2. ダイオードとトランジスタ

2. ダイオードとトランジスタ
練習問題1

次の文章の
の中に適する言葉を入れ、
文章を完成しなさい。
(1)
PN接合の接合部では、電子とホールとの結合に
より、キャリアの存在しない領域が出来る。この
領域を(ア) 空乏層という。
空乏層が出来ると、その内部には図中の
(イ) A の方向の内部電界を生じ、ある程度以
上に空乏層が広がることを妨げる。
空乏層の幅は、不純物濃度が高いほど狭い
ものになる。
A
B
2
2. ダイオードとトランジスタ
練習問題１（つづき）
（２）PN接合は図aのように電圧を加えると、空乏
層における内部電界が弱められ、電子、ホール
の移動が生じ、電流が流れる。
ここで、このように電圧を加えることを
（ア）順方向電圧を加えるといい、流れる電
流を（イ）順方向電流といいます。
一方、図bのように電圧を加えても電流は流れ
ない。このように、一方向にしか電流を流さない
という働きを、(ウ) 整流作用という。
P
N
P
N
3
2. ダイオードとトランジスタ
練習問題2

次の文章の
の中に適する言葉を入れ、
文章を完成しなさい。
(1) トラジスタには、図のようにNPNの構造を持つものと、
PNPの構造をもつものがあるが、それぞれの２端子
間を見ると、図aは図(ア) c のように、また図bは図
(イ) d のように考えることが出来る。
N
B
P
B
P
N
図a
C
C
C
B
C
B
N
P
E
図b
E
図c
E
図d
E
4
2. ダイオードとトランジスタ
練習問題２（つづき）
(2) したがって、NPNトランジスタを例にすると、図aのように電圧を加
えた時の電圧ｰ電流特性（ VBE  I E 特性）は図bのようになる。しか
し、図cのように、CE間に0.2[V]以上の電圧が加わった場合には、こ
の I E が I B と I C とに分流する。
ここで、 I B と I C との比を(ア) 電流増幅率といい、(イ) hFE と
いう記号を用いて表す。
そして、この値は、ベース領域の幅が狭いほど(ウ) 大きな値とな
る。
IC
IE
N
IB
P
P
N
図a
VBE
N
IE
図b
VBE
0.6[V]
N
図c
IE
5
2. ダイオードとトランジスタ
練習問題3
図aの特性を持ち、 hFE が100の値を持つトランジスタに、
図のように電圧を加えた。
(1) I E はいくらか。
(2) I C , I B はいくらか。
(3) VCE を5Vにすると、 I E , I C , I B はどのようになるか。
IE
3.2
(0.72)
[m A]
図a
図b
2.0
(0.7)
1.0
0.5
(0.67)
(0.65)
0.6[V]
0.7[V]
VCE
10[V]
VBE [V ]
6

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