基礎電子回路理解度テスト【秋濃、2012/1/11】学籍番号【問題１．次の文章の (1) トランジスタは定電流特性を持っており，VCE が変化しての中に適することばを入れ、文章】氏名【も IC = 1 [mA] に変化はない．を完成せよ。 (1) シリコン真性半導体に５価の不純物を加えると自由電子をもつ物質となります。ここで、５価の不純物をドナー N 形不純物半といい、この不純物を加えた半導体のことを導体といいます。一方、３価の不純物を加えるといい、この不純物を加えた半導体のことを P (2) 2 [KΩ] になると，RL での電圧効果が増加し，C – E 間電圧が低下するが，トランジスタは定電流特性を持っており， IC = 1 [mA] に変化はない．ホールをもつ物質となります。ここで、３価の不純物をアクセプタと形不純物半導体といいます。 (2) PN 接合は図 a のように電圧を加えると、空乏層における内問題３．図 a の回路で、図 b のように 6 [V] を中心に  3 [V] の出力電圧 VO を取りだそうとしています。 V BB の値およびいくらにすればよいかを求めなさい。 vi の最大振幅(vi p-p )　部電界が弱められ、電子、ホールの移動が生じ、電流が流れる。ここで、このように電圧を加えることをるといい、流れる電流を順方向順方向電圧を加え電流といいます。一方、図 b のように電圧を加えても電流は流れない。このように、一方向にしか電流を流さないという働きを、整流作用という。 (a) 問題２．図の回路で、I C  1 [mA] になるように調整しました。つぎの問に答えなさい。 (1) 】 VCCを10 [V] から15 [V] に変更すると、コレクタ電流はどうなりますか。 (2) 抵抗 R x の値を 1[k] から　2 [k] に変更すると、コレクタ電流はどのようになりますか。 (b) VBB = 0.7 [V] Vi p-p = 0.04 [V]