2.5V 駆動タイプ Pch+SBD MOSFET

US5U30
トランジスタ
2.5V 駆動タイプ Pch+SBD MOSFET
US5U30
z構造
シリコン P チャンネル MOS 型電界効果トランジスタ
ショットキーバリアダイオード
z外形寸法図 (Unit : mm)
TUMT5
2.0
0.2Max.
1.3
z特長
1) TUMT5 パッケージに Pch MOSFET とショットキー
バリアダイオードを内蔵。
2) 高速スイッチング、低オン抵抗。
3) 低電圧駆動(2.5V 駆動)
4) 低 VF ショットキーバリアダイオードを内蔵。
標印略記号 : U30
z用途
ロードスイッチ、DC/DC コンバータ
z包装仕様
z内部回路図
包装名
Type
記号
基本発注単位（個）
テーピング
TR
(5)
(4)
3000
∗2
US5U30
∗1
(1)
(2)
∗1 静電気保護用ダイオード
∗2 内部ダイオード
(3)
(1)ゲート
(2)ソース
(3)アノード
(4)カソード
(5)ドレイン
Rev.B
1/4
US5U30
トランジスタ
z絶対最大定格 (Ta=25°C)
<MOSFET>
Parameter
ドレイン・ソース間電圧
ゲート・ソース間電圧
直流
パルス
直流
ソース電流（内部ダイオード）
パルス
チャネル部温度
許容損失
<Di>
尖頭逆方向電圧
逆電圧
順方向電流
尖頭順サージ電流
接合部温度
許容損失
<MOSFET AND Di>
全許容損失
保存温度
ドレイン電流
Symbol
VDSS
VGSS
ID
IDP ∗1
IS
ISP ∗1
Tch
PD ∗3
Limits
−20
±12
±1
±4
−0.4
−4
150
0.7
Unit
V
V
A
A
A
A
°C
W / 素子
VRM
VR
IF
IFSM
Tj
PD
30
20
0.5
2
150
0.5
V
V
A
A
°C
W / 素子
1.0
−55~+150
W / トータル
°C
PD
Tstg
∗2
∗3
∗3
∗1 Pw≦10µs, Duty cycle≦1% ∗2 60Hz •1cyc. ∗3 セラミック基板実装時
z電気的特性 (Ta=25°C)
<MOSFET>
Parameter
Symbol
Min.
−
−20
−
−0.7
−
−
−
0.7
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
Typ.
−
−
−
−
280
310
570
−
150
20
20
9
8
25
10
2.1
0.5
0.5
Max.
±10
−
−1
−2.0
390
430
800
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
Unit
µA
V
µA
V
mΩ
mΩ
mΩ
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
(ソース・ドレイン間)>
Symbol Min.
Unit
V
IS=−0.4A, VGS=0V
Unit
V
V
µA
IF=0.1A
IF=0.5A
VR=20V
ゲート漏れ電流
ドレイン・ソース降伏電圧
ドレイン遮断電流
ゲートしきい値電圧
IGSS
V(BR) DSS
IDSS
VGS (th)
∗
ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS (on)
順伝達アドミタンス
入力容量
出力容量
帰還容量
ターンオン遅延時間
上昇時間
ターンオフ遅延時間
下降時間
ゲート総電荷量
ゲート・ソース間電荷量
ゲート・ドレイン間電荷量
∗
Yfs
Ciss
Coss
Crss
∗
td (on)
∗
tr
∗
td (off)
∗
tf
Qg ∗
Qgs ∗
Qgd ∗
Conditions
VGS=±12V, VDS=0V
ID=−1mA, VGS=0V
VDS=−20V, VGS=0V
VDS=−10V, ID=−1mA
ID=−1A, VGS=−4.5V
ID=−1A, VGS=−4V
ID=−0.5A, VGS=−2.5V
VDS=−10V, ID=−0.5A
VDS=−10V
VGS=0V
f=1MHz
ID=−0.5A
VDD −15V
VGS=−4.5V
RL=30Ω
RG=10Ω
VDD −15V VGS=−4.5V
ID=−1A
RG=10Ω
RL=15Ω
∗パルス
<内部ダイオード特性
Parameter
順方向電圧
Typ.
Max.
VSD
−
−
−1.2
Symbol
Min.
Typ.
Max.
