2SK0615 (2SK615)

シリコン MOS FET (小信号)
2SK0615 (2SK615)
シリコンNチャネルMOS形
スイッチング用
Unit : mm
■特長
最大ドレイン電流
±0.5
A
±1
A
(1.0)
4.5±0.1
3.5±0.1
4.1±0.2
2.0±0.2
1
(2.5)
1
W
Tch
150
°C
Tstg
−55 ~ +150
°C
PD
守
チャネル部温度
プリント基板:
V
*
0.45±0.05
1.25±0.05
0.55±0.1
V
20
IDP
許容損失
2.4±0.2
1.0±0.1
ID
(0.85)
単位
廃
80
VGSO
ドレイン電流
保存温度
定格
VDS
ゲート· ソース電圧
R 0.9
R 0.7
止
記号
ドレイン·ソース電圧
(1.0)
(1.5)
予
最一定品
新括種
のし、
ht 情て保
tp 報保守
:// は守品
w ホ廃
w
w ー止種、
.s ムと廃
em ペ表
ic ー記予定
on ジし
.p をて品種
an ごい
as 覧ま、
on くす廃品
ic だ。種
.c さ
o. い
を
jp
。
■ 絶対最大定格 (Ta = 25°C)
項目
(0.4)
● 低いオン抵抗
● スイッチング速度が速い。
● CMOS, TTL で直接駆動
● M型パッケージで自動挿入、
手挿入が容易、P板に自立固定で
きる。
*
2.5±0.1
6.9±0.1
(1.5)
2
1: Source
2: Drain
3: Gate
EIAJ: SC-71
M-A1 Package
3
(2.5)
ドレイン部分の銅箔面積 1cm2 以上、厚み 1.7mm
■ 電気的特性 (Ta = 25°C)
項目
記号
保
ドレイン·ソースしゃ断電流
ゲート·ソース漏れ電流
ドレイン·ソース降伏電圧
ゲートしきい値電圧
単位
10
µA
VGS = 20V, VDS = 0
0.1
µA
VDSS
IDS = 100µA, VGS = 0
80
Vth
ID = 1mA, VDS = VGS
1.5
| Yfs |
保
守
最大
VDS = 60V, VGS = 0
RDS(on)
帰還容量 (ソース接地)
標準
IGSS
ドレイン·ソース間オン抵抗
入力容量 (ソース接地)
最小
IDSS
順方向伝達アドミタンス
出力容量 (ソース接地)
条件
*1
ID = 0.5A, VGS = 10V
2
ID = 0.2A, VDS = 15V, f = 1kHz
Ciss
Coss
3.5
VDS = 10V, VGS = 0, f = 1MHz
4
V
V
Ω
300
mS
45
pF
30
pF
Crss
8
pF
ターンオン時間
ton*1, 2
15
ns
ターンオフ時間
*1, 2
20
ns
*1
*2
toff
パルス測定
ton, toff 測定回路
Vout
Vin = 10V
t = 1µS
f = 1MHZ
Vin
68Ω
50Ω
VDD = 30V
10%
Vin
10%
90%
90% V
Vout
out
ton
toff
注 ) ( )内は , 従来品番です
1
シリコンMOS FET (小信号)
2SK0615
PD  Ta
ID  VDS
1.6
1.2
1.2
Ta=25˚C
ドレイン電流 ID (A)
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
VDS=10V
Ta=25˚C
VGS=5.5V
1.0
1.0
5V
0.8
4.5V
0.6
4V
0.4
ドレイン電流 ID (A)
Copper plate at the Drain is
more than 1cm2 in area,
1.7mm in thickness.
