XP04878

本製品はRoHS指令(EU 2002/95/EC)に対応しています。
複合トランジスタ
XP04878
シリコンNチャネルMOS形FET
0.2±0.05
5
6
5˚
0.2±0.1
1.25±0.10
2.1±0.1
• 2.5 V 駆動が可能
• ゲート保護ダイオード内蔵
• S ミニ型(6 端子)パッケージで実装面積とアセンブリコスト
の半減が可能
1
3
2
止
(0.65) (0.65)
1.3±0.1
2.0±0.1
ドレイン・ソース間降伏電圧
ゲート・ソース間電圧（D 開放時）
ドレイン電流
尖頭ドレイン電流
定格
単位
VDSS
50
V
VGSO
±7
V
ID
100
mA
IDP
200
mA
PT
150
mW
Tch
150
°C
Tstg
−55 ∼ +150
°C
守
全許容損失
記号
廃
項目
チャネル温度
保
0.9±0.1
0 to 0.1
■ 絶対最大定格 Ta = 25°C
0.9+0.2
–0.1
予
最一定品
新括種
のし、
ht 情て保
tp 報保守
:// は守品
w ホ廃
w
w ー止種、
.s ムと廃
em ペ表
ic ー記予定
on ジし
.p をて品種
an ごい
as 覧ま、
on くす廃品
ic だ。種
.c さ
o. い
を
jp
。
10˚
• 2SK3539 × 2
保存温度
0.12+0.05
–0.02
4
■ 特長
■ 基本品種
Unit : mm
(0.425)
スイッチング用
1 : Source (FET1)
2 : Gate (FET1)
3 : Drain (FET2)
EIAJ : SC-88
4 : Source (FET2)
5 : Gate (FET2)
6 : Drain (FET1)
SMini6-G1 Package
形名表示記号 : 7Y
内部接続図
6
5
4
1
2
3
■ 電気的特性 Ta = 25°C ± 3°C
記号
条件
最小
標準
最大
単位
VDSS
ID = 10 µA, VGS = 0
保
守
項目
ドレイン・ソース間降伏電圧
ドレイン・ソース間遮断電流
IDSS
VDS = 50 V, VGS = 0
1.0
µA
ゲート・ソース間遮断電流
IGSS
VGS = ±7 V, VDS = 0
±5
µA
Vth
ID = 1 µA, VDS = 3 V
ゲートしきい値電圧
ドレイン・ソース間オン抵抗
RDS(on)
順方向伝達アドミタンス
Yfs
50
0.9
ID = 10 mA, VGS = 2.5 V
ID = 10 mA, VGS = 4.0 V
ID = 10 mA, VGS = 4.0 V
VDS = 3 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz
20
V
1.2
1.5
V
8
15
Ω
6
12
60
mS
入力静電容量
（ソース接地）
Ciss
出力静電容量
（ソース接地）
Coss
帰還静電容量
（ソース接地）
Crss
ターンオン時間
ton
VDD = 3 V, VGS = 0 V ∼ 3 V, RL = 470 Ω
ターンオフ時間
toff
VDD = 3 V, VGS = 3 V ∼ 0 V, RL = 470 Ω
200
ns
12
pF
7
pF
3
pF
200
ns
注 ) 測定方法は，日本工業規格 JIS C7030 トランジスタ測定方法によります。
発行年月 : 2003年12月
SJJ00263BJD
1
本製品はRoHS指令(EU 2002/95/EC)に対応しています。
XP04878
PT  Ta
ID  VDS
70
80
40
ID  VGS
250
Ta = 25°C
60
VGS = 2.0 V
50
1.9 V
40
1.8 V
30
1.7 V
20
1.6 V
VDS = 3 V
Ta = −25°C
200
ドレイン電流 ID (mA)
120
ドレイン電流 ID (mA)
全許容損失 PT (mW)
160
25°C
75°C
150
100
50
10
40
80
120
160
0
0
2.0
3.0
10
0
12
0
1.0
2.0
3.0
ゲート・ソース間電圧 VGS (V)
VIN  IO
10
ID = 10 mA
VO = 5 V
Ta = 25°C
50
40
30
20
25°C
−25°C
0
1
Ta = 75°C
10
0
2
4
6
ゲート・ソース間電圧 VGS (V)
保
守
保
ゲート・ソース間電圧 VGS (V)
2
8
廃
1.0
ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(on) (Ω)
守
0.12
0.04
6
予
最一定品
新括種
のし、
ht 情て保
tp 報保守
:// は守品
w ホ廃
w
w ー止種、
.s ムと廃
em ペ表
ic ー記予定
on ジし
.p をて品種
an ごい
as 覧ま、
on くす廃品
ic だ。種
.c さ
o. い
を
jp
。
順方向伝達アドミタンス |Yfs | (mS)
VDS = 3 V
f = 1 MHz
Ta = 25°C
0.08
4
RDS(on)  VGS
60
0.16
2
ドレイン・ソース間電圧 VDS (V)
周囲温度 Ta (°C)
Yfs  VGS
0
入力電圧 VIN (V)
0
止
0
0
1.5 V
SJJ00263BJD
10 −1
1
10
出力電流 IO (mA)
102
本書に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項
(1)
本書に記載の製品および技術情報を輸出または非居住者に提供する場合は、当該国における法令、特に安全保障輸出
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特別な品質、信頼性が要求され、その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり、人体に危害を及ぼす恐れのある用途
− 特定用途(航空・宇宙用、交通機器、燃焼機器、生命維持装置、安全装置など)にご使用をお考えのお客様および弊
社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお客様は、事前に弊社営業窓口までご相談願います。
(4) 本書に記載の製品および製品仕様は、改良などのために予告なく変更する場合がありますのでご了承ください。した
がって、最終的な設計、ご購入、ご使用に際しましては、事前に最新の製品規格書または仕様書をお求め願い、ご確認
ください。
予
最一定品
新括種
のし、
ht 情て保
tp 報保守
:// は守品
w ホ廃
w
w ー止種、
.s ムと廃
em ペ表
ic ー記予定
on ジし
.p をて品種
an ごい
as 覧ま、
on くす廃品
ic だ。種
.c さ
o. い
を
jp
。
止
(5) 設計に際しては、絶対最大定格、動作保証条件(動作電源電圧、動作環境等)の範囲内でご使用いただきますようお願
いいたします。特に絶対最大定格に対しては、電源投入および遮断時、各種モード切替時などの過渡状態においても、
超えることのないように十分なご検討をお願いいたします。保証値を超えてご使用された場合、その後に発生した機器
の故障、欠陥については弊社として責任を負いません。
また、保証値内のご使用であっても、半導体製品について通常予測される故障発生率、故障モードをご考慮の上、弊
社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故、火災事故、社会的な損害などを生じさせない冗長設計、延焼対策設計、
誤動作防止設計などのシステム上の対策を講じていただきますようお願いいたします。
廃
(6) 製品取扱い時、実装時およびお客様の工程内における外的要因（ESD、EOS、熱的ストレス、機械的ストレス）による
故障や特性変動を防止するために、使用上の注意事項の記載内容を守ってご使用ください。
また、防湿包装を必要とする製品は、保存期間、開封後の放置時間など、個々の仕様書取り交わしの折に取り決めた
条件を守ってご使用ください。
守
保
保
090506
守
(7) 本書の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに、転載または複製することを堅くお断りいたします。

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