CPH5901

CPH5901
注文コード No. N 8 2 7 8 A
三洋半導体データシート
半導体ニューズ No.N8278 とさしかえてください。
CPH5901
TR : NPN エピタキシァルプレーナ型シリコントランジスタ
FET : N チャネル接合型シリコン電界効果トランジスタ
高周波増幅用 , AM 増幅用 , 低周波増幅用
特長
・従来の CPH5 に J・FET と NPN TR を 2 素子内蔵した複合タイプであり、実装基板効率が大幅にアップできる。
・CPH5901 は、2SK932 相当のチップと 2SC4639 相当のチップを同一ケース内に収容したものである。
・ドレインとエミッタは共通。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
項目
記号
条件
定格値
unit
[FET 部]
ドレイン・ソース電圧
ゲート・ドレイン電圧
VDSX
VGDS
ゲート電流
ドレイン電流
IG
ID
許容損失
[TR 部]
PD
コレクタ・ベース電圧
コレクタ・エミッタ電圧
15
− 15
V
V
10
50
mA
mA
350
mW
VCBO
VCEO
55
50
V
V
エミッタ・ベース電圧
コレクタ電流
VEBO
IC
6
150
V
mA
コレクタ電流
（パルス）
ベース電流
ICP
IB
300
30
mA
mA
コレクタ損失
[共通定格]
PC
セラミック基板(600mm2 × 0.8mm)装着時
350
mW
全損失
接合部温度
PT
Tj
セラミック基板(600mm2 × 0.8mm)装着時
500
150
mW
℃
保存周囲温度
Tstg
セラミック基板(600mm2 × 0.8mm)装着時
− 55 ∼＋ 150
℃
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
項目
記号
条件
定格値
min
typ
max
unit
[FET 部]
ゲート・ドレイン降伏電圧
ゲートしゃ断電流
V(BR)GDS
IGSS
IG= − 10µA, VDS=0V
VGS= − 10V, VDS=0V
− 15
ゲート・ソースしゃ断電圧
VGS(off)
VDS=5V, ID=100µA
− 0.2
単体品名表示：1A
− 0.6
− 1.0
V
nA
− 1.4
V
次ページへ続く。
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途（生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、
多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に
は、あらかじめ三洋半導体販売窓口までご相談下さい。
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥
について、弊社は責任を負いません。
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
11707 社変 / 62005AC MS IM TB-00001557 一部変 / 32505AC TS IM ◎川浦 TA-3705 No.8278-1/5
CPH5901
前ページより続く。
項目
記号
定格値
条件
min
6.0 ※
ドレイン電流
IDSS
順伝達アドミタンス
入力容量
yfs
Ciss
VDS=5V, VGS=0V
VDS=5V, VGS=0V, f=1kHz
VDS=5V, VGS=0V, f=1MHz
帰還容量
雑音指数
Crss
NF
VDS=5V, VGS=0V, f=1MHz
VDS=5V, Rg=1kΩ, ID=1mA, f=1kHz
[TR 部]
コレクタしゃ断電流
ICBO
VCB=35V, IE=0A
VEB=4V, IC=0A
VCE=6V, IC=1mA
エミッタしゃ断電流
直流電流増幅率
利得帯域幅積
出力容量
IEBO
hFE
fT
Cob
コレクタ・エミッタ飽和電圧
ベース・エミッタ飽和電圧
25
typ
max
20.0 ※
unit
mA
50
10
mS
pF
3.0
1.5
pF
dB
135
VCE=6V, IC=10mA
VCB=6V, f=1MHz
200
1.7
VCE(sat)
VBE(sat)
IC=50mA, IB=5mA
IC=50mA, IB=5mA
0.08
0.8
コレクタ・ベース降伏電圧
コレクタ・エミッタ降伏電圧
V(BR)CBO
V(BR)CEO
IC=10µA, IE=0A
IC=1mA, RBE=∞
エミッタ・ベース降伏電圧
ターンオン時間
V(BR)EBO
ton
IE=10µA, IC=0A
指定回路において
蓄積時間
下降時間
tstg
tf
指定回路において
指定回路において
55
50
0.1
µA
0.1
400
µA
MHz
pF
0.4
1.0
V
V
V
V
6
0.15
V
