M54580P/FP - 三菱電機

三菱半導体〈トランジスタアレイ〉
M54580P/FP
7-UNIT 150mA SOURCE TYPE DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY
概要
M54580P/FPは、PNPトランジスタとNPNトランジスタで構
成された、7回路の出力ソース形ダーリントントランジスタア
レイであり、微小入力電流で大電流駆動のできる半導体集積回
路です。
ピン接続図（上面図）







入力 







特長
● 高耐圧（BVCEO ≧ 50V）
● ソース電流（I O
（max）＝ −150mA）
● アクティブ“L”レベル入力
● 入力ダイオード付き
IN1→ 1
16 →O1 
IN2→ 2
15 →O2 

IN3→ 3
14 →O3 
IN4→ 4
13 →O4  出力
IN5→ 5
12 →O5 
IN6→ 6
11 →O6 
IN7→ 7
10 →O7 
GND







8
9
VS
16P4(P)
外形 16P2N-A(FP)
回路図（各回路）
用途
各種リレー及びプリンターのドライブ、LED・蛍光表示管及び
ランプなど表示用素子のドライブ、MOS-バイポーラの各ロ
ジック系とリレー、ソレノイド及び小形プリンタなどのインタ
フェースなど
VS
入力IN
7K
30K
7K
出力OUT
50K
GND
VS,GNDは7回路共通です。
機能概要
PNPトランジスタとNPNトランジスタで構成される、出力電
流ソース形のダーリントントランジスタが、7回路内蔵されて
います。PNPトランジスタのベースと入力端子間にダイオード
と抵抗7kΩが、そのエミッタ及びNPNトランジスタのコレクタ
はVS（9ピン）にまた各出力端子とGND端子（8ピン）間に抵
抗50kΩが接続されています。
出力電流は最大150mA流し出すことができ、供給電圧VSは最
大50Vまで印加できます。
また、M54580FPは外形が小形モールドフラットパッケージと
なっておりスペースを小さくできます。
破線で示すダイオードは寄生ダイオードであり使用しないでく
ださい。
単位:Ω
絶対最大定格（指定のない場合は、Ta = −20∼＋75℃）
記号
VCEO
VS
VI
IO
Pd
Topr
Tstg
項目
コレクタ・エミッタ間電圧
供給電圧
入力電圧
出力電流
消費電力
動作周囲温度
保存温度
条件
出力が“L”のとき
出力が“H”のとき，1回路当りの電流
Ta = 25°C，基板実装時
定格値
–0.5 ~ +50
50
–0.5 ~ VS
–150
1.47(P)/1.00(FP)
–20 ~ +75
–55 ~ +125
単位
V
V
V
mA
W
°C
°C
三菱半導体〈トランジスタアレイ〉
M54580P/FP
7-UNIT 150mA SOURCE TYPE DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY
推奨動作条件（指定のない場合は、Ta = −20∼＋75℃）
VS
規格値
項目
記号
供給電圧
Duty Cycle
IO
VIH
VIL
出力電流
（7回路同時動作時の
1回路当りの電流）
P : 85%以下/FP : 50%以下
Duty Cycle
P : 100%以下/FP : 100%以下
“H”入力電圧
“L”入力電圧
最小
標準
最大
4
—
50
0
—
–100
0
—
–50
VS–0.4
—
VS
0
—
VS–3.2
単位
V
mA
V
V
電気的特性（指定のない場合は、Ta = −20∼＋75℃）
記号
項目
V (BR) CEO
コレクタ・エミッタ間降伏電圧
規格値
測定条件
VCE (sat)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
II
入力電流
IR
hFE
入力逆電流
直流電流増幅率
最小
50
ICEO = 100µA
VI = VS–3.2V, IO = –100mA
標準+
—
最大
—
—
0.9
1.5
VI = VS–3.2V, IO = –50mA
VI = VS–3.5V
—
—
0.8
–0.35
1.2
–0.6
VI = VS–6V
VI = 40V
—
–0.65
–0.95
VCE = 4V, VS = 10V, IC = –100mA, Ta = 25°C
—
—
800
3000
100
—
単位
V
V
mA
µA
—
+：標準値はTa = 25℃の値であり、これを保証するものではありません。
