2SB631, 631K 2SD600, 600K

注文コード No. N 3 4 6 G
2SB631, 631K / 2SD600, 600K
N346G
41400
半導体ニューズ No.346E（’
91 大信号トランジスタ D.B.Vol.1 No.346F）とさしかえてください。
2SB631, 631K
2SD600, 600K
特長
PNP / NPN エピタキシァルプレーナ形シリコントランジスタ
100V / 120V, 1A 低周波電力増幅用
・高耐圧 VCEO 100 / 120V, 大電流 1A。
・飽和電圧が小さく hFE のリニアリティが良い。
（）内は 2SB631, 631K の場合を示す。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
コレクタ・ベース電圧
VCBO
コレクタ・エミッタ電圧
エミッタ・ベース電圧
VCEO
VEBO
コレクタ電流
コレクタ電流（パルス）
IC
ICP
コレクタ損失
PC
2SB631, D600
(−)100
2SB631K, D600K
(−)120
(−)100
(−)120
(−)5
V
V
(−)1
(−)2
A
A
1
8
W
W
150
− 55 ∼＋ 150
℃
℃
Tc=25℃
接合部温度
保存周囲温度
Tj
Tstg
unit
V
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
min
typ
max
unit
コレクタ・ベース降伏電圧
V(BR)CBO IC=(−)10µA, IE=0
B631, D600 (−)100
B631K, D600K (−)120
V
V
コレクタ・エミッタ降伏電圧
V(BR)CEO IC=(−)1mA, RBE=∞ B631, D600 (−)100
B631K, D600K (−)120
V
V
エミッタ・ベース降伏電圧
コレクタしゃ断電流
V(BR)EBO IE=(−)10µA, IC=0
ICBO
VCB=(−)50V, IE=0
IEBO
VEB=(−)4V, IC=0
エミッタしゃ断電流
(−)5
(−)1
V
µA
(−)1
µA
次ページへ続く。
外形図 2009B
(unit : mm)
8.0
2.7
1.5
7.0
3.0
11.0
4.0
1
2
3
1.2
15.5
3.0
1.6
0.8
0.8
0.6
0.5
1 : Emitter
2 : Collector
3 : Base
2.4
4.8
SANYO : TO-126
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
13195 MH 外変 , 一部追 / 2047 YO 社変 / D111 YO / 5009 YO 外変 / 4288 YO 特追 / 5107 YO / 1277 YO 8-2338 / 9286 YO No.346-1/4
41400 GI IM / 9016 YO
2SB631, 631K / 2SD600, 600K
前ページより続く。
min
直流電流増幅率
typ
60 ※
20
max
unit
VCE=(−)5V, IC=(−)50mA
VCE=(−)5V, IC=(−)500mA
利得帯域幅積
出力容量
hFE(1)
hFE(2)
fT
Cob
320 ※
VCE=(−)10V, IC=(−)50mA
VCB=(−)10V, f=1MHz
(110)130
(30)20
コレクタ・エミッタ飽和電圧
ベース・エミッタ飽和電圧
VCE(sat)
VBE(sat)
IC=(−)500mA, IB=(−)50mA
IC=(−)500mA, IB=(−)50mA
(−)0.15
(−)0.85
下降時間
ターンオフ時間
tf
toff
指定回路において
″
(80)100
(100)500
ns
ns
蓄積時間
tstg
″
(600)700
ns
MHz
pF
(−)0.4
(−)1.2
V
V
※ 2SB631 / 2SD600 は 50mA hFE により次のように分類している。
60 D 120
100 E 200
160 F 320
スイッチングタイム測定回路図
IB1
(PNPの場合極性逆)
1Ω
IB2
100Ω
24Ω
PW=20µs
VCE=12V
IC=10IB1= --10IB2=500mA
--2V
1µF
1µF
+12V
IC -- VCE
--1.6
IC -- VCE
1.6
2SB631, 631K
Tc=25°C
--1.4
2SD600, 600K
Tc=25°C
1.4
--15mA
--0.8
--12mA
--10mA
--8mA
--0.6
--6mA
--1.0
--4mA
--0.4
--1
--2
--3
--4
--5
コレクタ・エミッタ電圧, VCE -- V
4mA
10mA
8mA
0.4
IB=0
0
1
2