µs
0.75
0.20
µs
µs
※：CPH5901 は IDSS により次のように分類している(unit : mA)。
F
6.0 ∼ 12.0
ランク
IDSS
G
10.0 ∼ 20.0
外形図
電気的接続図
unit : mm
7017-007
5
1 : Collector
2 : Gate
3 : Source
4 : Emitter / Drain
5 : Base
3
0.2
0.05
2.8
1.6
0.6
4
3
0.15
0.4
5
4
1
2
0.6
Top view
1
2
0.95
1 : Collector
2 : Gate
3 : Source
4 : Emitter/Drain
5 : Base
0.7
0.9
0.2
2.9
SANYO : CPH5
スイッチングタイム測定回路図
PW=20µs
D.C.≦1%
IB1
IB2
OUTPUT
INPUT
VR
50Ω
RB
+
220µF
VBE= --5V
RL
+
470µF
VCC=20V
10IB1= --10IB2= IC=10mA
No.8278-2/5
CPH5901
ID -- VDS
16
ID -- VDS
[FET部]
20
[FET部]
ドレイン電流, ID -- mA
VGS=0V
12
10
--0.1V
8
--0.2V
6
4
--0.3V
--0.6V
0.4
0.8
1.2
1.6
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
ID -- VGS
[FET部]
A
0m
=2
S
mA
I DS
15 A
m
10 A
6m
--0.4
--0.2
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
yfs -- ID
10
5
A
10m
A
=6m
SS
3
--0.4V
--0.5V
A
20m
2
10
7
5
4
6
8
10
ITR10330
VGS(off) -- IDSS
[FET部]
VDS=5V
ID=100µA
--1.0
7
5
3
2
--0.1
3
5
7
2
10
3
ドレイン電流, IDSS -- mA
[FET部]
ID
3
1.0
2
ITR10331
VDS=5V
f=1kHz
7
--0.3V
2
0
5
ITR10332
yfs -- IDSS
100
順伝達アドミタンス, yfs -- mS
順伝達アドミタンス, yfs -- mS
100
--0.2V
0
40
0
--0.6
8
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
20
--0.8
--0.1V
ITR10329
30
--1.0
12
0
2.0
VDS=5V
--1.2
VGS=0V
--0.6V
ゲート・ソースしゃ断電圧, VGS(off) -- V
0
0
16
4
--0.4V
--0.5V
2
ドレイン電流, ID -- mA
ドレイン電流, ID -- mA
14
[FET部]
VDS=5V
VGS=0V
f=1kHz
7
5
3
2
10
2
3
5
7
2
10
ドレイン電流, ID -- mA
Ciss -- VDS
3
3
3
5
7
2
10
3
ドレイン電流, IDSS -- mA
[FET部]
5
ITR10334
Crss -- VDS
10
VGS=0V
f=1MHz
2
5
ITR10333
[FET部]
VGS=0V
f=1MHz
7
帰還容量, Crss -- pF
入力容量, Ciss -- pF
5
10
7
5
3
3
2
1.0
2
7
1.0
5
5
7
1.0
2
3
5
7
10
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
2
3
ITR10335
5
7
1.0
2
3
5
7
2
10
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
3
ITR10336
No.8278-3/5
CPH5901
NF -- f
14
[FET部]
VDS=5V
ID=10mA
6
6
A
4
A
m
kΩ
0
10 2
8
10
10
2
10
3m
Ω
Ω
1k
4
VDS=5V
Rg=1kΩ
A
=1m
ID
8
[FET部]
12
雑音指数, NF -- dB
10
00
=5
Rg
雑音指数, NF -- dB
12
NF -- f
14
2
5 100 2
5
2
1k
5 10k 2
周波数, f -- Hz
PD -- Ta
400
0
10
5 100k 2
5 1M
ITR10337
2
5 100 2
5
1k
2
5 10k 2
5 100k 2
5 1M
ITR10338
周波数, f -- Hz
[FET部]
許容損失, PD -- mW
350
セ
300
ラ
ミ
ッ
250
ク
基
板
(6
00
200
150
m
m2
×
0.8
m
m
)装
