US6M1 : トランジスタ

US6M1
࠻࡜ࡦࠫࠬ࠲
4V+2.5V 㚟േ࠲ࠗࡊ Nch+Pch MOSFET
US6M1
0.2Max.
z৓ഈ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! z‫ޒ‬छోၓన (Unit : mm)
ҩӜҥӥ N ҳӕҿӝ / P ҳӕҿӝ
TUMT6
MOS ङใ‫ވ‬ল‫ݐ‬ҺӛӥҪҫұ
zຟෙ
1) ఁӛҖӥੂᄿџѼѾ̜ୌᅖ࿀ѼѾҜӥฑ৉ോ࿳ฃॲ̝
2) Ҥ̶ҺေদҲҖҜ̶һ຾ആ̝
3) சङნ૲೻Ӄҵң̶Ҫ (TUMT6) ћஶҫӌ̶ҫ̝
標印略記号 : M01
zᄿ๑
Ӄӡ̶ҫҖҵҳ̜DC / DC ҥӥӂ̶ұ
z၅೻ગᄻ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! z຾࿪‫ݷ‬ᇓన
包装名テーピング記号 Type
(6)
(5)
TR
(4)
∗1
基本発注単位（個） 3000
US6M1
∗2
∗2
∗1
(1)
ドレイン・ソース間電圧ゲート・ソース間電圧直流ドレイン電流パルスソース電流直流（内部ダイオード）パルス全許容損失チャネル部温度保存温度 (3)
∗1 静電気保護用ダイオード ∗2 内部ダイオード zಌഴ਻ോชެ (Ta=25qC)
Parameter
(2)
Limits
Tr1 : N-ch
Tr2 : P-ch
30
−20
20
−12
±1.4
±1
±5.6
±4
0.6
−0.4
5.6
−4
1
0.7
150
−55~+150
Symbol
VDSS
VGSS
ID
IDP∗1
IS
ISP ∗1
PD ∗2
Tch
Tstg
(1) Tr1 (Nch) ソース (2) Tr1 (Nch) ゲート
(3) Tr2 (Pch) ドレイン (4) Tr2 (Pch) ソース (5) Tr2 (Pch) ゲート (6) Tr1 (Nch) ドレイン Unit
V
V
A
A
A
A
W / トータル W / 素子 °C
°C
∗1 Pw≦10μs, Duty cycle≦1%
∗2 セラミック基板実装時 z໨ฑ৉
Parameter
チャネル・外気間 Symbol
Rth (ch-a)
∗
Limits
125
179
Unit
°C / W / トータル °C / W / 素子 ∗ セラミック基板実装時 Rev.B
1/7
US6M1
࠻࡜ࡦࠫࠬ࠲
N-ch
zใࡂศຟౕ (Ta=25qC)
Parameter
Symbol
IGSS
ゲート漏れ電流ドレイン・ソース降伏電圧 V(BR) DSS
IDSS
ドレイン遮断電流 VGS (th)
ゲートしきい値電圧 ∗
ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS (on)
順伝達アドミタンス入力容量出力容量帰還容量ターンオン遅延時間立上がり時間ターンオフ遅延時間下降時間ゲート総電荷量ゲート・ソース間電荷量ゲート・ドレイン間電荷量 Yfs
Ciss
Coss
Crss
td (on)
tr
td (off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
∗
∗
∗
∗
∗
∗
∗
∗
Min.
−
30
−
1.0
−
−
−
1.0
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
Typ.
−
−
−
−
170
250
270
−
70
15
12
6
6
13
8
1.4
0.6
0.3
Max.
10
−
1
2.5
240
350
380
−
−
−
−
−
−
−
−
2.0
−
−
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
Conditions
VGS=20V, VDS=0V
ID=1mA, VGS=0V
VDS=30V, VGS=0V
VDS=10V, ID=1mA
ID=1.4A, VGS=10V
ID=1.4A, VGS=4.5V
ID=1.4A, VGS=4V
ID=1.4A, VDS=10V
VDS=10V
VGS=0V
f=1MHz
ID=0.7A, VDD 15V
VGS=10V
RL=21Ω
RG =10Ω
VDD 15V RL =11Ω
VGS=5V
RG =10Ω
ID=1.4A
Unit
V
Test Conditions
IS=0.6A, VGS=0V
Unit
μA
V
μA
V
mΩ
∗パルス z຾࿪ҲҖҜ̶һຟౕ (ү̶ҫ̠һӞҖӥࠖ) (Ta=25qC)
Parameter
順方向電圧 Symbol
VSD
Min.
−
Typ.
−
Max.
