2SA1931

2SA1931
東芝トランジスタシリコンPNPエピタキシャル形 (PCT方式)
2SA1931
○ 大電流スイッチング用
•
単位: mm
コレクタ飽和電圧が低い。: VCE (sat) = −0.4 V (最大)
•
スイッチング時間が速い。: tstg = 1.0 μs (標準)
•
2SC4881 とコンプリメンタリになります。
絶対最大定格 (Ta = 25°C)
項
目
記
号
定
格
単位
コレクタ · ベース間電圧
VCBO
−60
V
コレクタ · エミッタ間電圧
VCEO
−50
V
エミッタ · ベース間電圧
VEBO
−7
V
流
IC
−5
A
流
IB
−1
A
コ
ベ
レ
ク
ー
タ
電
ス
電
Ta = 25°C
コレクタ損失
Tc = 25°C
PC
2.0
25
W
接
合
温
度
Tj
150
°C
JEDEC
保
存
温
度
Tstg
−55~150
°C
JEITA
注:
―
SC-67
東芝
2-10R1A
本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内で
の使用においても、高負荷 (高温および大電流/高電圧印加、多大な
質量: 1.7 g (標準)
温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下す
るおそれがあります。
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) およ
び個別信頼性情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設計をお願いします。
1
2006-11-07
2SA1931
電気的特性 (Ta = 25°C)
項
目
記
号
測定条件
最小
標準
最大
単位
コ
レ
ク
タ
し
ゃ
断
電流
ICBO
VCB = −50 V, IE = 0
―
―
−1
μA
エ
ミ
ッ
タ
し
ゃ
断
電流
IEBO
VEB = −7 V, IC = 0
―
―
−1
μA
V (BR) CEO
IC = −10 mA, IB = 0
−50
―
―
V
hFE (1)
VCE = −1 V, IC = −1 A
100
―
300
hFE (2)
VCE = −1 V, IC = −3 A
60
―
―
コレクタ·エミッタ間飽和電圧
VCE (sat)
IC = −2 A, IB = − 0.2 A
―
−0.2
−0.4
V
ベース·エミッタ間飽和電圧
VBE (sat)
IC = −2 A, IB = −0.2 A
―
−0.9
−1.5
V
トランジション周波数
fT
VCE = −1 V, IC = −1 A
―
60
―
MHz
VCB= −10 V, IE = 0, f = 1 MHz
―
100
―
pF
―
0.1
―
―
1.0
―
―
0.1
―
直
コ
流
レ
電
ク
流
タ
増
幅
率
量
Cob
ターンオン時間
ton
出
力
容
20 μs
入力
スイッチング時間蓄
下
積
降
時
時
間
間
IB1
IB2
tstg
tf
IB2
IB1
出力
10 Ω
コレクタ·エミッタ間降伏電圧
μs
VCC = −30 V
−IB1 = IB2 = 0.15 A,
繰り返し周期 ≤ 1%
現品表示
A1931
製品名 (または略号)
ロット No.
外装鉛フリー
識別マーク
(なし: 鉛含有
あり: 鉛フリー)
2
2006-11-07
2SA1931
IC – VCE
IC – VBE
−10
−8
−100
エミッタ接地
VCE = −1 V
(A)
−8
−6
IC
−60
−50
−40
コレクタ電流
(A)
IC
コレクタ電流
エミッタ接地
−90
−80
−70
Tc = 25°C
−30
−4
−20
−2
−6
−4
Tc = 100°C
25
−2
−25
IB = −10 mA
0
0
−2
−4
−6
コレクタ·エミッタ間電圧
−8
0
0
−10
−0.4
VCE (V)
−0.8
−1.2
−1.6
VBE (V)
ベース·エミッタ間電圧
hFE – IC
−2.0
VCE (sat) – IC
−10
25
−25
100
50
30
エミッタ接地
VCE = −1 V
10
−0.03
エミッタ接地
−5
Tc = 100°C
300
−0.1
−0.3
コレクタ電流
−1
IC
−3
−10
コレクタ·エミッタ間飽和電圧
VCE (sat) (V)
直流電流増幅率
hFE
500
IC/IB = 20
−3
−1
−0.5
−0.3
−0.1
Tc = 100°C
−0.05
−0.03
25
(A)
−25
−0.01
−0.01
−0.03
−0.1
−0.3
コレクタ電流
−1
IC
−3
−10
(A)
安全動作領域
−10
VBE (sat) – IC
−5
(A)
IC
−3
−1
−0.5
コレクタ電流
ベース·エミッタ間飽和電圧
VBE (sat) (V)
−5
−25
Tc = 100°C
25
−0.3
−0.1
−0.03
エミッタ接地
IC/IB = 20
−0.1
−3
コレクタ電流
−1
IC
−3
−5
(A)
10 ms*
−1
直流動作
Tc = 25°C
−0.5
−0.3
*: 単発パルス Tc = 25°C
−0.1 安全動作領域は温度によってディ
レーティングして考える必要があり
ます。
−0.03
−0.1
−0.3
−10
1 ms*
100 ms*
−0.05
−0.3 −0.5
IC max (パルス)*
IC max (連続)
VCEO max
−1
−3
−10
コレクタ·エミッタ間電圧
3
−30
−100
VCE (V)
2006-11-07
2SA1931
当社半導体製品取り扱い上のお願い
20070701-JA
• 当社は品質，信頼性の向上に努めておりますが，一般に半導体製品は誤作動したり故障することがあります。当
社半導体製品をご使用いただく場合は，半導体製品の誤作動や故障により，生命・身体・財産が侵害されること
のないように，購入者側の責任において，機器の安全設計を行うことをお願いします。
なお，設計に際しては，最新の製品仕様をご確認の上，製品保証範囲内でご使用いただくと共に，考慮されるべ
き注意事項や条件について「東芝半導体製品の取り扱い上のご注意とお願い」，「半導体信頼性ハンドブック」な
どでご確認ください。
• 本資料に掲載されている製品は，一般的電子機器（コンピュータ，パーソナル機器，事務機器，計測機器，産業
用ロボット，家電機器など）に使用されることを意図しています。特別に高い品質・信頼性が要求され，その故
障や誤作動が直接人命を脅かしたり人体に危害を及ぼす恐れのある機器（原子力制御機器，航空宇宙機器，輸送
機器，交通信号機器，燃焼制御，医療機器，各種安全装置など）にこれらの製品を使用すること（以下“特定用
途”という）は意図もされていませんし，また保証もされていません。本資料に掲載されている製品を当該特定用
途に使用することは，お客様の責任でなされることとなります。
• 本資料に掲載されている製品を，国内外の法令，規則及び命令により製造，使用，販売を禁止されている応用製
品に使用することはできません。
• 本資料に掲載してある技術情報は，製品の代表的動作・応用を説明するためのもので，その使用に際して当社及
び第三者の知的財産権その他の権利に対する保証または実施権の許諾を行うものではありません。
• 本資料に掲載されている製品の RoHS 適合性など、詳細につきましては製品個別に必ず弊社営業窓口までお問合
せください。本資料に掲載されている製品のご使用に際しては、特定の物質の含有･使用を規制する RoHS 指令な
どの法令を十分調査の上、かかる法令に適合するようご使用ください。お客様が適用される法令を遵守しないこ
とにより生じた損害に関して、当社は一切の責任を負いかねます。
• 本資料の掲載内容は，技術の進歩などにより予告なしに変更されることがあります。
4
2006-11-07

Download Report