一般小信号増幅用複合トランジスタ

EMX4 / UMX4N / IMX4
トランジスタ
一般小信号増幅用複合トランジスタ
EMX4 / UMX4N / IMX4
!外形寸法図 (Units : mm)
(3)
0.22
(4)
(5)
(6)
(2)
1.2
1.6
0.5 0.5
1.0
1.6
EMX4
(1)
0.5
0.13
!特長
1) EMT、UMT、SMT パッケージに 2SC3837K を 2 個内蔵して
いる。
2) fT が高い。
（fT=1.5GHz）
3) コレクタ出力容量が小さい。
（Cob=0.95pF）
!内部等価回路図
(2)
(1)
(4)
(5)
(6)
(1)
0.65
(3)
1.25
0.65
(2)
(2)
(3)
(1)
(6)
(5)
(5)
(6)
(4)
0.2
(4)
UMX4N
1.3
(3)
各端子とも同寸法
ROHM : EMT6
IMX4
2.0
EMX4 / UMX4N
50
mA
コレクタ電流
コレクタ損失
IC
EMX4 / UMX4N
IMX4
接合部温度
Pc
300(TOTAL)
mW
Tj
150
°C
Tstg
−55~+150
°C
∗1
∗2
IMX4
(4)
保存温度範囲
150(TOTAL)
各端子とも同寸法
ROHM : UMT6
EIAJ : SC-88
∗1 1素子当たり120mWを超えないこと。
∗2 1素子当たり200mWを超えないこと。
0.95 0.95
1.9
2.9
V
(1)
V
3
(2)
18
VEBO
(3)
VCEO
エミッタ・ベース間電圧
0~0.1
コレクタ・エミッタ間電圧
0.1Min.
(6)
V
(5)
Unit
30
0.7
0.15
Limits
VCBO
Parameter
0.3
Symbol
コレクタ・ベース間電圧
0.9
2.1
!絶対最大定格 (Ta=25°C)
1.6
0.3Min.
Type
EMX4
UMX4N
IMX4
パッケージ名
EMT6
UMT6
SMT6
標印
包装記号
X4
T2R
X4
TR
X4
T108
基本発注単位
8000
3000
3000
ROHM : SMT6
EIAJ : SC-74
1.1
0~0.1
!パッケージ、標印及び包装仕様
0.8
0.15
2.8
各端子とも同寸法
EMX4 / UMX4N / IMX4
トランジスタ
!電気的特性 (Ta=25°C)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
コレクタ・ベース降伏電圧
BVCBO
30
−
−
V
IC=10µA
Conditions
コレクタ・エミッタ降伏電圧
BVCEO
18
−
−
V
IC=1mA
エミッタ・ベース降伏電圧
コレクタしゃ断電流
BVEBO
ICBO
3
−
−
−
−
0.5
V
µA
IE=10µA
VCB=10V
VEB=2V
エミッタしゃ断電流
IEBO
−
−
0.5
µA
直流電流増幅率
hFE
27
−
270
−
VCE/IC=10V/10mA
VCE(sat)
hFE1 / hFE2
−
−
0.5
0.5
1
2
V
−
VCE/IC=10V/10mA
600
−
1500
−
MHz
0.95
1.6
pF
コレクタ・エミッタ飽和電圧
hFEペア性
利得帯域幅積
コレクタ出力容量
∗は構成トランジスタの特性です。
fT
Cob
IC/IB=20mA/4mA
VCE/IC=10V/10mA, f=200MHz
VCB/f=10V/1MHz, IE=0A
∗

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