1.2
Rev.B
2/7
US6M1
࠻࡜ࡦࠫࠬ࠲
P-ch
zใࡂศຟౕ (Ta=25qC)
Parameter
Symbol Min.
ゲート漏れ電流 −
IGSS
ドレイン・ソース降伏電圧 V(BR) DSS −20
IDSS
ドレイン遮断電流 −
VGS (th) −0.7
ゲートしきい値電圧 −
∗
ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS (on)
−
−
順伝達アドミタンス Yfs ∗ 0.7
入力容量 Ciss
−
出力容量 −
Coss
帰還容量 −
Crss
td (on) ∗
−
ターンオン遅延時間立上がり時間 tr ∗
−
ターンオフ遅延時間 −
td (off) ∗
下降時間 tf ∗
−
Qg ∗
ゲート総電荷量 −
ゲート・ソース間電荷量 Qgs ∗
−
ゲート・ドレイン間電荷量 Qgd ∗
−
Typ.
−
−
−
−
280
310
570
−
150
20
20
9
8
25
10
2.1
0.5
0.5
Max.
−10
−
−1
−2.0
390
430
800
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
Conditions
VGS=12V, VDS=0V
ID= −1mA, VGS=0V
VDS= −20V, VGS=0V
VDS= −10V, ID= −1mA
ID= −1A, VGS= −4.5V
ID= −1A, VGS= −4V
ID= −0.5A, VGS= −2.5V
ID= −0.5A, VDS= −10V
VDS= −10V
VGS=0V
f=1MHz
ID= −0.5A, VDD −15V
VGS= −4.5V
RL=30Ω
RG =10Ω
VDD −15V RL=15Ω
VGS= −4.5V RG =10Ω
ID= −1A
Unit
V
Test Conditions
IS= −0.4A, VGS=0V
Unit
μA
V
μA
V
mΩ
∗パルス z຾࿪ҲҖҜ̶һຟౕ (ү̶ҫ̠һӞҖӥࠖ) (Ta=25qC)
Parameter
順方向電圧 Symbol
VSD
Min.
−
Typ.
−
Max.
−1.2
Rev.B
3/7
US6M1
࠻࡜ࡦࠫࠬ࠲
N-ch
zใࡂศຟౕࣆದ
1000
Ciss
Crss
Coss
10
0.1
1
10
100
td (off)
10
td (on)
tr
1
0.01
100
0.1
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : VDS (A)
STATIC DRAIN-SOURCE
ON-STATE RESISTANCE : RDS (on) (Ω)
DRAIN CURRENT : ID (A)
0.1
0.01
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
ID=1.5A
0.7
ID=0.75A
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
1
10
1
1.5
2
VGS=0V
Pulsed
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= −25°C
1
0.1
0.0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.01
0.0
0.5
1
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= −25°C
0.1
1
10
1.5
Fig.6 Source Current vs.
Source-Drain Voltage
10
VGS=4.0V
Pulsed
0.1
0.01
1.0
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : VSD (V)
Fig.5 Static Drain-Source
On-State Resistance vs.
Gate-Source Voltage
STATIC DRAIN-SOURCE
ON-STATE RESISTANCE : RDS (on) (Ω)
STATIC DRAIN-SOURCE
ON-STATE RESISTANCE : RDS (on) (Ω)
0.5
0.1
10
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= −25°C
0.1
0
Fig.3 Dynamic Input Characteristics
GATE-SOURCE VOLTAGE : VGS (V)
VGS=4.5V
Pulsed
0.1
0.01
0
10
0.8
Fig.4 Typical Transfer Characteristics
1
1
Ta=25°C
Pulsed
0.9
GATE-SOURCE VOLTAGE : VGS (V)
10
2
TOTAL GATE CHARGE : Qg (nC)
1.0
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= −25°C
0.001
0.0
3
Fig.2 Switching Characteristics
VDS=10V
Pulsed
1
10
Ta=25°C
VDD=15V
5 ID=1.5A
RG=10Ω
Pulsed
4
DRAIN CURRENT : ID (A)
Fig.1 Typical Capacitance
vs. Drain-Source Voltage
10
1
SOURCE CURRENT : Is (A)
1
0.01
tf
STATIC DRAIN-SOURCE
ON-STATE RESISTANCE : RDS (on) (Ω)
100
6
Ta=25°C
VDD=15V
VGS=4.5V
RG=10Ω
Pulsed
GATE-SOURCE VOLTAGE : VGS (V)
Ta=25°C
f=1MHz
VGS=0V
SWITCHING TIME : t (ns)
CAPACITANCE : C (pF)
1000
1
0.1
0.01
VGS=2.5V
Pulsed
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= −25°C
0.1
1
10
DRAIN CURRENT : ID (A)
DRAIN CURRENT : ID (A)
DRAIN CURRENT : ID (A)
Fig.7 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current (Ι)
Fig.8 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current (ΙΙ)
Fig.9 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current (ΙΙΙ)
Rev.B
4/7
US6M1
࠻࡜ࡦࠫࠬ࠲
P-ch
zใࡂศຟౕࣆದ
10000
Ciss
100
Crss
Coss
0.1
1
10
1000
tf
100
td (off)
td (on)
10
tr
1
0.01
100
0.1
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : −VDS (V)
0.1
0.01
0.001
0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8 3.0
STATIC DRAIN-SOURCE
ON-STATE RESISTANCE : RDS (on) (mΩ)
Ta=25°C
VDS= −10V
Pulsed
5
4
3
2
1
0
0
0.5
Ta=25°C
Pulsed
750
ID= −1A
ID= −0.5A
250
0
0
2
4
6
8
1.5
2
2.5
3
Fig.3 Dynamic Input Characteristics
1000
500
1
10
12
10
VGS=0V
Pulsed
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= −25°C
1
0.1
0.01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
GATE-SOURCE VOLTAGE : −VGS (V)
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : −VSD (V)
Fig.4 Typical Transfer Characteristics
Fig.5 Static Drain-Source
On-State Resistance vs.
