SFT1407

SFT1407
注文コード No. N A 0 7 6 4
三洋半導体データシート
N
SFT1407
N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ
汎用スイッチングデバイス
特長
・モータドライブ用。
・低オン抵抗。
・4V 駆動。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
項目
ドレイン・ソース電圧
ゲート・ソース電圧
ドレイン電流
(DC)
記号
VDSS
VGSS
ID
ドレイン電流
(PW ≦ 10µs)
IDP
許容損失
PD
チャネル温度
保存周囲温度
条件
定格値
unit
V
45
± 20
14
V
A
PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1%
56
1.0
A
W
Tc=25℃
Tch
20
150
W
℃
Tstg
− 55 ∼+ 150
℃
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
項目
ドレイン・ソース降伏電圧
記号
条件
定格値
min
45
typ
max
unit
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
ID=1mA, VGS=0V
VGS(off)
yfs
RDS(on)1
RDS(on)2
VDS=10V, ID=1mA
VDS=10V, ID=7A
入力容量
出力容量
Ciss
Coss
VDS=20V, f=1MHz
VDS=20V, f=1MHz
2225
260
pF
pF
帰還容量
Crss
VDS=20V, f=1MHz
190
pF
ドレイン・ソースしゃ断電流
ゲート・ソースもれ電流
ゲート・ソースしゃ断電圧
順伝達アドミタンス
ドレイン・ソース間オン抵抗
単体品名表示:T1407
V
VDS=45V, VGS=0V
VGS= ± 16V, VDS=0V
ID=7A, VGS=10V
ID=7A, VGS=4V
1.2
5.8
1
± 10
µA
µA
2.6
V
S
28
41
mΩ
mΩ
9.7
21
29
次ページへ続く。
本書記載の製品は、一般的な電子機器(家電製品、AV機器、通信機器、事務機器、産業用機器など)に使用
されることを「標準用途」として意図しております。
極めて高度の信頼性を要され、その製品の故障や誤動作により直接人命を脅かしたり、人体に危害を及ぼす
恐れのある「特定用途」(生命維持を目的として設計された医療機器、航空宇宙機器、原子力制御機器、燃
焼機器、輸送機器、交通信号機器、各種安全装置など)に本書記載の製品を使用することは意図もされてい
ませんし、また、保証もされていません。
ご使用を検討されるお客様および弊社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお客様は、事前に弊社営
業窓口までご相談願います。ご相談なく使用することは、お客様の責任でなされることになります。
本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ
り、お客様の製品(機器)での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では
予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
40407PA TI IM ◎丹野 TC-00000275 No. A0764-1/4
SFT1407
前ページより続く。
項目
記号
定格値
条件
td(on)
tr
td(off)
指定回路において
立ち上がり時間
ターンオフ遅延時間
指定回路において
指定回路において
50
150
ns
ns
下降時間
総ゲート電荷量
tf
Qg
指定回路において
VDS=24V, VGS=10V, ID=14A
80
40
ns
nC
ゲート・ソース電荷量
ゲート・ドレイン電荷量
Qgs
Qgd
6
8
nC
nC
ダイオード順電圧
VSD
VDS=24V, VGS=10V, ID=14A
VDS=24V, VGS=10V, ID=14A
IS=14A, VGS=0V
7518-004
7003-004
2.3
5.5
7.0
5.5
4
0.85
0.7
0.5
0.6
1
2
2.3
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
4 : Drain
2.3
2
3
0 to 0.2
0.6
0.5
3
2.5
0.8
1
7.5
0.8
1.6
0.85
1.2
SANYO : TP
V
0.5
1.5
4
1.2
2.3
6.5
5.0
0.5
1.5
6.5
5.0
0.92
1.2
外形図
unit : mm (typ)
ns
7.0
外形図
unit : mm (typ)
max
unit
typ
27
ターンオン遅延時間
min
1.2
2.3
2.3
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
4 : Drain
SANYO : TP-FA
スイッチングタイム測定回路図
VDD=24V
VIN
10V
0V
ID=7A
RL=3.3Ω
VOUT
VIN
D
PW=10µs
D.C.≦1%
G
P.G
50Ω
S
SFT1407
No. A0764-2/4
SFT1407
ID -- VDS
VDS=10V
V
3.5
6
VGS=3.0V
4
2
0.4
0.6
0.8
1.0
RDS(on) -- VGS
60
Ta=25°C
ID=7A
50
40
30
20
10
0
0
2
4
6
8
10
0
12
14
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
16
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
IT12254
RDS(on) -- Ta
60
50
40
=7A
, ID
=4V
VGS
30
=7A
, ID
=10V
VGS
20
