平成26年9月19日版 集積電子回路設計 Part 2:演算増幅器 千葉大学工学部電気電子工学科 橋本研也 演算増幅器(Operational Amplifier) ein K + eout - Ra K=Ra/(Ra+Rb) ein + Rb 非反転増幅回路 G eout eout G 1 (| GK | 1) ein 1 GK K 理想オペアンプとは? •利得G無限大 •入力Z無限大 •出力Z零 オペアンプの 周波数特性 K ein + - G eout J J=1/(1+j/c) eout GJ 1 H (| GJK | 1) ein 1 GJK K -6dB/oct. 0 (GJK) [deg.] 20log|H| [dB] H GJ ピークでの 利得を低減 した分、広 帯域化 - H GJ 1 GJK c log cm 実線: K=0、破線: K0 cm=c(1+GK) K ein + - eout G en:増幅器Gによる 波形歪+雑音 en + eout G 1 ein en 1 GK 1 GK 負帰還による低減 eout GJ H ein 1 GJK J=1/(1+j/c1) (1+j/c2)の時 0 - - -12dB/oct. (GJK) [deg.] 20log|H| [dB] -6dB/oct. c1 c2 log /c2で位相がほぼ-= 正帰還 /c2で|H|が大きいと不安定(発振) 極が3個有れ ば? 演算増幅器の解析法(Imaginary Short) 負帰還で利得が無限 ein 入力端子間の電位差零 + eout - ein/Ra Rb ein/Ra Ra ein eout + Ra Rb Raeout/(Ra+Rb) eout Rb H 1 ein Ra 非反転増幅回路 Rc 0 -Rbein/Ra eout Rb H ein Ra 反転増幅回路 オフセット(無入力時の直流出力)と ドリフト(温度によるオフセットの変化) V+ Ra ein Rc Rb - I + + IV- 反転増幅回路 V+=(Ra//Rb)I+ V-=RcIeout I+=I-であれば(Ra//Rb)=Rc とすることによりオフセット 消去可能(V+=V-) 高利得増幅器 Rb ein/Ra Ra ein Rb -einRb/Ra Rd + eout Rc 入力からの流入電流 出力からの流入電流 ein Rb / Ra Rd [ein / Ra (eout ein Rb / Ra ) / Rb ] eout Rb ein Ra Rb 2 Rd Rb>>Ra,Rdで大きな利得実現 計測アンプ ei+ + - (ei+-ei-)/Ra Ra + ei eo Rb (ei ei ) / Ra ei eo Rb (ei ei ) / Ra eout (eo eo ) Rd / Rc Rc Rb ei- e0+ Rd + Rc eo- eout Rd eo-Rd/(Rc+Rd) eo eo 1 ei ei eo eo Rb 1 2 ei ei Ra eout Rd ei ei Rc Rb 1 2 Ra 計測アンプ Ra ei+ Ra + - eout + ei- eout eo eo 絶縁増幅器 +5V Rb +5V Ra Rb eout ein + - eout ein 入出力間を電気的に 絶縁可能 Ra1 e1 Ra2 e2 Rb R1 e1 eout e2 + Rc en-1 eout Rb Rb e2 e1 Ra 2 Ra1 アナログ加算器 - R2 + Rb Rn-1 Rn en Rb eout en n 1 Rn n Rn 2 とすれば N NビットD/A変換器 eout 8bit D/A変換器の構成 デジタル データ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 Q0 Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q7 R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 Rb + アナログ 出力 ラッチ:次のデータが入力される まで、前のデータを保持 C R R + ein C eout Ra インダクタを利用せ ずにQ>0.5を実現 Rb 集積化フィルタ H G 1 ( / r ) 2 j ( / r )Q 1 G 1 Rb 1 r Ra CR Q 能動フィルタの例 1 3G 微分回路 積分回路 リセット回路 ecnt i=dq/dt R q=Cein ein C + Rc eout ein/R R ein eout C + Rc dein CR dt eout 1 ein dt CR Rd eout 演算増幅器との組み合わせ +24V RB + ein K VL ein + - Rb RB -24V G1 G2 K=Ra/(Ra+Rb) Ra オペアンプ:電圧増幅 プッシュプル回路:電力増幅 注:オペアンプの電源電圧 以上の振幅は取れない。 