PUB4757 (PU7457)

パワートランジスタアレイ (F-MOS FET)
PUB4757 (PU7457)
シリコンNチャネルパワーF-MOS FET (ツェナーダイオード内蔵)
■特長
● 高アバランシェエネルギー耐量
● 高静電耐量
● 二次降伏がない。
● 高耐圧、大電力
● 低電圧駆動が可能。
unit: mm
ゲート· ソース電圧
ドレイン電流
許容損失
DC
パルス
止
1.65±0.2
Solder Dip
5.3±0.5
4.4±0.5
非繰返し
TC = 25°C
Ta = 25°C
チャネル部温度
保存温度
L = 5mH, IL = 3A, 1 pulse
保
*
定格
単位
VDSS
100 ± 15
V
VGSS
±20
V
ID
±3
A
IDP
EAS*
守
アバランシェエネルギー耐量
廃
記号
ドレイン·ソース降伏電圧
0.5±0.15
1.0±0.25
0.5±0.15
2.54±0.2
9 × 2.54 = 22.86±0.25
C 1.5±0.5
■ 絶対最大定格 (TC = 25°C)
項目
0.8±0.25
予
最一定品
新括種
のし、
ht 情て保
tp 報保守
:// は守品
w ホ廃
w
w ー止種、
.s ムと廃
em ペ表
ic ー記予定
on ジし
.p をて品種
an ごい
as 覧ま、
on くす廃品
ic だ。種
.c さ
o. い
を
jp
。
● 無接点リレー
● ソレノイド駆動
● モータ駆動
● 制御機器
● スイッチング電源
9.5±0.2
■用途
4.0±0.2
8.0±0.2
25.3±0.2
PD
±9
A
22.5
mJ
15
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
G: Gate
D: Drain
S: Source
SIP10-A1 Package
内部接続図
3
W
3.5
Tch
150
°C
Tstg
−55 ~ +150
°C
5
4
7
6
9
8
2
1
10
■ 電気的特性 (TC = 25°C)
項目
記号
ドレイン·ソースしゃ断電流
保
守
ゲート·ソース漏れ電流
ドレイン·ソース降伏電圧
ゲートしきい値電圧
ドレイン·ソース間オン抵抗
IDSS
条件
最小
標準
VDS = 80V, VGS = 0
IGSS
VGS = ±20V, VDS = 0
VDSS
ID = 1mA, VGS = 0
85
Vth
VDS = 10V, ID = 1mA
1
RDS(on)1
VGS = 10V, ID = 2A
RDS(on)2
VGS = 4V, ID = 2A
順方向伝達アドミタンス
| Yfs |
VDS = 10V, ID = 2A
ダイオード順電圧
VDSF
IDR = 3A, VGS = 0
入力容量 (ソース接地)
Ciss
出力容量 (ソース接地)
Coss
帰還容量 (ソース接地)
Crss
ターンオン時間
ton
下降時間
tf
ターンオフ( 遅延) 時間
td(off)
VDS = 10V, VGS = 0, f = 1MHz
VGS = 10V, ID = 2A
VDD = 50V, RL = 25Ω
2.5
最大
単位
10
µA
±10
µA
115
V
2.5
V
300
450
mΩ
400
600
mΩ
4
S
−1.6
V
130
pF
160
pF
25
pF
0.2
µs
0.3
µs
1.5
µs
注 ) ( )内は , 従来品番です
SJK00042BJD
1
パワートランジスタアレイ (F-MOS FET)
PD  Ta
安全動作領域順バイアスASO
EAS  Tj
25
Non repetitive pulse
TC=25˚C
(1) TC=Ta
(2) With a 50 × 50 × 2mm
Al heat sink
(3) Without heat sink
20
IDP
10
許容損失 PD (W)
t=100µs
ID
3
1ms
10ms
1
DC
100ms
0.3
16
(1)
12
8
(2)
0.1
4
(3)
止
0.03
0
0.01
1
3
10
30
100
300
0
1000
20
40
IAS  L 負荷
10
80 100 120 140 160
0.01
1
3
10
30
保
L負荷 (mH)
ID  VDS
ドレイン電流 ID (A)
4V
5
3.5V
4
廃
3
3V
2
1
2.5V
15W
0
0
10
20
30
40
50
5
4
3
2
0
25
50
75
100
125
150
ジャンクション温度 Tj (˚C)
Vth  TC
6
VDS=10V
ID=1mA
5
4
3
2
1
1
0
0
0
1
2
3
4
5
6
0
ゲート・ソース電圧 VGS (V)
25
50
75
100
125
150
ケース温度 TC (˚C)
| Yfs |  ID
600
5
TC=25˚C
500
VGS=4V
400
300
10V
200
100
0
60
ドレイン・ソース電圧 VDS (V)
2
6
100
保
守
7
VGS=10V
5
RDS(on)  ID