10
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
周囲温度, Ta -- °C
IT12255
140
160
IT12256
IS -- VSD
5
VDS=10V
2
1.0
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
yfs -- ID
3
0.5
IT12253
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
0.2
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
VGS=0V
3
2
5
=
Ta
--25
°C
°C
75
3
2
3
2
1.0
7
5
3
1.0
2
7
5
0.1
10
7
5
--25°C
7
ソース電流, IS -- A
2
10
25°C
5°C
Ta=7
5°C
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
4
0
0
順伝達アドミタンス, yfs -- S
6
2
0
2
3
5
7 1.0
2
3
5
7
10
ドレイン電流, ID -- A
2
0.1
0.2
3
0.6
0.8
1.0
ダイオード順電圧, VDS -- V
1.2
IT12258
Ciss, Coss, Crss -- VDS
5
VDD=24V
VGS=10V
td(off)
2
0.4
IT12257
SW Time -- ID
3
f=1MHz
3
Ciss
Ciss, Coss, Crss -- pF
スイッチングタイム, SW Time -- ns
8
--25°C
8
10
25°
C
3.3V
V
10
ドレイン電流, ID -- A
10.
0V
12
16.0
ドレイン電流, ID -- A
12
ID -- VGS
14
Ta
=7
5°C
8 .0
V
6 .0 V
4.0
V
14
100
tf
7
5
tr
td(on)
3
2
2
1000
7
5
3
Coss
2
Crss
10
7
0.1
100
2
3
5
7
1.0
2
3
5
ドレイン電流, ID -- A
7
10
2
3
IT12259
0
5
10
15
20
25
30
35
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
40
45
IT12260
No. A0764-3/4
SFT1407
VGS -- Qg
10
VDS=24V
ID=14A
8
ドレイン電流, ID -- A
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
9
7
6
5
4
3
2
3
2
ID=14A
10
7
5
DC
3
2
0
5
10
15
20
25
30
総ゲート電荷量, Qg -- nC
35
40
s
op
s
ati
on
Tc=25°C
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
3
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
IT12261
PD -- Ta
1.2
m
0m
er
1.0
7
5
10
10
Operation in this
area is limited by RDS(on).
0.1 1パルス
2 3
0.1
0
<10µs
10
0µ
s
1m
s
IDP=56A
3
2
1
5 7 100
IT12262
PD -- Tc
25
1.0
20
許容損失, PD -- W
許容損失, PD -- W
ASO
100
7
5
0.8
放
熱
板
な
し
0.6
0.4
15
10
5
0.2
0
0
0
20
40
60
80
100
周囲温度, Ta -- °C
120
140
160
IT12263
0
20
40
60
80
100
120
ケース温度, Tc -- °C
140
160
IT12264
取り扱い上の注意:本製品は、MOSFET ですので、帯電性の大きな環境での取り扱いはご遠慮下さい。
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等)を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠
陥について、弊社は責任を負いません。
弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めておりますが、一般的に半導体製品はある確率で誤
動作や故障が生じてしまいます。この誤動作や故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、
他の物品に損害を与えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。
機器設計時には、このような事故を起こさないような、保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・
機構設計等の安全対策を行って下さい。
本書記載の製品が、外国為替及び外国貿易法に定める規制貨物に該当する場合、輸出する際に同法に基づく
輸出許可を要する場合があります。
弊社の文書による承諾なしに、本書の一部または全部を、転載または複製することを禁止します。
本書に記載された内容は、製品改善および技術改良等により将来予告なしに変更することがあります。した
がって、ご使用の際には、「納入仕様書」でご確認下さい。
本書記載の情報(掲載回路および回路定数を含む)は一例を示すもので、量産セットとしての設計を保証す
るものではありません。
本書に記載された技術情報の使用もしくは本書に記載された製品の使用にあたって、弊社もしくは第三者の
知的財産権その他の権利の実施に対する保証または実施権の許諾を行なうものではありません。上記技術情
報及び製品の使用に起因する第三者所有の権利にかかわる問題が発生した場合に、弊社はその責任を負うも
のではありません。
PS No. A0764-4/4