SM6K2 : トランジスタ

SM6K2
࠻࡜ࡦࠫࠬ࠲
4V 㚟േ࠲ࠗࡊ Nch+Nch MOS FET
SM6K2
z‫ޒ‬छోၓన (Unit : mm)
SMT6
2.9
1.1
1.9
(4)
(5)
(6)
(3)
(2)
(1)
1.6
0.95
2.8
zຟෙ
1) SMT Ӄҵң̶Ҫџ RHU002N06 ҳҵӉр 2 ॼ໚їњиѿ̝
2) SMT3 Ѣ૛ຌ೻ට࠿џѼѾ̜೻ටр݈໷ћжѿ̝
3) ިҺӛӥҪҫұѢ್તࠖѣ຤ᅵыњиѿѓѵ೰গ߳ரрўи̝
4) ૲೻ҥҫҺࡸѧნ౹рབॲћсѿ̝
0.8
0.95
0.3Min.
z৓ഈ
ҩӜҥӥ N ҳӕҿӝ
MOS ङใ‫ވ‬ল‫ݐ‬ҺӛӥҪҫұ
1pin mark
0.15
0.3
Each lead has same dimensions
標印略記号 : K2
z၅೻ગᄻ
z຾࿪‫ݷ‬ᇓన
包装名 Type
(4)
テーピング記号 T110
基本発注単位 (個)
3000
(5)
(6)
∗1
∗2
SM6K2
(1) TR1 Drain
(2) TR2 Gate
(3) TR2 Source
(4) TR2 Drain
(5) TR1 Gate
(6) TR1 Source
∗2
∗1
(3)
zಌഴ਻ോชެ (Ta=25qC)
<Tr1, Tr2 ࢢ෬>
Parameter
Symbol
Limits
Unit
V
VDSS
60
ゲート・ソース電圧
VGSS
±20
V
ID
200
mA
ドレイン電流
ドレイン逆電流
(1)
∗1 ESD Protection Diode
∗2 Body Diode
∗ 製品取り扱い時の静電気保護用にゲート・ソースドレイン・ソース電圧
直流 (2)
パルス IDP
直流 IDR
パルス IDRP
∗1
∗1
800
mA
200
mA
800
∗2
間に保護ダイオードを内蔵しています。使用回路にて、定格電圧を超える場合には保護回路をご使用ください。 mA
300
mW / トータル 200
mW / 素子全許容損失
PD
チャネル部温度
Tch
150
°C
保存温度
Tstg
−55~+150
°C
∗1 Pw≦10μs, Duty cycle≦1%
∗2 各端子を推奨ランドに実装した場合 z໨ฑ৉
Parameter
チャネル・外気間 Symbol
Rth(ch-a)
Limits
∗
416.7
625
Unit
°C / W / トータル °C / W / 素子 ∗ 各端子を推奨ランドに実装した場合 Rev.A
1/4
SM6K2
࠻࡜ࡦࠫࠬ࠲
zใࡂศຟౕ (Ta=25qC)
<Tr1, Tr2 ࢢ෬>
Parameter
ゲート漏れ電流
ドレイン・ソース降伏電圧
ドレイン遮断電流
ゲートしきい値電圧
ドレイン・ソース間オン抵抗
順伝達アドミタンス
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
IGSS
−
−
±10
μA
VGS=±20V, VDS=0V
V (BR) DSS
60
−
−
V
ID=1mA, VGS=0V
IDSS
−
−
1
μA
VDS=60V, VGS=0V
VGS (th)
1
−
2.5
V
−
1.7
2.4
−
2.8
4.0
0.1
−
−
RDS (on)
l Yfs l
∗
∗
Ω
VDS=10V
VGS=0V
f=1MHz
Ciss
−
15
−
pF
Coss
−
8
−
pF
帰還容量
Crss
立ち上がり時間
ターンオフ遅延時間
tr
td (off)
下降時間
tf
ゲート総電荷量
Qg
ゲート・ソース間電荷量
Qgs
ゲート・ドレイン間電荷量
Qgd
ID=200mA, VGS=4V
VDS=10V, ID=200mA
出力容量
td (on)
VDS=10V, ID=1mA
ID=200mA, VGS=10V
S
入力容量
ターンオン遅延時間
Test Conditions
−
4
−
pF
∗
−
6
−
ns
∗
−
5
−
ns
∗
−
12
−
ns
∗
−
95
−
ns
∗
−
2.2
4.4
nC
∗
−
0.6
−
nC
∗
−
0.3
−
nC
ID=100mA, VDD 30V
VGS=10V
RL=300Ω
RG =10Ω
VDD 30V
VGS=10V
ID=200mA
∗ パルス z຾࿪ҲҖҜ̶һຟౕ (ү̶ҫ̠һӞҖӥࠖ) (Ta=25qC)
<Tr1, Tr2 ࢢ෬>
Parameter
順方向電圧 Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
VSD
−
−
1.2
V
Conditions
IS=200mA, VGS=0V
Rev.A
2/4
SM6K2
࠻࡜ࡦࠫࠬ࠲
1
0.8
10V
DRAIN CURRENT : ID (A)
8V
6V
0.6
DRAIN CURRENT : ID (A)
Ta=25°C
Pulsed
0.7
0.5
4V
0.4
0.3
3.5V
0.2
VGS=3V
VDS=10V
Pulsed
0.1
Ta=−25°C
25°C
75°C
125°C
0.01
0.1
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5 4.0
0.001
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5
1.0
1.0
0.01
0.1
2.5
ID=200mA
2.0
100mA
1.0
−50 −25
0
25
50
75
100 125 150
CHANNEL TEMPERATURE : Tch (°C)
Fig.7 Static drain-source on-state
