電磁気学C Electromagnetics C 6/1講義分 電磁波の反射と透過 山田 博仁 異なる媒質の界面における境界条件 誘電率 e1, e2 の異なる媒質が接している界面 界面には真電荷が面密度 e にて存在 界面での電束密度 D に対して、どのよう な条件が満たされなければならないか? 電場に関するGaussの法則を、界面に 存在する高さが無限小の円柱に適用 5.3 (教科書p.64) の復習 単位法線ベクトル 界面 D n S 界面での 1 真電荷密度 e1 e + + + + + + e+2 D2 -n divDdV D ndS dS e V S S Gaussの定理 従って、 ( D1 D2 ) n S e S 上式は、任意の面 S に対して成り立つことから、 ( D1 D2 ) n e 表面電荷 e が存在しなければ、 D1 n D2 n 異なる媒質の界面における境界条件 誘電率 e1, e2 の異なる媒質が接している界面 界面での電場 E に対して、どのような条 件が満たされなければならないか? Faradayの電磁誘導の法則を、図のように 界面の一部を囲む高さ h が無限小の長 方形 S に適用 B rot E d S S S t dS 界面 l t e1 e2 E1 h CE t 2 S t: 単位接線ベクトル ここで、B/t は境界面の近くで有限であるから、S→0の極限で右辺の積分は ゼロになる 従って、Stokesの定理を用いると左辺は、 rotE dS E dr ( E t E 1 S 2 t )l C 従って、 ( E1 t E2 t )l 0 上式は、任意の l の長方形に対して成り立つことから、 E1 t E2 t 異なる媒質の界面における境界条件 9.4 (教科書p.146) の復習 透磁率 m1, m2 の異なる媒質が接している界面 単位法線ベクトル 界面 B n S 界面での磁束密度 B に対して、どのよう な条件が満たされなければならないか? 磁場に関するGaussの法則を、界面に 存在する高さが無限小の円柱に適用 m1 m2 divBdV B ndS 0 V S Gaussの定理 従って、 ( B1 B2 ) n S 0 上式は、任意の面 S に対して成りたつことから、 ( B1 B2 ) n 0 よって、 B1 n B2 n 1 -n B2 異なる媒質の界面における境界条件 透磁率 m1, m2 の異なる媒質が接している界面 界面には伝導電流が面密度 ie にて存在 界面 l t 界面での磁場 H に対して、どのような 条件が満たされなければならないか? m1 m2 Ampere-Maxwellの方程式を、図のように 界面の一部を囲む高さ h が無限小の長 方形 S に適用 D rot H d S S S t dS S ie dS C H2 t ie: 界面での 伝導電流密度 H1 ie h S t: 単位接線ベクトル ここで、界面に表面電流が存在しない限り、ie も D/t も境界面の近くで有限で あるから、S→0の極限で右辺はゼロになる 従って、Stokesの定理を用いると左辺は、 rotH dS H dr ( H S 従って、 C H1 t H 2 t 1 t H 2 t )l 異なる媒質の界面における境界条件 電束密度の法線成分は連続 電場の接線成分は連続 E1 t E t E t 1 D1 n D2 n 2 e1 e2 E1 E2 e1 e2 D2 n E2 t 磁場の接線成分は連続 H1 t H 2 t H1 t 表面電流が 存在しない場合 m1 m2 H1 H2 H2 t D1 表面電荷が 存在しない場合 D1 n D2 磁束密度の法線成分は連続 B1 n B2 n m1 m2 B1 B2 n B1 n B2 界面での反射と透過 2種類の媒質が xy 平面 (z = 0) を 境に接しており、 z>0 を媒質Ⅰが、 z<0 を媒質Ⅱが満たしている。平 面電磁波が媒質Ⅰから媒質Ⅱに 入射角 qi で斜め入射し、その一 部が反射角 qr で反射され、また その一部が透過角 qt で媒質Ⅱ 内に透過する場合を考える。 入射波、反射波および透過波の波 数ベクトルと角周波数をそれぞれ (ki, i), (kr, r) および (kt, t) とし、 電場は xy 平面上に、磁場は y 成 分のみとする。 