Technical-News RAMAN によるシリコンの分析 RAMAN-02 株式会社イオンテクノセンター 電子材料，無機材料の構造物性の評価には光と分子の散乱現象を分析するレーザーラ マン分光分析装置（RAMAN）が用いられています。 ここでは RAMAN（ジョバイボン：Ramanor U-1000）によってシリコン材料を分析 した例を示します。結晶構造によってラマンスペクトルの違いが生じるため単結晶，多結 晶，およびアモルファスを区別することができます。単結晶と多結晶を比較すると多結晶 の方が若干低波数側にピークシフトし強度が下がっています。 またイオン注入によって生じた欠陥をスペクトルのピーク位置，半値幅，強度などを解 析することによって結晶子サイズを評価することができます。 結晶構造の異なるシリコンのラマンスペクトル 単結晶 多結晶 400 420 440 460 480 500 520 540 Raman shift(cm^-1) アモルファス ×10 400 お問合せ窓口 420 440 460 480 500 Raman shift(cm^-1) イオンテクノセンター技術営業部 E-mail：[email protected] 520 540 TEL:072-859-6601 / FAX:072-859-5770 URL：http://www.iontc.co.jp
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