eout 安定化電圧源 安定化電流源 Vcc Rc Vz + Ra Vcc Rc + VL Rb RL VL=Vz(Rb/Ra+1) RLに依存せず Vz R0 Ra Rb RL IL IL=(Vcc-Vz)(Rb/Ra+1)-1 OPアンプに非線形素子を接続すると Rb ein Ra + eout ein 理想整流回路 Rp ein + + RG Rp:ダイオードoff 時の利得限定用 + Rp アナログSW eout C ピーク保持回路 eout C + Sampling & Hold回路 標本化と保持(Sampling & Hold)後の波形 1 0.8 信号振幅 0.6 0.4 0.2 0 -0.2 -0.4 0 0.5 標本化周期(この時間の 間に量子化(数値化)) 1 時間 1.5 2 アナログ/デジタル変換 絶対値回路 Ra ein Ra ed Rb - Rb/2 + eout + Rb 2ed eout -ein t 比較器(コンパレータ) ein - eref eout + R ein + - Vc R + - eout3 eout2 R + eout +Vs - Vc eout1 R ein -Vs Vs:飽和出力(≒電源電圧) 並列型AD変換器(2bit) 逐次比較型AD変換器 ein + 変換開始 変換終了 制御回路 DAC 1 0 0 0 0 0 0 0 e7 e6 e5 e4 e3 e2 e1 e0 最上位ビットを1に試行 比較器出力によってビットデータを固定 次のビットを1に試行(以下順次下位ビットへ) 積分型AD変換器 clk ein + - カウンタ 変換出力 変換開始 変換終了 長時間計測すれば 高精度 +Vs e in 0 電圧→時間 t 標本化定理(Nyquistの定理) 信号に含まれる最も高い周波数成分fmaxの2 倍よりも高い周波数で信号を標本化すると、 取り込まれたデータ列から元の信号が忠実 に再現できる。 オーバーサンプリング 2 量子化雑音のパワースペクトラム PN 6 w 信号帯域wのM倍の周波数で標本化すれば、量子化 雑音はM倍の周波数範囲に拡散⇒PNはM-1に減少 信号帯域内の量子化雑音実効値が-0.5に減少 ダイナミックレンジ:入力正弦波の実効値と雑音実効 値の比で定義した場合、6.02N+10logM+1.76 [dB] オーバーサンプリングによる量子化雑音低減 F() 元の信号 通常の標本化 量子化雑音 0 F() c c c c 元の信号 オーバーサン プリング 量子化雑音 0 c c c c 量子化雑音の 拡散 アンダーサンプリング 標本化周波数の整数倍の特 定帯域の信号のみを抽出 ei(t) 帯域通過型AD変換器 AD変 換器 BPF eo(t) F() -2c -c -w 0 +w +c +2c シグマ・デルタA/D変換器 ei(t) + - 1bit A/D eo(t) 1bit DAC 標本化周波数増大 による量子化誤差 の低減 パルス幅変調 (PWM) PWM波から元信号の再生は? ei(t) 1bit DAC LPF eo(t) 最大周波数までの 低域通過フィルタを 挿入! 世に言う1 bit オーディオ 正帰還すると→ヒステリシスコンパレータ ein eout eout + +Vs +Vc ein Ra eout Vs Vs Rb (ein eout Ra /( Ra Rb )) (ein eout Ra /( Ra Rb )) Vs:飽和出力(≒電源電圧) -Vc -Vs ヒステリシスコンパレータ の入出力特性 Vc=Vs/(1+Rb/Ra) 雑音を含む信号 2Vc ヒステリシスが無いと パルス数の誤り ヒステリシスが有ると クリーンな応答 t 立ち上がり立下りの ゆれ=ジッタの発生 高速ADCへのジッタの影響 http://www.analog.com/jp/digital‐ to‐analog‐converters/da‐ converters/products/tutorials/CU_tu torials_MT‐007/resources/fca.html 高周波になるほどジッタの影響大 高周波クロック源ほど程ジッタ大 31 信号雑音比(SNR)への周波数とジッタの影響 http://www.analog.com/jp/digital‐ to‐analog‐converters/da‐ converters/products/tutorials/CU_tu torials_MT‐007/resources/fca.html 32 正帰還になれば、自分自身 を増幅し続けて発振 K()Eo() + Ei() - K() G() Eo() 正帰還であれば、雑音に含まれる周波数成分を増 幅、振幅増大(入力不要) 増幅器が飽和して、実効的な利得Geff()減少 Geff()K()=-1の状態で発振持続 4. 