電磁気学C Electromagnetics C 5/28講義分 電磁波の反射と透過 山田 博仁 電磁波における重要な関係式 真空中の光速度: c 波長: λ 周波数: f 角周波数: ω 周期: T 波数: k 伝搬速度: v f v 2 f T 電場(電界)ベクトル: E インピーダンス: Z E Z (H 1 f k 2 v v 磁場(磁界)ベクトル: H 真空のインピーダンス: Z0 k 1 k ), H ( E ) k Z k 電磁場のエネルギー密度: u Z 1 c 1 0 0 波数ベクトル: k 電界振幅: |E| E H 2.998108 m/s Z0 磁界振幅: |H| 0 377 [] 0 ポインティングベクトル: S 1 1 (E D B H ) ( E 2 H 2 ) (等方性媒質の場合) 2 2 k S EH 1 1 S E H vu u S v u v E02 v H 02 k v v 2 2 u ue u m 電磁場の運動量密度: g g S E H 1 S v2 u vg 正弦波 +x 方向に伝搬する正弦波 2 2 1 x t sin(kx t ) sin( x 2 f t ) sin( x 2 t ) sin 2 ( ) T T 波数 角周波数 位相角 x1 従って、波数と角周波数の比は、 波の伝搬速度 v 0 t=T x=λ t=0 k もし、時間を止めて(t = t1)見てみると、 -x x=0 t1 もし、場所を決めて(x = x1)見てみると、 +x -t 0 +t 参考) 伝送線路上の電圧波の伝搬 x E 入射波 反射波 ZL Vxe j t V0e xe j ( t x) V0e xe j ( t x) -x方向に位相速度ω/βで進む電圧波。 α > 0なら、伝搬に伴い振幅が指数関数的に減衰 +x方向に位相速度ω/βで進む電圧波。 α > 0なら、伝搬に伴い振幅が指数関数的に減衰 ej(ωt±βx) = cos(ωt±βx)+j sin(ωt±βx)は、∓x方向に進む角周波数ω, 位相定数β の正弦波 ここで、 ( v p ) x vp: 位相速度 V0e x は波の振幅を表し、α > 0 (α < 0)なら、xが増大する方向に振幅が増大(減少)する x 因みに、波の包絡線の 形状が伝わる速度を群 速度: vgという d vg d 異なる媒質の界面における境界条件 誘電率 1, 2 の異なる媒質が接している界面 界面には真電荷が面密度 e にて存在 界面での電束密度 D に対して、どのよう な条件が満たされなければならないか? 電場に関するGaussの法則を、界面に 存在する高さが無限小の円柱に適用 5.3 (教科書p.64) の復習 単位法線ベクトル 界面 D n S 界面での 1 真電荷密度 1 e + + + + + + +2 D2 -n div DdV D ndS dS e V S S Gaussの定理 従って、 ( D1 D2 ) n S e S 上式は、任意の面 S に対して成り立つことから、 ( D1 D2 ) n e 表面電荷 e が存在しなければ、 D1 n D2 n 異なる媒質の界面における境界条件 誘電率 1, 2 の異なる媒質が接している界面 界面での電場 E に対して、どのような条 件が満たされなければならないか? Faradayの電磁誘導の法則を、図のように 界面の一部を囲む高さ h が無限小の長 方形 S に適用 B rot E d S S S t dS 界面 l t 1 2 E1 h CE t 2 S t: 単位接線ベクトル ここで、B/t は境界面の近くで有限であるから、S→0の極限で右辺の積分は ゼロになる 従って、Stokesの定理を用いると左辺は、 rot E dS E dr ( E 1 S t E 2 t )l C 従って、 ( E1 t E2 t )l 0 上式は、任意の l の長方形に対して成り立つことから、 E1 t E2 t 異なる媒質の界面における境界条件 9.4 (教科書p.146) の復習 透磁率 1, 2 の異なる媒質が接している界面 界面での磁束密度 B に対して、どのよう な条件が満たされなければならないか? 磁場に関するGaussの法則を、界面に 存在する高さが無限小の円柱に適用 単位法線ベクトル 界面 B n S 1 2 div BdV B ndS 0 V S Gaussの定理 従って、 ( B1 B2 ) n S 0 上式は、任意の面 S に対して成り立つことから、 ( B1 B2 ) n 0 よって、 B1 n B2 n 1 -n B2 異なる媒質の界面における境界条件 透磁率 1, 2 の異なる媒質が接している界面 界面には伝導電流が面密度 ie にて存在 界面 l t 界面での磁場 H に対して、どのような 条件が満たされなければならないか? 