z Er Hi Ei 媒質Ⅰ 媒質Ⅱ 波の位相 入射波 ki r i t ki sin qi x ki cos qi z i t 反射波 kr r r t kr sin qr x kr cosqr z r t 透過波 kt r t t kt sin qt x kt cos qt z t t qi qr ki kr Hr x y kt qt Et Ht 界面での反射と透過 境界面 (z = 0) 上の全ての点で、任意の時刻に波の位相が等しくなるので、 i r t ki sin qi kr sin q r kt sin qt k この条件が成立しなければならない の関係より、媒質Ⅰ内で電磁波の速度 v1 は入射波、反射波に共通なので、 v r i ならば、 kr ki 従って、 q r qi sin q i kt v1 sin q t ki v2 ki (反射の法則) v1 (Snellの法則) v1 と v2 は、それぞれ媒質Ⅰ、Ⅱ 内を進む電磁波の速度 qi qr kr 媒質Ⅰ 媒質Ⅱ v2 qt kt 界面での反射と透過 E と H の接線成分の連続性より、 入射波 q r qi z Ei ( Eix , 0, Eiz ) ( Ei cos qi , 0, Ei sin qi ) E H i (0, H iy , 0) 0, i , 0 Z1 反射波 Er ( Erx , 0, Erz ) ( Er cos q r , 0, Er sin q r ) Er Hi Ei 媒質Ⅰ 媒質Ⅱ E H r (0, H ry , 0) 0, r , 0 Z1 透過波 Et ( Etx , 0, Etz ) ( Et cos qt , 0, Et sin qt ) E H t (0, H ty , 0) 0, t , 0 Z2 Z1, Z2は、それぞれ媒質1, 2の電磁インピーダンス qi qr ki y Hr kr x kt qt Ht Et 界面での反射と透過 次に、電磁波の振幅について考えると、界面での電場 E および磁場 H の接線成分 の連続性より、 Eix Erx Etx H iy H ry H ty 従って、 Ei cos qi Er cos q r Et cos qt E i E r Et Z1 Z1 Z 2 Ei cos qi Er cos qi Et cos qt Z 2 Ei Z 2 Er Z1Et 上式から Et を消去すると、 r Er Z 2 cos q t Z1 cos q i Ei Z1 cos q i Z 2 cos q t (電界反射係数) 上式から Er を消去すると、 t Et 2 Z 2 cos q i Ei Z1 cos q i Z 2 cos q t (電界透過係数) 界面での反射と透過 因みに、磁界に対する反射係数および透過係数を求めてみると、 Er Hr E Z1 r r Ei Hi Ei Z1 Et Ht Z 2 Z1 Et Z1 t E Hi Z 2 Ei Z 2 i Z1 媒質の屈折率 n は、真空中での光の速度 c と媒質中での光の速度 v の比で表され、 ee mm em c 1 e 0 m0 r 0 r 0 e r mr v 1 em e 0 m0 e 0 m0 n 特に、媒質1と2が非磁性の場合には m1 = m2 = m0 が成り立ち、それぞれの媒質の 屈折率は真空の固有インピーダンス Z0 を用いて、 n1 c e r1 v1 m0 e 0 Z 0 m1 e 1 Z1 m0 e 0 Z 0 m2 e 2 Z 2 n2 c er2 v2 t 2n1 cos q i n1 cos q t n2 cos q i 従って、反射係数と透過係数は、 r n1 cos q t n2 cos q i n1 cos q t n2 cos q i と表せる。 界面での反射と透過 垂直入射の場合には、qi = qt = 0 とすることにより反射係数と透過係数は、 r n1 n2 n1 n2 t i 2n1 n1 n2 r n1 入射波のエネルギー流に対する反射波と透過波のエネルギー流の 比をそれぞれ反射率 R および透過率 T という。 n2 t 入射波、反射波、透過波のエネルギー流はそれぞれ、 Ei Ei2 cos q i Ei H i cos q i Ei cos q i Z1 Z1 Er Er2 Er H r cos q r Er cos q r cos q r Z Z 1 1 2 t E E Et H t cos q t Et t cos q t cos q t Z2 Z2 入射波 Z1 反射波 qi qr 媒質Ⅰ 媒質Ⅱ Z2 qt 透過波 界面での反射と透過 従って、反射率 R と透過率 T は、 Er H r cos q r Er2 cos q r / Z1 Er2 Er R Ei H i cos q i Ei2 cos q i / Z1 Ei2 Ei 2 Et H t cos q t Et2 cos q t / Z 2 Z1 cos q t Et T 2 Ei H i cos q i Ei cos q i / Z1 Z 2 cos q i Ei 2 r 2 qi q r Z1 cos q t 2 t Z 2 cos q i