発振持続状態では他の周波数の利得減少 H()=G()/[1+G()K()]より 安定条件 |G()K()|>1となる周波数範囲でarg[G()K()]180o 安定度の指数: 位相余裕 arg[G()K()]-180o @|G()K()|=1となる周波数 ゲイン余裕 -20log |G()K()| @arg[G()K()]=180oとなる周波数 ウィーンブリッジ発振器 C R 閉ループ回路 + eout C - R K Rb Ra G eout 発振振幅 制限抵抗 C + ei R eo R Rx Rb C 小信号等価回路 開ループ回路 ei G K eo 伝達関数(H=eo/ei) jG ( / r ) H 1 ( / r ) 2 j 3( / r ) ここでr=1/CR、G:非反転増幅器の利得(=1+Rb/Rx) 発振条件 位相(周波数)条件 (GK: 実数) r 振幅条件 (|GK|>1) G 3 •Gが大きいと ⇒ 発振波形の歪み •Gが小さいと ⇒ 発振の立ち上り緩やか 時計用発振回路 eout C1 eout C2 音叉型水晶振動子 ein インバータの入出力特性 反転増幅器と等価! 215 =32,768Hz を215分周すれば1Hz! 発振回路の解析 +5V RD eout Z C1 C2 RG RD Z RS C1 K G RS 小信号等価回路 ei 閉ループ回路 C2 eout 開ループ回路 eo ei G K eo RG 以下の解析ではRS,RG,RDを無視 gm:FETの相互コンダクタンス 伝達関数(H=eo/ei) gm 1 H 2 C1C2 Z 1 1 jC1 jC2 位相(周波数)条件 (H: 実数) 1 1 ( Z ) C1 C2 発振条件 振幅条件 (H>1) gm ( Z ) 1 (C1 C2 ) ( Z ) 発振器の安定性 •高信頼性技術 • 長期安定度 (経年変化) • 中期安定度 (温度依存性) • 短期安定度 (熱雑音,1/f 雑音) •優れた温度特性、 高Qの共振器 •低雑音増幅器 P() 1/f noise (flicker) Thermal noise (random walk) 圧電基板に電界を加えると + 圧電基板 - dv M v k vdt F V dt i v C0 V F C1 k-1 M (a) 電気+機械回路 L C0 (b) 等価電気回路 V ⇔ F、 I ⇔ vに対応させると M ⇔ L、 ⇔ R、k ⇔ 1/C R Admittance 共振特性 G B Frequency r a •共振周波数 r=1/ C1L •反共振周波数 a=1/ L(C1-1+C0-1)-1 何故水晶振動 子? df/f ppm 20 10 温度安定性(-40oCか ら+80oC の範囲で 10 ppm) 0 -10 -20 -60 -40 -20 0 ±10 ppmは高速通信には不充分 仕様の一例: -20oCから+80 oCで±1ppm 20 40 60 Temp. 温度補償水晶発振器 (TCXO) eout C1 マイクロコ ントローラ C2 温度セ ンサ -20oC to +70 oCの範囲で±1ppm まだ現在の高速通信には不充分 オーブン安定化水晶発振器 (OCXO) eout C1 オーブン2重化によ る更なる安定化 C2 Oven Controller Temp. Sensor -20oCから +70oCの範囲で±10ppb 欠点: パワー消費、初期安定化、寸法 Global Positioning System (GPS) 現在位置 (x, y, z)は次式の解 d n2 ( x xn ) 2 ( y yn ) 2 ( z z n ) 2 n 1,2, , N xn, yn, zn : n番目の衛星の位置 (衛星から送信) dn: n番目の衛星からの距離 (遅れ時間から算出) 10 ppbの誤差 d では3 mの誤差! 負性抵抗による発振回路 Vcc R V 負性抵抗 vc Vt 発振条件 Vt>Vcc-R It Vb<Vcc-R Ib C Vb 0 It Ib I vc 0 t 青曲線を表す式(T=CR) V Vcc 1 exp(t / T ) 増幅器による負性抵抗の実現 R iin ein G eout 負性コンダクタンス iin R 1 (eout ein ) R 1 (G 1)ein 位相条件 R + eout - Z Ra Rb ( z ) 0 発振条件 振幅条件 1 1 ( z ) R (G 1) 0 負性抵抗(その2) ei Zi ii Z i ei / ii Z (G 1) 発振の時は (電流出力) G Z ZG Z i Z f ( Z f Z ) 1 0 Zf Z 出力条件 Z i Z f 0 振幅条件 Z i Z f 0 負性抵抗 (その3) Zf 1 f ii Z (eo ei ) Z (G 1)ei ii ei G eo ei Z i Z f (G 1) 1 ii Zi 発振中は (電圧出力) 1 f 1 Z Z 1 i ZG ( Z Z ) 1 0 Zf Z 1 1 f 周波数条件 Z 振幅条件 Z 1 Z f1 0 1 Z 1 f 0 負性抵抗 (その4) Zf-R io eo R G Z Zo 1 i R ZG (Z f Z ) 1 o 1 Zo eo Zf Z R Zf Z 発振中は (電圧出力) Z o1 0 周波数条件 Z o1 0 振幅条件 Z 0 1 o 発振器の基本的な分類(バイアス回路省略) コルピッツ型 ハートレー型 クラップ型 LC共振で電圧最大の場所から電圧を取り出し、電流 最大のところにTrからの電流を注入 コルピッツ発振回路の変形 コルピッツ型 コルピッツ発振回路のAC解析 出力インピーダンス特性 B=0 G<0 トランジェント解析 トランジェント解析 立ち上がり波形 スペクトラム 変形コルピッツ(クラップ)発振回路 DC遮断コン デンサ 水晶振動子(誘導性の周波数で発振) +5V RB1 Y L ecnt Cv C2 Cc C1 RB2 C2 RF遮断イン バラクタダイオード (発振周波数可変) ダクタ eout RE 電圧制御発振器(VCO)回路 Cross Coupled Oscillator 集積化可能なスパ イラルインダクタ VDD I1 C1 L M1 I2 M2 C2 i1 j C1v1 g m1v 2 i1 v1 見込んだアド ミタンス v2 i2 L C1 C2 gmv2 gmv1 等価回路 i2 j C 2 v 2 g m 2 v1 C1 C 2 , g m 1 g m 2 の時 i1 i2 j C g m v1 v 2 負性抵抗 1 / LC で共振 インダクタの抵抗成分が負 性抵抗より十分小さいこと 比較器+周波数制御→緩和発振器 R ein +Vs +Vc eout + C 0 -Vc Ra Rb 青曲線を表す式(T=CR) V Vs (Vc Vs ) exp(t / T ) 2T log(Vs Vc ) /(Vs Vc ) 2T log1 2 Ra / Rb eout ein -Vs ヒステリシスインバータの 入出力特性 Vc=Vs/(1+Rb/Ra) t 緩和発振器(その2) + R Rb + eo2 0 -V c +V s 積分回路 (eo 2 Vc ) (eo 2 Vc ) Vc Vs Ra / Rb e o1 +V c Ra ヒステリシス コンパレータ Vs eo1 Vs +V s C eo1 e o2 青曲線を表す式(T=CR) V Vc Vs t / T 4TVc / Vs 4TRa / Rb t N段受動(LC)フィルタ R0 L1 L1 C2 ES 0 R0 L2 C1 C1 R0 ES R0 3エレメント型LPF 3エレメントT型LPF 0 -40 -60 H (dB) H (dB) -20 N=3 N=5 -80 N=7 N=9 -100 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 Relative frequency -1 N=3 -2 N=5 N=7 N=9 -3 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 Relative frequency うまく設計すると優れた特性 能動フィルタ 帰還による誘導成分の実現 K Za Zc ein Zb + Zd eout e in + + H eout GH ein 1 GK G eout G=1 Z d ( Z c Z d ) 1{Z b1 ( Z c Z d ) 1}1 Zb Z d H 1 1 1 Z a {Z b ( Z c Z d ) } ( Z a Z b )( Z c Z d ) Z a Z b Z d ( Z c Z d ) 1{Z a1 ( Z c Z d ) 1}1 ZaZd K 1 1 1 Z b {Z a ( Z c Z d ) } ( Z a Z b )( Z c Z d ) Z a Z b eout Zb Z d GH ein 1 GK ( Z a Z b )( Z c Z d ) Z a Z b Z a Z d Zc Za Z a / Zb Z d s / 0 Q 2 1 Z d / Z b eout 1 とすれば、 ein ( s / 0 ) 2 Q 1 ( s / 0 ) 1 LRC回路と同様の特性(Q>0.5実現可能) 多段縦続による所望の周波数特性の実現 ein H1 H2 H3 eout スイッチトキャパシタフィルタ iin(t) スイッチの高速切り替え i2(t) C2 + ein C1 eout - コンデンサが抵抗と 同様な役割R=1/C1f 状態変数s-1の実現 •スイッチ入力側の時C1上の電荷=einC1 •スイッチ出力側の時C2に流れ込む電荷=einC1 eout C1 f C2 e in dt f:切り替え周波数
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