1 2 Ampere-Maxwellの方程式を、図のように 界面の一部を囲む高さ h が無限小の長 方形 S に適用 D rot H d S S S t dS S ie dS C H2 t ie: 界面での 伝導電流密度 H1 ie h S t: 単位接線ベクトル ここで、界面に表面電流が存在しない限り、ie も D/t も境界面の近くで有限で あるから、S→0の極限で右辺はゼロになる 従って、Stokesの定理を用いると左辺は、 rot H dS H dr ( H S 従って、 C H1 t H 2 t 1 t H 2 t )l 異なる媒質の界面における境界条件 電束密度の法線成分は連続 電場の接線成分は連続 E1 t E t E t 1 D1 n D2 n 2 1 2 E1 E2 t は界面に平行な 単位接線ベクトル E2 t 1 2 n は界面に垂直な D2 n 単位法線ベクトル 磁場の接線成分は連続 H1 t H 2 t H1 t 表面電流が 存在しない場合 1 2 H1 H2 H2 t D1 表面電荷が 存在しない場合 D1 n D2 磁束密度の法線成分は連続 B1 n B2 n 1 2 B1 B2 n B1 n B2 界面での反射と透過 2種類の媒質が x-y 平面 (z = 0) を 境に接しており、 z > 0 を媒質Ⅰが、 z < 0 を媒質Ⅱが満たしている。平 面電磁波が媒質Ⅰから媒質Ⅱに 入射角 qi で斜め入射し、その一部 が反射角 qr で反射され、またその 一部が透過角 qt で媒質Ⅱ内に透 過する場合を考える。 z Er Hi Ei 媒質Ⅰ 入射波、反射波および透過波の波 媒質Ⅱ 数ベクトルと角周波数をそれぞれ (ki, i), (kr, r) および (kt, t) とし、 電場ベクトルは図の様に x-z 平面 上にあり、磁場は y 成分のみとする。 波の位相は、 入射波 ki r it ki x sin qi ki z cosqi it 反射波 kr r r t kr x sin q r kr z cosq r r t 透過波 kt r t t kt x sin qt kt z cosqt t t qi qr ki kr y Hr x kt qt Et Ht 界面での反射と透過 境界面 (z = 0) 上の全ての点で、任意の時刻に波の位相が等しくなるので、 i r t ki sin qi kr sin qr kt sin qt k v この条件が成立しなければならない の関係より、媒質Ⅰ内で電磁波の速度 v1 は入射波、反射波に共通なので、 r i ならば、 kr ki 従って、 q r qi ki (反射の法則) sin q i kt v1 sin q t ki v2 v1 (Snellの法則) qr 媒質Ⅰ 媒質Ⅱ v1 と v2 は、それぞれ媒質Ⅰ、Ⅱ v2 内を進む電磁波の速度 比誘電率 1 r 2 0 2 r2 11 sin qi v1 n 2 2 2 1 sin qt v2 n1 11 1 r1 0 r1 2 2 qi kr 磁性体でなければ、1 2 0 qt kt n1, n2は各々、媒質Ⅰ, 媒質Ⅱの屈折率 界面での反射と透過 入射波 z Ei ( Eix , 0, Eiz ) (Ei cosqi , 0, Ei sin qi ) E H i (0, H iy , 0) 0, i , 0 Z1 反射波 Er ( Erx , 0, Erz ) (Er cosqr , 0, Er sin qr ) q r qi Er Hi Ei 媒質Ⅰ 媒質Ⅱ E H r (0, H ry , 0) 0, r , 0 Z1 透過波 Et ( Etx , 0, Etz ) (Et cosqt , 0, Et sin qt ) E H t (0, H ty , 0) 0, t , 0 Z2 Z1, Z2は、それぞれ媒質1, 2の電磁インピーダンス qi Hr qr ki kr y x kt qt Ht Et 界面での反射と透過 次に、電磁波の振幅について考えると、界面での電場 E および磁場 H の接線成分 の連続性より、 Eix Erx Etx Hiy H ry Hty 従って、 Ei cosqi Er cosqr Et cosqt Ei Er Et Z1 Z1 Z 2 上式から Et を消去すると、 r Er Z 2 cosqt Z1 cosqi Ei Z1 cosqi Z 2 cosqt Ei cosqi Er cosqi Et cosqt Z 2 Ei Z 2 Er Z1Et ここで、θi = θr の関係を用いている (電界反射係数) 上式から Er を消去すると、 t Et 2Z 2 cosqi Ei Z1 cosq i Z 2 cosq t (電界透過係数) 界面での反射と透過 因みに、磁界に対する反射係数および透過係数を求めてみると、 Er Hr E Z1 r r Ei Hi Ei Z1 Et Ht Z 2 Z1 Et Z1 t H i Ei Z 2 Ei Z 2 Z1 媒質の屈折率 n は、真空中での光の速度 c と媒質中での光の速度 v の比で表され、 c 1 0 0 r 0 r 0 r r v 1 0 0 0 0 n 特に、媒質1と2が非磁性の場合には 1 = 2 = 0 が成り立ち、それぞれの媒質の 屈折率は真空の固有インピーダンス Z0 を用いて、 n1 c r1 v1 0 0 Z 0 1 1 Z1 0 0 Z 0 2 2 Z 2 n2 c r2 v2 t 2n1 cosqi n1 cosqt n2 cosqi 従って、反射係数と透過係数は、 r n1 cosq t n2 cosq i n1 cosq t n2 cosqi と表せる。 