RSS060P05FRA : トランジスタ

RSS060P05FRA
RSS060P05
トランジスタ
AEC-Q101準拠
4V 駆動タイプ Pch MOSFET
RSS060P05FRA
RSS060P05
z外形寸法図 (Unit : mm)
z構造
シリコン P チャネル MOS 型電界効果トランジスタ
SOP8
5.0
1.75
0.4
(8)
(5)
(1)
(4)
z用途
1pin mark
0.2
1.27
スイッチング
Each lead has same dimensions
z内部回路図
z包装仕様
包装名 Type
0.4Min.
3.9
6.0
z特長
1) ゲート保護ダイオード内蔵。
2) 小型面実装パッケージ (SOP8)で省スペース。
記号テーピング (8)
(7)
(6)
(5)
TB
基本発注単位（個） 2500
RSS060P05FRA
RSS060P05
∗2
∗1
(1)
(2)
(3)
(4)
∗1 静電気保護用ダイオード
∗2 内部ダイオード
(1) ソース
(2) ソース
(3) ソース
(4) ゲート
(5) ドレイン
(6) ドレイン
(7) ドレイン
(8) ドレイン
z絶対最大定格 (Ta=25°C)
Parameter
ドレイン・ソース間電圧
ゲート・ソース間電圧
直流
ドレイン電流
パルス
直流
ソース電流
(内部ダイオード）
パルス
全許容損失
チャネル部温度
保存温度
Symbol
Limits
VDSS
-45
VGSS
±20
ID
±6.0
IDP *1
±24
IS
-1.6
ISP *1
-24
PD *2
2
Tch
150
Tstg
-55∼+150
Unit
V
V
A
A
A
A
W
o
o
C
C
*1 PW≦10µs、Duty cycle≦1%
*2 セラミック基板実装時
z熱抵抗
Parameter
チャネル・外気間
Symbol
Rth(ch-a)
*
Limits
62.5
Unit
o
C/W
* セラミック基板実装時
Rev.A
1/4
RSS060P05
RSS060P05FRA
トランジスタ
z電気的特性 (Ta=25°C)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
ゲート漏れ電流 −
IGSS
ドレイン・ソース降伏電圧 V(BR) DSS −45
ドレイン遮断電流 −
IDSS
ゲートしきい値電圧 VGS (th) −1.0
∗
−
−
ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS (on)
−
順伝達アドミタンス Yfs ∗ 8.0
入力容量 Ciss
−
Coss
出力容量 −
Crss
帰還容量 −
td (on) ∗
ターンオン遅延時間 −
tr ∗
上昇時間 −
td (off) ∗
ターンオフ遅延時間 −
降下時間 −
tf ∗
ゲート総電荷量 −
Qg ∗
−
ゲート・ソース間電荷量 Qgs ∗
Qgd ∗
−
ゲート・ドレイン間電荷量 −
−
−
−
26
35
38
−
2700
360
230
25
28
100
28
23.0
6.6
8.0
±10
−
−1
−2.5
36
49
53
−
−
−
−
−
−
−
−
32.2
−
−
Unit
µA
V
µA
V
mΩ
mΩ
mΩ
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
VGS=±20V, VDS=0V
ID= −1mA, VGS=0V
VDS= −45V, VGS=0V
VDS= −10V, ID= −1mA
ID= −6A, VGS= −10V
ID= −6A, VGS= −4.5V
ID= −6A, VGS= −4.0V
VDS= −10V, ID= −6A
VDS= −10V
VGS=0V
f=1MHz
VDD −25V
ID= −3.0A
VGS= −10V
RL=−8.3Ω
RG=10Ω
VDD −25V VGS= −5V
ID= −6.0A
RL=4.2Ω
RG=10Ω
Conditions
Typ.
−
Max.
−1.2
Unit
V
Conditions
IS= −6A, VGS=0V
∗パルス z内部ダイオード特性 (ソース・ドレイン間)
Parameter
順方向電圧 Symbol
VSD
∗
Min.