100
着
時
50
0
0
20
40
60
80
100
120
140
周囲温度, Ta -- °C
IC -- VCE
50
[TR部]
A
400µ
200µA
30
150µA
20
100µA
50µA
10
[TR部]
50µA
45µA
10
250µA
コレクタ電流, IC -- mA
コレクタ電流, IC -- mA
40
IC -- VCE
12
350µA
300µA
50
0µ
A
µA
450
160
IT09862
8
40µA
35µA
30µA
6
25µA
20µA
4
15µA
10µA
5µA
2
IB=0µA
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
コレクタ・エミッタ電圧, VCE -- V
IC -- VBE
160
IB=0µA
0
1.0
0
10
20
30
40
50
コレクタ・エミッタ電圧, VCE -- V
ITR10340
[TR部]
hFE -- IC
2
ITR10341
[TR部]
VCE=6V
VCE=6V
140
直流電流増幅率, hFE
120
100
Ta=75°C
25°C
--25°C
コレクタ電流, IC -- mA
1000
80
60
40
7
5
3
Ta=75°C
2
25°C
--25°C
100
7
20
5
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
ベース・エミッタ電圧, VBE -- V
1.2
1.4
ITR10342
3
0.1
2
3
5
1.0
2
3
5
10
2
3
コレクタ電流, IC -- mA
5
100 2 3
ITR10343
No.8278-4/5
CPH5901
f T -- IC
7
[TR部]
VCE=6V
5
cib -- VEB
5
[TR部]
f=1MHz
2
3
入力容量, cib -- pF
利得帯域幅積, f T -- MHz
3
2
100
7
5
10
7
5
3
2
3
1.0
2
3
5
7
2
10
3
5
7
コレクタ電流, IC -- mA
Cob -- VCB
3
[TR部]
f=1MHz
出力容量, Cob -- pF
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
5
7
2
1.0
3
5
7
2
10
3
5
VBE(sat) -- IC
10
7
100
ITR10346
2
1.0
3
5
7
10
ITR10345
VCE(sat) -- IC
3
[TR部]
IC / IB=10
2
1.0
7
5
3
2
0.1
75°C
C
--25°
7
Ta=
5
25
°C
3
2
1.0
2
3
5
7
2
10
3
5
7
コレクタ電流, IC -- mA
[TR部]
2
100
ITR10347
PC -- Ta
400
IC / IB=10
7
[TR部]
350
5
3
2
1.0
Ta= --25°C
7
セ
ラ
ミ
ッ
ク
基
板
(6
00
m
m2
×
300
250
200
0.8
m
150
m
)装
100
着
時
25°C
75°C
5
3
1.0
7
エミッタ・ベース電圧, VEB -- V
コレクタ損失, PC -- mW
ベース・エミッタ飽和電圧, VBE(sat) -- V
コレクタ・ベース電圧, VCB -- V
5
2
100
ITR10344
コレクタ・エミッタ飽和電圧, VCE(sat) -- V
2
1.0
50
0
2
3
5
7
10
2
3
5
コレクタ電流, IC -- mA
7
2
100
ITR10348
0
20
40
60
80
100
120
周囲温度, Ta -- °C
140
160
IT09863
本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ
り、お客様の製品（機器）での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では
予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。
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が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与
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保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。
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PS No.8278-5/5

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