8
6
10
VDS=10V
TC=25˚C
ゲートしきい値電圧 Vth (V)
0.03
ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(on) (Ω)
0.1
ドレイン電流 ID (A)
0.3
守
アバランシェ電流 IAS (A)
22.5mJ
1
15
ID  VGS
8
7
ID
20
周囲温度 Ta (˚C)
TC=25˚C
3
ID=3A
予
最一定品
新括種
のし、
ht 情て保
tp 報保守
:// は守品
w ホ廃
w
w ー止種、
.s ムと廃
em ペ表
ic ー記予定
on ジし
.p をて品種
an ごい
as 覧ま、
on くす廃品
ic だ。種
.c さ
o. い
を
jp
。
ドレイン・ソース電圧 VDS (V)
60
順方向伝達アドミタンス |Yfs| (S)
30
アバランシェエネルギー耐量 EAS (mJ)
24
100
ドレイン電流 ID (A)
PUB4757
VDS=10V
TC=25˚C
4
3
2
1
0
0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
ドレイン電流 ID (A)
SJK00042BJD
0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
ドレイン電流 ID (A)
パワートランジスタアレイ (F-MOS FET)
VDS, VGS  Qg
Coss
102
Ciss
Crss
10
70
60
10
VDS=25V
40
8
50V
30
6
20
20
40
60
80
100
10
2
VDS
3000
tp
1000
300
10
3
0.3
8
10
1.5
td(off)
1.0
0.5
tf
ton
0
0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
ドレイン電流 ID (A)
1
3
10
30
100
パルス幅 tp (ms)
保
1
0.1
6
2.0
保
守
30
4
2.5
守
100
2
ゲートチャージ電荷量 Qg (nC)
3.0
廃
PZSM  tp
10000
0
0
12
VDD=50V
VGS=10V
TC=25˚C
3.5
予
最一定品
新括種
のし、
ht 情て保
tp 報保守
:// は守品
w ホ廃
w
w ー止種、
.s ムと廃
em ペ表
ic ー記予定
on ジし
.p をて品種
an ごい
as 覧ま、
on くす廃品
ic だ。種
.c さ
o. い
を
jp
。
ドレイン・ソース電圧 VDS (V)
4
VGS
0
0
14
12
50
4.0
止
103
16
ID=3A
TC=25˚C
スイッチング時間 ton, tf, t(off) (µs)
80
f=1MHz
TC=25˚C
1
ツェナーダイオード電力 PZSM (W)
ton, tf, td(off)  ID
ゲート・ソース電圧 VGS (V)
104
ドレイン・ソース電圧 VDS (V)
入力容量（ソース接地）, 出力容量（ソース接地）,
帰還容量（ソース接地） Ciss, Coss, Crss (pF)
Ciss, Coss, Crss  VDS
PUB4757
SJK00042BJD
3
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ください。
予
最一定品
新括種
のし、
ht 情て保
tp 報保守
:// は守品
w ホ廃
w
w ー止種、
.s ムと廃
em ペ表
ic ー記予定
on ジし
.p をて品種
an ごい
as 覧ま、
on くす廃品
ic だ。種
.c さ
o. い
を
jp
。
止
(5) 設計に際しては、絶対最大定格、動作保証条件(動作電源電圧、動作環境等)の範囲内でご使用いただきますようお願
いいたします。特に絶対最大定格に対しては、電源投入および遮断時、各種モード切替時などの過渡状態においても、
超えることのないように十分なご検討をお願いいたします。保証値を超えてご使用された場合、その後に発生した機器
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社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故、火災事故、社会的な損害などを生じさせない冗長設計、延焼対策設計、
誤動作防止設計などのシステム上の対策を講じていただきますようお願いいたします。
廃
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故障や特性変動を防止するために、使用上の注意事項の記載内容を守ってご使用ください。
また、防湿包装を必要とする製品は、保存期間、開封後の放置時間など、個々の仕様書取り交わしの折に取り決めた
条件を守ってご使用ください。
守
保
保
090506
守
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