resistance vs. channel temperature
1
100 125 150
Ta=25°C
Pulsed
5
4
ID=200mA
3
2
100mA
1
0
5
10
15
Fig.6 Static drain-source on-state
resistance vs. gate-source voltage
10
Ta=125°C
75°C
25°C
−25°C
0.01
0.4
0.6
0.8
20
GATE-SOURCE VOLTAGE : VGS (V)
0.1
0.2
75
6
0
1.0
VGS=0V
Pulsed
0.001
0.0
50
7
Fig.5 Static drain-source on-state
resistance vs. drain current ( ΙΙ )
REVERSE DRAIN CURRENT : IDR (A)
STATIC DRAIN-SOURCE
ON-STATE RESISTANCE : RDS (on) (Ω)
VGS=10V
Pulsed
25
0
Fig.3 Gate threshold voltage
vs. channel temperature
DRAIN CURRENT : I D (A)
Fig.4 Static drain-source on-State
resistance vs. drain current ( Ι )
1.5
0.0
−50 −25
CHANNEL TEMPERATURE : Tch (°C)
Ta=125°C
75°C
25°C
−25°C
DRAIN CURRENT : I D (A)
3.0
0.5
VGS=4V
Pulsed
STATIC DRAIN-SOURCE
ON-STATE RESISTANCE : RDS (on) (Ω)
STATIC DRAIN-SOURCE
ON-STATE RESISTANCE : RDS (on) (Ω)
Ta=125°C
75°C
25°C
−25°C
0.1
1.0
Fig.2 Typical transfer characteristics
10
VGS=10V
Pulsed
1.0
0.01
1.5
GATE-SOURCE VOLTAGE : VGS (V)
Fig.1 Typical output characteristics
10
VDS=10V
ID=1mA
Pulsed
2.0
STATIC DRAIN-SOURCE
ON-STATE RESISTANCE : RDS (on) (Ω)
1.0
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : VDS (V)
2.5
REVERSE DRAIN CURRENT : IDR (A)
0.0
0.0 0.5
GATE THRESHOLD VOLTAGE : VGS (th) (V)
zใࡂศຟౕࣆದ
1.0
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : VSD (V)
Fig.8 Reverse drain current vs.
source-drain voltage ( Ι )
1.2
Ta=25°C
Pulsed
1
VGS=10V
0V
0.1
0.01
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.2
1.0
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : VSD (V)
Fig.9 Reverse drain current vs.
source-drain voltage ( ΙΙ )
Rev.A
3/4
SM6K2
1000
100
1
VGS=10V
Pulsed
Ta=−25°C
25°C
75°C
125°C
0.01
0.001
0.001
0.01
0.1
1
Ciss
10
Coss
Crss
1
0.01
0.1
1
10
SWITCHING TIME : t (ns)
0.1
Ta=25°C
f=1MHz
VGS=0V
CAPACITANCE : C (pF)
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE : I Yfs I (S)
࠻࡜ࡦࠫࠬ࠲
tf
100
td(off)
10
td(on)
tr
1
1
100
Fig.10 Forward transfer admittance
vs. drain current
10
100
1000
DRAIN CURRENT : ID (mA)
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : VDS (V)
DRAIN CURRENT : ID (A)
Ta=25°C
VDD=30V
VGS=10V
RG=10Ω
Pulsed
Fig.12 Switching characteristics
Fig.11 Typical capacitance
vs. drain-source voltage
zҫҖҵҳӥҢຟౕഐช‫ݷ‬ᇓన
Pulse width
VGS
RG
ID
D.U.T.
VDS
VGS
90%
50%
10%
RL
50%
10%
VDS
10%
VDD
90%
90%
td (on)
ton
Fig.13 Switching time test circuit
tr
td (off)
tf
toff
Fig.14 Switching time waveforms
Rev.A
4/4
Appendix
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