電子回路Ⅰ 第4回(2007/11/5) 理想電源 トランジスタの等価回路 今日の内容 インピーダンス整合 電圧源、電流源 理想電源 バイポーラトランジスタのT型等価回路 hパラメータ hパラメータによる等価回路 電源をショートするとどうなる? 電源の内部抵抗 V0:1-1’を開放したときの電圧 r :1-1’を短絡したときに流 れる電流を決める V0 r I r 1 V0 1’ インピーダンス整合 電源から最大の電力 を引き出すには? PL RL I 2 Vo I より r RL RL 2 PL V 2 o r RL 電力が最大となる条件 PL RL 2 V を RLで微分 2 0 r RL dPL r RL 2 RL r RL 2 V0 4 dRL r RL 2 r RL 2 RL 2 V0 3 r RL r RL 2 V r RL 3 0 2 V0 dPL 0のとき(極大)RL r、 PL dRL 4r 電圧源と電流源 r 1 同じ(等価) + V0 rr - 1’ I0 I0 r V0 r 1-1’を開放したときの電圧:I0rV0 1-1’を短絡したときの電流:I0 理想電源 2 V0 PL 4r r=0のとき、取り出せる電力は無限大 r 1 1 + V0 r=0 - 1’ I0 r r=∞ 1’ バイポーラトランジスタの等価回路 ダイオードの等価回路(状況設定) 外部電源 V0 VDQ RIDQ 外部抵抗 ダイオードの交流等価回路 1 V0にΔV0を重畳させる V0 V0 VDQ VD RI DQ I D VDQ RI DQ VDQ RI D より V0 VD RI D ダイオードの交流等価回路 2 V0 VD RI D VD I D RI D I D rD I D RI D 電流変化による外部抵抗での電圧降下 の変化 電流変化によるダイオード での電圧降下の変化 ダイオードの 抵抗 rD(=ΔVD/ΔID)について VD VD rD I D I D I D I 0 expqVD / kT 1より VD kT 1 rD 26mV / I D I D q ID 順方向に電流を流しても、抵抗が生じる 電流、電圧の記号 大文字のとき(V,I) 時間的に変化しない(直流、バイアス) 値を意味する 小文字のとき(v,i) 時間的に変化する(交流信号)値を意 味する ベース接地トランジスタの交流等価回路 (T形) ic ie 逆バイアス 空乏層が広がる 電位 ie (ib ic ) 順バイアス re:ダイオードの順方向バイアス時の抵 抗 (rD) rb:ベースのキャリア密度が低いことに よる抵抗 rc:ベース-コレクタ間を逆バイアスす ることによって空乏層が広がるため に発生する抵抗 エミッタ接地トランジスタの交流等価回路 (T形) ベース接地T形等価回路のEとBを入れ替えるだけ でも、入力がibなので、出力(Cの電流源)はibで表したい ieからibへの変換 (a) ieからibへ (b) (c) 電圧源で表す 電流源で表す ie (ib ic ) vB 'C rc ib ic rcic 1 rcic rcib 抵抗 電圧 rcib 電流源: ib ib 1 rc 1 1 rc 抵抗: エミッタ接地トランジスタの交流等価回路 (T形、最終版) h(hybrid)パラメータ veb hibie hr b vcb ic h fbie hob vcb vbe hieib hr e vce ic h feib hoe vce h(hybrid)パラメータの単位 hie , hr e , h fe , hoeの単位(次元)はそれ ぞれ どのようになるか考えなさい。 hパラメータによる等価回路 vbe hieib hr e vce ic h feib hoe vce Hパラメータの値を考える vbe hieib hr e vce ic h feib hoe vce hie re hre 0 h fe hoe h fe vce vbe vcb hパラメータによる等価回路 (簡略化) vbe hieib hr e vce ic h feib hoe vce hie re hre 0 h fe hoe h fe
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