Gate-Source Voltage
Fig.6 Source Current vs.
Source-Drain Voltage
10000
1000
100
0.01
VGS= −4.5V
Pulsed
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= −25°C
0.1
1
10
10000
1000
100
0.01
STATIC DRAIN-SOURCE
ON-STATE RESISTANCE : RDS (on) (mΩ)
GATE-SOURCE VOLTAGE : −VGS (V)
STATIC DRAIN-SOURCE
ON-STATE RESISTANCE : RDS (on) (mΩ)
DRAIN CURRENT : −ID (A)
6
TOTAL GATE CHARGE : Qg (nC)
Fig.2 Switching Characteristics
1
STATIC DRAIN-SOURCE
ON-STATE RESISTANCE : RDS (on) (mΩ)
10
Ta=25°C
VDD= −15V
ID= −1A
RG=10Ω
Pulsed
7
DRAIN CURRENT : −ID (A)
Fig.1 Typical Capacitance
vs. Drain-Source Voltage
10
1
REVERSE DRAIN CURRENT : −IS (A)
10
0.01
8
Ta=25°C
VDD= −15V
VGS= −4.5V
RG=10Ω
Pulsed
GATE-SOURCE VOLTAGE : −VGS (V)
Ta=25°C
f=1MHz
VGS=0V
SWITCHING TIME : t (ns)
CAPACITANCE : C (pF)
1000
VGS= −4V
Pulsed
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= −25°C
0.1
1
10
10000
1000
VGS= −2.5V
Pulsed
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
Ta= −25°C
100
0.01
0.1
1
10
DRAIN CURRENT : −ID (A)
DRAIN CURRENT : −ID (A)
DRAIN CURRENT : −ID (A)
Fig.7 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current (Ι)
Fig.8 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current (ΙΙ)
Fig.9 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current (ΙΙΙ)
Rev.B
5/7
US6M1
࠻࡜ࡦࠫࠬ࠲
N-ch
zഐช‫ݷ‬ᇓన
Pulse Width
VGS
ID
VDS
RL
D.U.T.
90%
50%
10%
VGS
VDS
50%
10%
10%
RG
VDD
90%
td(on)
90%
td(off)
tr
ton
Fig.1-1 スイッチング時間測定回路
tf
toff
Fig.1-2 スイッチング波形 VG
VGS
ID
VDS
RL
IG(Const.)
D.U.T.
Qg
VGS
Qgs
RG
Qgd
VDD
Charge
Fig.2-1 ゲート電荷量測定回路 Fig.2-2 ゲート電荷量波形
Rev.B
6/7
US6M1
࠻࡜ࡦࠫࠬ࠲
P-ch
zഐช‫ݷ‬ᇓన
Pulse Width
VGS
ID
VDS
VGS
10%
50%
D.U.T.
50%
90%
RL
10%
10%
RG
VDD
VDS
90%
td(on)
90%
td(off)
tr
ton
Fig.3-1 スイッチング時間測定回路
tf
toff
Fig.3-2 スイッチング波形 VG
VGS
ID
VDS
RL
IG(Const.)
D.U.T.
Qg
VGS
Qgs
RG
Qgd
VDD
Charge
Fig.4-1 ゲート電荷量測定回路 Fig.4-2 ゲート電荷量波形
Rev.B
7/7
Appendix
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