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
3
4
5
6
コレクタ・エミッタ電圧, VCE -- V
ITR08277
IC -- VBE
2SD600, 600K
VCE=5V
1.2
コレクタ電流, IC -- A
コレクタ電流, IC -- A
0.6
1.4
--1.0
0
6mA
ITR08276
2SB631, 631K
VCE= --5V
--1.2
0.8
0
--6
IC -- VBE
--1.4
1.0
0.2
IB=0
0
20mA
15mA
12mA
1.2
2mA
--2mA
--0.2
0
コレクタ電流, IC -- A
コレクタ電流, IC -- A
A
--20m
--1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
ベース・エミッタ電圧, VBE -- V
--1.2
ITR08278
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
ベース・エミッタ電圧, VBE -- V
1.2
ITR08279
No.346-2/4
2SB631, 631K / 2SD600, 600K
Cob -- VCB
2
Cob -- VCB
2
2SD600, 600K
f=1MHz
2SB631, 631K
f=1MHz
100
出力容量, Cob -- pF
7
5
3
2
5
3
2
10
10
7
7
5
5
5
7
2
--1.0
3
5
7
2
--10
3
コレクタ・ベース電圧, VCB -- V
5
5
7 --100
ITR08280
7
2
1.0
7
2
10
3
5
7 100
ITR08281
hFE -- IC
2SD600, 600K
VCE=5V
3
2
直流電流増幅率, hFE
2
100
7
5
3
2
100
7
5
3
2
10
10
7
5
--1.0
2 3
5
2
--10
3
5
--100 2 3
7
5
1.0
5 --1000 2 3 5
ITR08282
2 3
5
コレクタ電流, IC -- mA
VCE(sat) -- IC
--1.0
2SB631, 631K
IC / IB=10
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
--0.01
--1.0
2
3
5
2
--10
3
5
--100
2
3
コレクタ電流, IC -- mA
5 --1000 2 3
ITR08284
10
0×
50×
1.5
4
3.9
mm
50×
1.5m
3
m3
2
3
AI
AI
7
5
0
0
2025
40
60
80
100
ケース温度, Tc -- °C
120
140
160
ITR08286
5
3
2
0.1
7
5
3
2
0.01
7
5
1.0
2
3
5
2
10
3
5
100
2
3
5
1000 2 3
ITR08285
ASO
2SB631, K / 2SD600, K
1.0
5
DC
3
2
op
er
0.1
ati
on
5
3
2
0.01
1
3
ms
10
0×
5
2
ITR08283
s
1m
10
1000
2SD600, 600K
IC / IB=10
s
0m
1s
6
5.7
5
VCE(sat) -- IC
1.0
10
7
2 3
100
3
2
コレクタ電流, IC -- A
8
5
5
2SB631, K / 2SD600, K
マイカ(IS -- 126)
シリコングリス付き
9
3
コレクタ電流, IC -- mA
PC -- Tc
10
2
10
コレクタ電流, IC -- mA
コレクタ・エミッタ飽和電圧, VCE(sat) -- V
コレクタ・エミッタ飽和電圧, VCE(sat) -- V
5
5
2SB631, 631K
VCE=--5V
3
コレクタ損失, PC -- W
3
コレクタ・ベース電圧, VCB -- V
hFE -- IC
5
直流電流増幅率, hFE
7
2SB631K
2SD600K
出力容量, Cob -- pF
100
Ta=25°C, 1パルス
(PNPの場合負号省略)
5
1.0
2
3
5
7
10
2SB631
2SD600
2
3
5
7 100120 2
3
ITR08287
コレクタ・エミッタ電圧, VCE -- V
No.346-3/4
2SB631, 631K / 2SD600, 600K
PC -- Ta
1.2
コレクタ損失, PC -- W
1.0
0.8
放
熱
板
な
0.6
し
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
100
周囲温度, Ta -- °C
120
140
160
ITR08288
PS No.346-4/4

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