スイッチング特性（指定のない場合は、Ta = 25℃）
記号
ton
toff
項目
規格値
測定条件
ターンオン時間
ターンオフ時間
CL = 15pF（注1）
最小
—
標準
200
最大
—
—
7500
—
タイミング図
注1．測定回路
入力
VS
入力
50%
被測定素子
50%
出力
PG
50Ω
RL
CL
50%
50%
出力
ton
(1)パルス発生器(PG)の特性 : PRR = 1kHz,
tw = 10µs, tr = 6ns, tf = 6ns, ZO = 50Ω
VI = 0.8∼4V
(2)入出力条件 : RL = 40Ω, VS = 4V
(3)静電容量CLは、結線の浮遊容量及びプロ
ーブの入力容量を含みます。
2
toff
単位
ns
ns
三菱半導体〈トランジスタアレイ〉
M54580P/FP
7-UNIT 150mA SOURCE TYPE DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY
標準特性
出力飽和電圧ー出力電流特性
熱低減率特性
2.0
–200
M54580P
1.5
出力電流 IO (mA)
許容消費電力 Pd (W)
VS = 10V
VI = 6.8V
M54580FP
1.0
0.5
–150
–100
Ta = 75°C
Ta = 25°C
–50
Ta = –20°C
0
0
25
50
75
0
100
2.0
デューティーサイクル−出力電流特性
(M54580P)
–200
①∼⑤
⑥
⑦
–120
–80
–160
出力電流 IO (mA)
出力電流 IO (mA)
1.5
デューティーサイクル−出力電流特性
(M54580P)
•出力電流は1回路
当りの電流です。
•繰返し周波数 ≧ 10Hz
• ⃝ 内の数字は同時動作回路数を示す。
•Ta = 25°C
–40
0
20
40
60
80
①∼③
④
–120
⑤
⑥
⑦
–80
•出力電流は1回路
当りの電流です。
•繰返し周波数 ≧ 10Hz
• ⃝ 内の数字は同時動作回路数を示す。
•Ta = 75°C
–40
0
100
0
20
40
60
80
100
デューティーサイクル (％)
デューティーサイクル (％)
デューティーサイクル−出力電流特性
(M54580FP)
デューティーサイクル−出力電流特性
(M54580FP)
–200
–200
①∼③
④
⑤
⑥
⑦
–120
–80
•出力電流は1回路
当りの電流です。
•繰返し周波数≧10Hz
• ⃝ 内の数字は同時動作回路数を示す。
•Ta = 25°C
–40
0
20
40
60
80
デューティーサイクル (％)
–160
出力電流 IO (mA)
–160
出力電流 IO (mA)
1.0
出力飽和電圧 VCE (sat) (V)
–160
0
0.5
周囲温度 Ta (°C)
–200
0
0
①∼②
–120
③
–80
④
⑤
⑥
⑦
•出力電流は1回路
当りの電流です。
•繰返し周波数 ≧ 10Hz
• ⃝ 内の数字は同時動作回路数を示す。
•Ta = 75°C
–40
100
0
0
20
40
60
80
100
デューティーサイクル (％)
3
三菱半導体〈トランジスタアレイ〉
M54580P/FP
7-UNIT 150mA SOURCE TYPE DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY
エミッタ接地伝達特性
直流電流増幅率—出力電流特性
104
–200
7
–150
–100
VS = 10V
VCE = 4V
Ta = 75°C
Ta = 25°C
5
直流電流増幅率 hFE
出力電流 IO (mA)
VS = 10V
VCE = 4V
Ta = 75°C
Ta = 25°C
Ta = –20°C
–50
3
Ta = –20°C
2
103
7
5
3
2
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
供給電圧—入力電圧 VS–VI (V)
入力特性
VS = 20V
入力電流 II (mA)
–4
Ta = –20°C
Ta = 25°C
–2
–1
0
Ta = 75°C
0
5
10
15
供給電圧—入力電圧 VS–VI (V)
4
2
3
5 7 102
2
3
出力電流 IO (mA)
–5
–3
102 1
10
20
5 7 103
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