T 1 R 屈折率 n1, n2 で表せば、反射率 R と透過率 T は、 2 n1 cos qt n2 cos qi R n1 cosqt n2 cosqi 2 T 4n1n2 cos qi cos qt n1 cos qt n2 cos qi 2 完全導体による電磁波の反射 導電率 = ∞ の完全導体による電磁波の反射 完全導体の中には変動電磁場は全く浸透できないため、表面における電磁波の 境界条件は、 電場の法線成 E t 0 電場 E 導体表面に 分 Et は必ずし 電荷が現れる Bn 0 もゼロではない 場合がある En ≠ 0 完全導体 =∞ E=0 界面での電場の 接線成分 Et はゼロ 磁場の接線成 導体表面に 電流が流れる 分 Ht は必ずし もゼロではない 場合がある Ht ≠ 0 完全導体 変動磁場 B 0 静磁場 B0 0 完全導体 静磁場に対 しては必ずし もゼロでない E=0 磁場の法線成 分 Bn はゼロ Bn = 0 完全導体 変動磁場 静磁場 B0 0 B 0 完全導体による電磁波の反射 z < 0 の領域を固有インピーダンス Z の媒質が占め、x, y (z = 0) 平面を境にして z > 0 の領域の完全導体と接しているとする。さらに、電磁波は x 方向に偏光し た正弦波とし、その角周波数を とする。媒質中 (z < 0) から導体界面に対して 垂直に入射した場合を考え、電場と磁場を入射波と反射波の和として表せば、 Ex Eix Erx Ei 0 cos( kz t ) Er 0 cos( kz t ) 1 H y H iy H ry Ei 0 cos( kz t ) Er 0 cos( kz t ) Z k em は電磁波の波数 x 媒質: Z Eix Hiy 入射波 反射波 0 完全導体中への透過波は存在しないため、導体表面で Hry Erx Ex = 0 であり、 Ei 0 Er 0 0 従って、媒質中の電磁場は、 Ex Ei 0 cos( kz t ) Ei 0 cos( kz t ) 2 Ei 0 sin kz sin t Hy 完全導体 1 Ei 0 cos(kz t ) Ei 0 cos(kz t ) 2 Ei 0 cos kz cos t Z Z z 完全導体による電磁波の反射 反射端(導体表面) l 入射波 反射波 定在波 定在波の腹の位置 定在波の節の位置 出展: http://www8.plala.or.jp/ap2/chishiki/teizaiha.html 電場の節は、kz = np (n は整数)の関係から求められ、 z np l n k 2 (n は整数) となる。同様にして、磁界の節は kz = (n+1/2)p より、 1 l z n 2 2 (n は整数) ベクトル解析の復習 重要なベクトル恒等式 ラプラシアン 2 2 2 2 2 2 x y z rot grad ( ) 0 div rot E ( E ) 0 div grad ( ) 2 (スカラー場 ) ( ) E E (ベクトル場) rot rot E ( E ) ( E ) E ガウスの定理 V n 2 2 2 1 2 □ 2 2 2 2 2 x y z c t 1 2 2 2 c t ストークスの定理 F ndS FdV S ダランベルシアン F dr ( F ) ndS C S F dS S V n F S dS C dr ベクトル解析の復習 演算子∇(ナブラ)とラプラシアンの意味 , , x y z 2 2 2 2 2 2 x y z 勾配(gradient) ( x ) ( x ) ( x ) ( x ) ( x ) ( x ) grad ( x ) ( x ) , , ex ey ez y z x y z x 発散(divergence) div E ( x) E ( x) Ex ( x) E y ( x) Ez ( x) x y z ナブラ∇とE(x)のスカラー積 スカラー積(内積) A B Ax Bx Ay B y Az Bz ベクトル解析の復習 回転(rotation) ex ey ez rot E ( x ) E ( x ) x y z Ex ( x) E y ( x) Ez ( x) E ( x ) E y ( x ) E y ( x ) E x ( x ) E ( x ) E z ( x ) e x x e z z e y z x y z y x ナブラ∇とE(x)のベクトル積 ベクトル積(外積) ex A B Ax Bx ey Ay By ez Az Ay Bz Az B y e x Az Bx Ax Bz e y Ax B y Ay Bx e z Bz
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