三洋半導体開発速報暫定規格

No.
三洋半導体開発速報
2SK2533
特長
暫定規格
NチャネルMOS形シリコン電解効果トランジスタ
超高速スイッチング
・低オン抵抗。
・高速ダイオ−ド内蔵。
・面実装に対応し、工数低減およびセットの高密度化、小型化が可能となる。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings／Ta=25℃
ドレイン・ソース電圧
ゲート・ソース電圧
ドレイン電流（DC）
ドレイン電流（パルス）
許容損失
チャンネル温度
保存周囲温度 VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
Tch
Tstg
unit
250
±30
13
52
45
150
−55∼＋150
PW≦10μs,duty cycle≦1％
Tc=25℃
電気的特性 Electrical Characteristics／Ta=25℃
ドレイン・ソース降伏電圧
V(BR)DSS
ゲート・ソース降伏電圧
V(BR)GSS
ドレイン・ソースしゃ断電流
IDSS
ゲート・ソースもれ電流
IGSS
ゲート・ソースしゃ断電圧
VGS(off)
順伝達アドミタンス
│yfs│
ドレイン・ソース間オン抵抗
RDS(on)
入力容量
Ciss
出力容量
Coss
帰還容量
Crss
ターンオン遅延時間
td(on)
立ち上がり時間
tr
ターンオフ遅延時間
td(off)
下降時間
tf
ダイオード順電圧
VSD
ダイオード逆回復時間 trr
min ID=1mA
, VGS=0
IG=±100μA ,VGS=0
VDS=250V , VGS=0
VGS=±25V , VDS=0
VDS=10V
, ID=1mA
VDS=10V
, ID=6A
ID=6A
, VGS=10V
VDS=20V
, f=1MHz
VDS=20V
, f=1MHz
VDS=20V
, f=1MHz
下図指定回路において
〃
〃
〃
IS = 12A
, VGS = 0
IS = 12A
, di/dt=100A/μs
スイッチングタイム測定回路図
V
V
A
A
W
℃
℃
typ max
250
±30
2.0
6.0
1.0
±10
3.0
10
200
1290
300
125
22
66
320
105
1.0
160
270
1.5
unit
V
V
mA
μA
V
S
mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
外形図
ZP(unit:mm)
D
3.10
10.0
VOUT
3.9
3.9
3.9
3.9
6.2
VIN
PW＝10μS
D.C.≦1%
4.10
3.10
0.2
0.4
4.10
ID＝6A
RL＝16.7Ω
3
8.4
10V
0V
VDD＝100V
VIN
G
0.3
P.G
1.0 1.0
2
2.54 2.54
0.6
0.7
2SK2533
50Ω
1.2
1
Bottom View
10.0
2.5
S
1：Gate
2：Sourse
3：Drain
※これらの仕様は、改良などのため変更することがあります。
〒370-05 群馬県大泉町坂田一丁目1番1号
三洋電機株式会社半導体事業本部
940905TM2fXHD
This datasheet has been downloaded from:
www.EEworld.com.cn
Free Download
Daily Updated Database
100% Free Datasheet Search Site
100% Free IC Replacement Search Site
Convenient Electronic Dictionary
Fast Search System
www.EEworld.com.cn
All Datasheets Cannot Be Modified Without Permission
Copyright © Each Manufacturing Company

Download Report