1.4
許容損失 PD (W)
ID  VGS
0.8
0.6
0.4
3.5V
0.2
0.2
0.2
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
120
400
300
200
100
0
1
2
3
4
5
6
保
ゲート・ソース電圧 VGS (V)
RDS(on)  Ta
6
4
ID=500mA
保
守
5
VGS=5V
3
10V
2
1
0
–50
–25
0
25
0
10
VGS=0
f=1MHz
Ta=25˚C
廃
500
守
順方向伝達アドミタンス |Yfs| (mS)
8
0
2
4
6
50
周囲温度 Ta (˚C)
75
100
80
60
40
Ciss
20
Coss
Crss
0
1
3
10
30
100
8
10
ゲート・ソース電圧 VGS (V)
Ciss, Coss, Crss  VDS
VDS=15V
f=1kHz
Ta=25˚C
0
ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(on) (Ω)
6
ドレイン・ソース電圧 VDS (V)
入力容量（ソース接地）, 出力容量（ソース接地）,
帰還容量（ソース接地） Ciss, Coss, Crss (pF)
| Yfs |  VGS
600
4
予
最一定品
新括種
のし、
ht 情て保
tp 報保守
:// は守品
w ホ廃
w
w ー止種、
.s ムと廃
em ペ表
ic ー記予定
on ジし
.p をて品種
an ごい
as 覧ま、
on くす廃品
ic だ。種
.c さ
o. い
を
jp
。
周囲温度 Ta (˚C)
2
ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(on) (Ω)
0
2
止
3V
RDS(on)  VGS
6
ID=500mA
5
4
3
2
1
Ta=75˚C
25˚C
–25˚C
0
300
1000
ドレイン・ソース電圧 VDS (V)
0
4
8
12
16
ゲート・ソース電圧 VGS (V)
20
本書に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項
(1)
本書に記載の製品および技術情報を輸出または非居住者に提供する場合は、当該国における法令、特に安全保障輸出
管理に関する法令を遵守してください。
(2)
本書に記載の技術情報は、製品の代表特性および応用回路例などを示したものであり、弊社または他社の知的財産権
もしくはその他の権利に基づくライセンスは許諾されていません。したがって、上記技術情報のご使用に起因して第三
者所有の権利にかかわる問題が発生した場合、弊社はその責任を負うものではありません。
(3) 本書に記載の製品は、標準用途 − 一般電子機器(事務機器、通信機器、計測機器、家電製品など)に使用されること
を意図しております。
特別な品質、信頼性が要求され、その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり、人体に危害を及ぼす恐れのある用途
− 特定用途(航空・宇宙用、交通機器、燃焼機器、生命維持装置、安全装置など)にご使用をお考えのお客様および弊
社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお客様は、事前に弊社営業窓口までご相談願います。
(4) 本書に記載の製品および製品仕様は、改良などのために予告なく変更する場合がありますのでご了承ください。した
がって、最終的な設計、ご購入、ご使用に際しましては、事前に最新の製品規格書または仕様書をお求め願い、ご確認
ください。
予
最一定品
新括種
のし、
ht 情て保
tp 報保守
:// は守品
w ホ廃
w
w ー止種、
.s ムと廃
em ペ表
ic ー記予定
on ジし
.p をて品種
an ごい
as 覧ま、
on くす廃品
ic だ。種
.c さ
o. い
を
jp
。
止
(5) 設計に際しては、絶対最大定格、動作保証条件(動作電源電圧、動作環境等)の範囲内でご使用いただきますようお願
いいたします。特に絶対最大定格に対しては、電源投入および遮断時、各種モード切替時などの過渡状態においても、
超えることのないように十分なご検討をお願いいたします。保証値を超えてご使用された場合、その後に発生した機器
の故障、欠陥については弊社として責任を負いません。
また、保証値内のご使用であっても、半導体製品について通常予測される故障発生率、故障モードをご考慮の上、弊
社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故、火災事故、社会的な損害などを生じさせない冗長設計、延焼対策設計、
誤動作防止設計などのシステム上の対策を講じていただきますようお願いいたします。
廃
(6) 製品取扱い時、実装時およびお客様の工程内における外的要因（ESD、EOS、熱的ストレス、機械的ストレス）による
故障や特性変動を防止するために、使用上の注意事項の記載内容を守ってご使用ください。
また、防湿包装を必要とする製品は、保存期間、開封後の放置時間など、個々の仕様書取り交わしの折に取り決めた
条件を守ってご使用ください。
守
保
保
090506
守
(7) 本書の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに、転載または複製することを堅くお断りいたします。

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