE=4V
40
コレクタ電流 Ic (mA)
コレクタ電流 Ic (mA)
VCE=4V
Ta=25°C
30
Ta=–40°C
Ta=85°C
20
10
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
200
150
Ta=85°C
Ta=25°C
100
Ta=–40°C
50
0
0
1
2
3
4
5
入力電圧 VI (V)
入力電圧 VI (V)
クランプダイオード特性
順バイアス電流 IF (mA)
250
200
150
Ta=85°C
100
0
Ta=–40°C
Ta=25°C
50
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
順バイアス電圧 VF (V)
5
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