−
∗パルス Rev.A
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RSS060P05FRA
RSS060P05
トランジスタ
z電気的特性曲線
2.0
2.5
3.0
0.1
1
10
1
0.01
150
100
ID= -6.0A
50
1
0
10
DRAIN CURRENT : -ID [A]
5
Fig.4 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current (3)
10
SWITCHING TIME : t [ns]
CAPACITANCE : C [pF]
1000
Coss
Crss
10
0.1
1
10
15
Ta=125 C
75oC
25oC
-25oC
1
0.1
0.01
0.0
o
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : -VDS [V]
100
Fig.7 Typical capacitance vs.
Source-Drain Voltage
1000
100
tf
td(off)
td(on)
10
tr
1
0.01
0.1
1
DRAIN CURRENT : -ID [A]
0.5
1.0
1.5
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : -VSD [V]
Ta=25 C
VDD= -25V
VGS= -10V
RG=10Ω
Pulsed
Ciss
Ta=25oC
f=1MHz
VGS=0V
VGS=0V
pulsed
o
Fig.5 Static Drain-Source
On-State Resistance vs.
Gate-Source Voltage
10000
100
Fig.3 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current (2)
GATE-SOURCE VOLTAGE : -VGS [V]
10000
10
ID= -3.0A
0
0.1
1
10
Ta=25oC
pulsed
SOURCE CURRENT : -Is [A]
Ta=125oC
75oC
25oC
-25oC
STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATE
RESISTANCE RDS(on) [mΩ]
100
0.1
DRAIN CURRENT : -ID [A]
Fig.2 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current (1)
200
VGS= -4V
pulsed
0.01
10
DRAIN CURRENT : -ID [A]
Fig.1 Typical Transfer Characteristics
1000
10
1
1
0.01
GATE-SOURCE VOLTAGE : -VGS [V]
STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATE
RESISTANCE RDS(on) [mΩ]
100
10
3.5
Ta=125oC
75oC
25oC
-25oC
VGS= -4.5V
pulsed
10
Fig.8 Switching Characteristics
Fig.6 Source-Current vs.
Source-Drain Voltage
10
GATE-SOURCE VOLTAGE : -VGS [V]
1.5
Ta=125oC
75oC
25oC
-25oC
100
0.1
0.01
1.0
VGS= -10V
pulsed
STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATE
RESISTANCE RDS(on) [mΩ]
Ta=125oC
75oC
25oC
-25oC
1
1000
1000
VDS= -10V
pulsed
STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATE
RESISTANCE RDS(on) [mΩ]
DRAIN CURRENT : -ID [A]
10
Ta=25oC
VDD= -25V
ID= -6.0A
8
RG=10Ω
Pulsed
6
4
2
0
0
15
30
TOTAL GATE CHARGE : Qg [nC]
45
Fig.9 Dynamic Input Characteristics
Rev.A
3/4
RSS060P05FRA
RSS060P05
トランジスタ
z測定回路図
VGS
ID
VDS
VGS
10%
90%
RL
90%
D.U.T.
RG
VDD
VDS
90%
10%
td(on)
10%
td(off)
tr
ton
tr
toff
Fig.11 スイッチング波形 Fig.10 スイッチング時間測定回路 VG
VGS
ID
VDS
RL
IG (Const.)
RG
D.U.T.
Qg
VGS
Qgs
Qgd
VDD
Charge
Fig.12 ゲート電荷量測定回路 Fig.13 ゲート電荷量波形 Rev.A
4/4
Appendix
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‫ޓ‬
ᗧ
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ࡠ࡯ࡓ⵾ຠߩߏᬌ⸛޽ࠅ߇ߣ߁ߏߑ޿߹ߔ‫ޕ‬
ࠃࠅ⹦ߒ޿⾗ ᢱ߿ࠞ࠲ࡠࠣߥߤߏ↪ ᗧߒߡ߅ࠅ߹ߔߩߢ‫߅ޔ‬໧วߖߊߛߐ޿‫ޕ‬
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Appendix1-Rev4.0

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