2SJ103 - Biglobe

2SJ103
東芝電界効果トランジスタシリコン P チャネル接合形
2SJ103
○ 低周波増幅用
○ アナログ･スイッチ用
○ 定電流負荷用
○ インピーダンス変換用
単位: mm
: VGDS = 50 V
·
高耐圧です。
·
高入力インピーダンスです。
·
オン抵抗が低い。 : RDS (ON) = 270 Ω (標準) (IDSS = −5 mA)
·
2SK246 とコンプリメンタリになります。
: IGSS = 1.0 nA (最大) (VGS = 30 V)
最大定格 (Ta = 25°C)
項
目
記号
ゲート･ドレイン間電圧
ゲ
ー
ト
電
定
格
単位
VGDS
50
V
流
IG
-10
mA
JEDEC
TO-92
°C
JEITA
SC-43
°C
東
2-5F1C
許
容
損
失
PD
300
mW
接
合
温
度
Tj
125
保
存
温
度
Tstg
-55~125
芝
質量:
g (標準)
電気的特性 (Ta = 25°C)
項
ゲ
ー
ト
目
し
ゃ
記号
断
電
流
ゲート･ドレイン間降伏電圧
ド
レ
イ
ン
電
流
測定条件
最小
標準
最大
単位
VGSS
VGS = 30 V, VDS = 0
¾
¾
1.0
nA
V (BR) GDS
VDS = 0, IG = 100 mA
50
¾
¾
V
VDS = -10 V, VGS = 0
-1.2
¾
-14
mA
VDS = -10 V, ID = -0.1 mA
0.3
¾
6.0
V
VDS = -10 V, VGS = 0, f = 1 kHz
1.0
4.0
¾
mS
VDS = -10 mV, VGS = 0,
IDSS = -5 mA
¾
270
¾
W
IDSS
(注)
ゲート･ソース間しゃ断電流
VGS (OFF)
順方向伝達アドミタンス
ïYfsï
ドレイン･ソース間オン抵抗
RDS (ON)
入
力
容
量
Ciss
VDS = -10 V, VGS = 0, f = 1 MHz
¾
18
¾
pF
帰
還
容
量
Crss
VDG = -10 V, ID = 0, f = 1 MHz
¾
3.6
¾
pF
注:
IDSS 分類
Y: -1.2~-3.0 mA, GR: -2.6~-6.5 mA, BL: -6~-14 mA
1
2002-02-04
2SJ103
ID – VDS
ソース接地
Ta = 25°C
ソース接地
Ta = 25°C
(mA)
VGS = 0.5 V
-8
1.0
1.5
-4
2.0
0.5
-0.8
1.0
VGS = 0
1.5
-0.4
2.0
2.5
0
0
-2
-4
-6
0
0
-8
ドレイン･ソース間電圧 VDS
-0.2
順方向伝達アドミタンス ïYfsï (mS)
Ta = -25°C
25
-8
(mA)
VDS = -10 V
-6
ドレイン電流 ID
ソース接地
-4
100
-2
1.6
1.2
-0.6
-0.8
(V)
ïYfsï – IDSS
-10
2.0
-0.4
ドレイン･ソース間電圧 VDS
(V)
ID – IGS
2.4
(低電圧領域)
-1.2
0
ドレイン電流 ID
ドレイン電流 ID
(mA)
-12
ID – VDS
0.8
ゲート･ソース間電圧
0.4
0
0
30
ソース接地
IDSS : VDS = -10 V
VGS = 0
ïYfsï: VDS = -10 V
10
VGS = 0
f = 1 kHz
Ta = 25°C
5
2
-1
-3
ドレイン電流 IDSS
VGS (V)
-10
(mA)
VGS (OFF) – IDSS
RDS (ON) – IDSS
500
ゲート･ソース間しゃ断電圧
VGS (OFF) (V)
ドレイン･ソース間オン抵抗
RDS (ON) (W)
10
300
ソース接地
: VDS = -10 V
IDSS
VGS = 0
100
RDS (ON): VDS = -10 mV
VGS = 0
Ta = 25°C
50
-1
-3
ドレイン電流 IDSS
-10
5
ソース接地
IDSS
: VDS = -10 V
VGS = 0
VGS (OFF): VDS = -10 mV
ID = -0.1 mA
Ta = 25°C
3
1
-1
-3
ドレイン電流 IDSS
(mA)
2
-10
(mA)
2002-02-04
2SJ103
IGSS – Ta
IDSS = 5.4 mA
IGSS (A)
300
300 P
7.6
11.8
100
ゲートしゃ断電流
ドレイン･ソース間オン抵抗
RDS (ON) (W)
RDS (ON) – Ta
500
ソース接地
50
VDS = -10 mV
VGS = 0
20
-40
0
40
80
周囲温度 Ta (°C)
100 P
VGD = 30 V
VDS = 0
50 P
30 P
10 P
5P
3P
1P
0.5 P
0.2 P
-40
0
40
80
120
周囲温度 Ta (°C)
IGSX – VDS
Crss – VGD
300 P
20
ソース接地
ソース接地
(pF)
Ta = 25°C
50 P
帰還容量 Crss
ゲート過剰逆電流
IGSX (A)
100 P
30 P
10 P
5P
ID = 0
10
f = 1 MHz
Ta = 25°C
5
3
3P
VDS
0.5 P
0.2 P
0
1
1
IGSX
1P
3
10
30
ゲート･ドレイン間電圧 VGD
(V)
A
-10
-20
-30
ドレイン･ソース間電圧 VDS
-40
(V)
PD – Ta
400
Ciss – VDS
100
(mW)
VGS = 0
50
f = 1 MHz
Ta = 25°C
許容損失 PD
入力容量 Ciss
(pF)
ソース接地
30
300
200
100
10
5
-1
-3
-10
ドレイン･ソース間電圧 VDS
0
0
-30
25
50
75
100
125
周囲温度 Ta (°C)
(V)
3
2002-02-04
2SJ103
当社半導体製品取り扱い上のお願い
000629TAA
· 当社は品質、信頼性の向上に努めておりますが、一般に半導体製品は誤作動したり故障することがあります。当
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ないように、購入者側の責任において、機器の安全設計を行うことをお願いします。
なお、設計に際しては、最新の製品仕様をご確認の上、製品保証範囲内でご使用いただくと共に、考慮されるべ
き注意事項や条件について｢東芝半導体製品の取り扱い上のご注意とお願い｣、｢半導体信頼性ハンドブック｣など
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ロボット、家電機器など) に使用されることを意図しています。特別に高い品質･信頼性が要求され、その故障や
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交通信号機器、燃焼制御、医療機器、各種安全装置など) にこれらの製品を使用すること (以下 “特定用途” とい
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2002-02-04

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