−
−
−
−
−
−
0.36
0.47
100
Conditions
<Di >
Parameter
順方向電圧
VF
逆方向電流
IR
Conditions
Rev.B
2/4
US5U30
トランジスタ
1000
Static Drain−Source On−State Resistance
RDS(on)[mΩ]
10
VDS=−10V
Pulsed
Ta=125°C
75°C
25°C
−20°C
0.01
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
100
100
Ta=125°C
75°C
25°C
−25°C
10
0.1
4.0
1
Static Drain−Source On−State Resistance
RDS(on)[mΩ]
Static Drain−Source On−State Resistance
RDS(on)[mΩ]
Ta=125°C
75°C
100
25°C
−25°C
1
Fig.4 Static Drain−Source On−State
Resistance vs.Drain−Current
ID=−0.75A
−1.5A
250
100
200
150
100
50
0
2
4
6
8
10
Ta=125°C
75°C
25°C
−25°C
0.1
Ta=25 C
Pulsed
VGS=−2.5V
−4.0V
−4.5V
10
0.1
12
1
Fig.6 Static Drain−Source On−State
Resistance vs.Drain Current
Fig.5 Static Drain−Source On−State
Resistance vs.Gate−Source Voltage
Ta=25 C
f=1MHZ
VGS=0V
1000
1000
Ciss
100
Ta=25 C
VDD=−15V
VGS=−4.5V
RG=10Ω
Pulsed
100
td(off)
10
0.5
1.0
1.5
2.0
10
0.01
0.1
1
10
tf
td(on)
tr
Coss
Crss
0.01
0
10
Drain Current : −ID[A]
Gate−Source Voltage : −VGS[V]
10000
VGS=0V
Pulsed
Capacitance : C [pF]
Reverse Drain Current : −IDR[A]
1
1000
300
0
10
10
Fig.3 Static Drain−Source On−State
Resistance vs.Drain Current
Ta=25 C
Pulsed
350
Drain Current : −ID[A]
1
Drain Current : −ID[A]
400
VGS=−2.5V
Pulsed
10
10
0.1
10
Fig.2 Static Drain−Source On−State
Resistance vs.Drain Current
Fig.1 Typical Transfer Characteristics
10
0.1
Ta=125°C
75°C
25°C
−25°C
Drain Current : −ID[A]
Gate−Source Voltage : VGS[V]
1000
VGS=−4V
Pulsed
Static Drain-Source On−State Resistance
RDS(on)[mΩ]
0.1
1000
VGS=−4.5V
Pulsed
Switching Time : t [ns]
Drain Current : −ID (A)
1
0.001
Static Drain−Source On−State Resistance
RDS(on)[mΩ]
z電気的特性曲線
100
1
0.01
0.1
1
Source−Drain Voltage : −VSD[V]
Drain−Source Voltage : −VDS[V]
Drain Current : −ID[A]
Fig.7 Reverse Drain Current
vs. Source-Drain Current
Fig.8 Typical Capactitance
vs.Drain−Source Voltage
Fig.9 Switching Characteristics
Rev.B
10
3/4
US5U30
トランジスタ
6
Forward Current : IF [mA]
Gate-Source Voltage: -VGS [V]
1000
Ta=25 C
VDD=−15V
ID=−2.5A
RG=10Ω
Pulsed
7
5
4
3
2
100
Ta=125°C
75°C
25°C
−25°C
100
125°C
Reverse Current : IR[A]
8
10
10
75°C
1
0.1
25°C
0.01
1
−25°C
0.001
1
0
0.1
0
1
2
3
4
5
0.0001
0
6
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0
10
Forward Voltage :VF [V]
20
30
40
Reverse Voltage : VR[V]
Total Gate Charge : Qg[nC]
Fig.10 Dynamic Input Characteristics
Fig.11 Forward Temperature Characteristics Fig.12 Reverse Temperature Characteristics
z測定回路図
Pulse Width
VGS
10%
50%
50%
90%
10%
10%
VGS
ID
D.U.T.
RG
VDS
90%
90%
VDS
RL
VDD
td(on)
tr
tf
td(off)
ton
toff
Fig.14 Switching Waveforms
Fig.13 Switching Time Measurement Circuit
VG
Qg
VGS
VGS
ID
VDS
Qgs
IG(Const)
RG
D.U.T.
Qgd
RL
VDD
Charge
Fig.15 Gate Charge Measurement Circuit
Fig.16 Gate Charge Waveforms
Rev.B
4/4
Appendix
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Appendix1-Rev2.0

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