フォトトランジスタ PHOTOTRANSISTORS ST-1KL3B ■外形寸法 DIMENSIONS（Unit : mm） タイプの高感度シリコンフォトトランジスタです。屋外使用等厳しい φ4.65±0.2 条件下での信頼性が高められ、経時変化が少なく、耐久性、高信 Clear Glass 頼性の要求に答えます。 Disposal Nickel 0.4 The ST-1KL3B are high-sensitivity NPN silicon phototransistors mounted on durable, hermetically sealed TO-18 metal cans, 4.5±0.2 6.2±0.5 ST-1KL3Bは、メタルキャップをハーメチックシーリングした、TO-18 providing years of reliable performance even under demanding 20.0±1 φ0.45 conditions such as use outdoors. ベース端子あり：ST-1KL3B／Three leads (Collector, Emitter, Base)：ST-1KL3B ■特長 FEATURES 2.54±0.2 φ5.4±0.2 ●TO-18レンズ付きキャンタイプ ② ① ●高信頼性 ③ ●ベース端子付き 1 can type with lens ●High reliability ●With the base terminal ●Narrow 1 ●TO-18 45゜ ●狭指向角 Base ② ① Emitter angular response ③ Collector ■用途 APPLICATIONS ■最大定格 MAXIMUM RATINGS ●光電スイッチ ●産業機器 ●Optical Item コ レ ク タ ・ C-E voltage エミッタ間電圧 エ ミ ッ タ ・ E-C voltage コレクタ間電圧 switches ●Industrial machines （Ta＝25℃） Symbol Rating Unit VCEO 40 V VECO 6 V IC 50 mA コレクタ電流 Collector current power コレクタ損失 Collector dissipation PC 150 mW 動 作 温 度 Operating temp. Topr. −30∼＋100 ℃ 保 存 温 度 Storage temp. Tstg. −50∼＋150 ℃ 半 田 付 温 度 Soldering temp.*1 Tsol. 260 ℃ ＊1. リード根元より2mm離れた所で5秒 For MAX. 5 seconds at the position of 2 mm from the resin edge ■電気的光学的特性 ELECTRO-OPTICAL Item 暗 電 光 流 Collecor dark current 電 流 Light current コ レ ク タ ・ エミッタ間飽和電圧 CHARACTERISTICS Min. （Ta＝25℃） Symbol Conditions ICEO VCEO=10V IL VCE=10V,EV=200Lx*2 3.2 μsec. 1.5 Typ. Max. Unit. 1 200 nA 5.0 15 mA 0.2 0.4 VCE(sat) IC=5mA,EV=2000Lx*2 応 答 時 間 立上り時間 Rise time Switching speeds 立下り時間 Fall time tr VCC=10V IC=5mA RL=100Ω 4.8 μsec. 分 λ 500∼1050 nm ピ ー ク 感 度 波 長 Peak wavelength λp 880 nm 半 Δθ ±6 deg. 光 感 値 C-E saturation voltage 度 Spectral sensitivity 角 Half angle tf V ＊2. 色温度＝2856K標準タングステン電球 Color temp. = 2856K standard Tungsten lamp 本資料に記載しております内容は、技術の改良、進歩等によって予告なしに変更されることがあります。ご使用に際には、仕様書をご用命のうえ、 内容確認をお願い致します。 フォトトランジスタ Phototransistors ST-1KL3B ■コレクタ電流/ コレクタ・エミッタ間電圧特性 I C /V CE 10 EV=400lx （mA） ■コレクタ電流/照度特性 I C /E V ■暗電流/周囲温度特性 I CEO /Ta （nA） 103 （mA） VCE=3V Ta=25℃ Ta=25℃ VCE=10V 101 8 102 EV=200lx 4 EV=100lx Dark current 6 暗電流 ICEO コレクタ電流 IC Collector current Collector current コレクタ電流 IC EV=300lx 100 101 10−1 100 2 0 0 2 4 6 8 10（V） 10−2 0 10 101 102 コレクタ・エミッタ間電圧 VCE 103 （lx） 10−1 0 20 Collector - Emitter voltage ■分光感度特性 ■応答時間/負荷抵抗特性 tr,tf/R L ※1 ■指向特性 VCC=5V IC=1mA Ta=25℃ Ta=25℃ 103 100 100 （℃） 0 0 0 − ＋ 60 40 40 50 0 応答時間 tr,tf Swithing time Ta=25℃ −2 −6 60 ＋80 102 tr td 20 0 400 500 600 700 800 900 1000 （nm） 100 2 10 103 104 105 ■許容コレクタ損失/周囲温度 P C /Ta （mW） ※1 応答時間測定条件 VCC 160 IFP VOUT IC RL 120 80 INPUT 40 OUTPUT 90% 10% tr 0 30 60 90 周囲温度 Ta Ambient temperature 120 150 （℃） 50 100 負荷抵抗 RL Load resistance 波長 λ Wavelength 0 ＋100 tf 101 tf （Ω） 相対感度（%） Relative sensitivity −100 40 −80 相対感度 S Relative sensitivity 80 角度（deg.） Angle ＋2 ＋ 80 60 周囲温度 Ta Ambient temperature （μsec.） （%） 許容コレクタ損失 PC Collector power dissipation 40 照度 Ev Illuminance 50 100 No. DEVICE 항목 LIMIT COND. 94 ST-1KA/1MLA BVceo BVeco Iceo Icel 1mA 50μA 10V 200Lux, 10V 95 ST-1KB BVceo BVeco Iceo Icel 96 ST-1KL3A BVceo BVeco Iceo Icel 97 ST-1KL3B BVceo BVeco BVcbo Iceo Icel 40.0V↑ 4.0V↑ 200nA↓ A:0.6∼1.3 B:1.1∼2.2 C:1.8∼3.1 D:2.5mA↑ 40.0V↑ 4.0V↑ 200nA↓ A:0.5∼1.3 B:1.1∼2.2 C:1.8∼3.1 D:2.5∼5.0mA↑ 40.0V↑ 6.0V↑ 200nA↓ A1:1.8∼3.5 B1:2.9∼5.3 C1:4.3∼6.6 D1:5.4∼8.8 E1:7.2∼13.0 F1:11.0mA↑ 40.0V↑ 6.0V↑ 55.0V↑ 200nA↓ A:1.8∼3.5 B:2.9∼5.3 C:4.3∼6.6 D:5.4∼8.8 E:7.2∼13.0 F:11.0mA↑ 40.0↑ 4.0V↑ 200nA A1:1.8∼4.0 B1:3.2∼4.4 C1:3.6∼5.3 D1:4.3∼6.6 E1:5.4∼7.5 F1:6.1mA↑ 98 ST-1KLA(KST-1KLA BVceo BVeco Iceo Icel Distributed by Conrad Electronics SE 1mA 50μA 10V 200Lux, 10V 1mA 50μA 10V 200Lux, 10V 1mA 50μA 50μA 10V 200Lux, 10V 1mA 50μA 10V 200Lux 10V
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