界面での反射と透過 垂直入射の場合には、qi = qt = 0 とすることにより反射係数と透過係数は、 r n1 n2 n1 n2 t i 2n1 n1 n2 r n1 n2 入射波のエネルギー流に対する反射波と透過波のエネルギー流の 比をそれぞれ反射率 R および透過率 T という。 t 入射波、反射波、透過波のエネルギー流は、各々に対するポインティングベクトルの 大きさの界面に垂直方向成分であるから、 入射波 反射波 2 E E cosqi 入射エネルギー流 qi qr Ei H i cosqi Ei i cosqi i Z1 Z1 Z1 Si Sr 媒質Ⅰ 反射 Er Er2 媒質Ⅱ Er H r cosq r Er cosq r cosq r St エネルギー流 Z Z 1 1 Z2 2 t E E Et H t cosqt Et t cosqt cosqt Z2 Z2 透過エネルギー流 qt 透過波 界面での反射と透過 従って、反射率 R と透過率 T は、 Er H r cosq r Er2 cosq r / Z1 Er2 Er R Ei H i cosq i Ei2 cosq i / Z1 Ei2 Ei 2 Et H t cosq t Et2 cosq t / Z 2 Z1 cosq t Et T 2 Ei H i cosq i Ei cosq i / Z1 Z 2 cosq i Ei 2 r 2 qi q r Z1 cosq t 2 t Z 2 cosq i T 1 R 屈折率 n1, n2 で表せば、反射率 R と透過率 T は、 2 n1 cosq t n2 cosqi R n1 cosqt n2 cosqi 2 T 4n1n2 cosqi cosqt n1 cosqt n2 cosqi 2 演習: 界面での反射と透過 図に示す様に、2種類の媒質が x-y 平面 (z = 0) を境に接している。今、 Ei 平面電磁波が媒質Ⅰから媒質Ⅱ に入射角 qi で斜め入射する場合 Hi を考える。 入射波、反射波および透過波の波 数ベクトルと角周波数をそれぞれ (ki, i), (kr, r) および (kt, t) とし、 媒質Ⅰ 電場ベクトルは図の様に x-z 平面 上にあり、磁場は y 成分のみとする。 媒質Ⅱ 電場、磁場ベクトルの向きを教科書とは違えております 波の位相は、 入射波 ki r it ki x sin qi ki z cosqi it 反射波 kr r r t kr x sin q r kr z cosq r r t 透過波 z Er qi qr ki kr y Hr x kt qt Et Ht kt r t t kt x sin qt kt z cosqt t t 境界面 (z = 0) 上の全ての点で、任意の時刻に波の位相が等しくなるので、 i r t この条件が成立しなければならない ki sin qi kr sin qr kt sin qt 演習: 界面での反射と透過 入射波 z Ei ( Eix , 0, Eiz ) ( Ei cosqi , 0, Ei sin qi ) E H i (0, H iy , 0) 0, i , 0 Z1 反射波 Er ( Erx , 0, Erz ) (Er cosqr , 0, Er sin qr ) q r qi Ei Hi 媒質Ⅰ 媒質Ⅱ E H r (0, H ry , 0) 0, r , 0 Z1 透過波 Et ( Etx , 0, Etz ) ( Et cosqt , 0, Et sin qt ) E H t (0, H ty , 0) 0, t , 0 Z2 Z1, Z2は、それぞれ媒質1, 2の電磁インピーダンス Er qi Hr qr ki kr y x kt qt Et Ht 演習: 界面での反射と透過 界面での電場 E および磁場 H の接線成分の連続性より、 Eix Erx Etx 従って、 Ei cosqi Er cosqr Et cosqt Hiy H ry Hty 上式から Et を消去すると、 r Ei Er Et Z1 Z1 Z 2 ここで、θi = θr の関係を用いている Er Z1 cosqi Z 2 cosqt Ei Z1 cosqi Z 2 cosqt (電界反射係数) 反射係数や透過係数の値は、電界や 磁界ベクトルの取り方によって異なる 上式から Er を消去すると、 t Z 2 Ei Z 2 Er Z1Et Et 2Z 2 cosqi Ei Z1 cosq i Z 2 cosq t (電界透過係数) 磁界に対する反射係数および透過係数は、 Er Hr Z1 E r r H i Ei Ei Z1 Et Ht Z 2 Z1 Et Z1 t H i Ei Z 2 Ei Z 2 Z1
© Copyright 2024 ExpyDoc