2SK4161D

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2SK4161D
特徴
2014 年 3 月
パッケージ
・低オン抵抗
・ゲート保護用 Di 内蔵
・
TO-3P
アプリケーション
・車載電動パワーステアリング
・大電流スイッチ
内部等価回路
主要スペック
2
・V(BR)DSS = 60V (ID=100μA)
・RDS(ON) = 4.8mΩ max. (VGS=10V, ID=35A)
・RDS(ON) = 6.0mΩ max. (VGS=8V, ID=35A)
1
,
絶対最大定格
3
(周囲温度=25℃)
,
項目
記号
定格
単位
ドレイン・ソース電圧
VDSS
60
V
ゲート・ソース電圧
VGSS
±20
V
ドレイン電流(直流)
ID
±100
A
ド レ イ ン 電 流 (パ ル ス )
ID(pulse)
±200
A
PD
1 3 2 (Tc=2 5 ℃ )
W
アバランシェエネルギー耐量
(単一パルス)
EAS※2
400
mJ
チ ャ ネ ル 部 温 度
Tch
175
℃
保
Tstg
-5 5 ~ +1 7 5
℃
許
容
存
損
温
失
度
※1
※1 PW≦100µsec., duty cycle≦1%
※2 VDD=20V , L=500µH , IL=38.2A , unclamped , RG=50Ω, 2 回
図1参照
記載されている内容は改良などにより予告なく変更することがあります。ご使用の際には、最新の情報であることをご確認ください.
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2014 年 3 月
電気的特性
(周囲温度=25℃)
規格
項目
記号
条件
単位
MIN
ドレイン・ソース降伏電圧
V(BR)DSS
ID=100µA,
VGS=0V
ゲ ー ト ・ ソ ー ス 漏 れ 電 流
IGSS
VGS=±15V
ド
流
IDSS
圧
VTH
レ
イ
ン
電
ゲ ー ト し き い 値
電
直 流 伝 達 コ ン ダ ク タ ン ス
Re(yfs)
直
流
オ
ン
抵
抗
RDS(ON)
直
流
オ
ン
抵
抗
RDS(ON)
入
力
容
量
Ciss
出
力
容
量
Coss
帰
還
容
量
Crss
間
td(on)
間
tr
オ
ン
立
時
遅
上
オ
フ
下
時
り
遅
降
れ
時
時
れ
時
時
VDS=60V,
VGS=0V
VDS=10V,
ID=1mA
VDS=10V,
ID=35A
ID=35A,
VGS=10V
ID=35A,
VGS=8V
VDS=10V
VGS=0V
f=1MHz
間
td(off)
間
tf
ID=40A
VDD≒20V
RG=30Ω
RL=0.5Ω
VGS=10V
図 2 参照
TYP
MAX
60
V
3.25
3.6
30
80
±10
µA
100
µA
3.95
V
S
3.8
4.8
mΩ
4.2
6.0
mΩ
(8250)
10000
(11250)
(800)
1000
(1200)
(585)
730
(875)
(120)
160
(200)
(290)
490
(690)
pF
ns
(240)
400
(500)
(100)
200
(300)
ISD=50A,
VGS=0V
0.9
1.2
ISD=25A,
di/dt=50A/µs
80
ソース・ドレイン間Di順電圧
VSD
ソース・ドレイン間Di逆回復時間
trr
チ ャ ネ ル ・ケ ー ス 間 熱 抵 抗
Rth(ch-c)
1.13
℃/W
チ ャ ネ ル ・外 気 間 熱 抵 抗
Rth(ch-a)
35.71
℃/W
(
)数値は設計値。
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V
ns
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各種代表特性
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2014 年 3 月
図 1 アバランシェエネルギー耐量 測定方法
L
V(BR)DSS
IL
VDS
ILp
RG
VDS
VDD
VGS
IL
VDD
0V
EAS=
(a) 測定回路
V(BR)DSS
1
・L・ILP2・
2
V(BR)DSS  VDD
(b) 出力波形
図 2 スイッチングタイム 測定方法
RL
90%
ID
VGS
VDS
RG
10%
VDD
90%
GS
VDS
0V
10%
td(on)
P.W.=10μs
Duty cycle≦1%
tr
ton
(a) 測定回路
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tf
toff
(b) 出力波形
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td(off)
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2014 年 3 月
外形図
(TO3P)
ゲートⅰ
17,18,19
ドレイン ⅰ F1
ソースⅰ
2,3,4
ゲートⅱ
12,13,14
ドレイン ⅱ F2
ソースⅱ
7,8,9
質量
約 1.0g
質量 約 6.0g
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