電気的特性からみた基板結晶の課題（主に他人の褌で）名古屋工業大学大学院工学研究科准教授加藤正史 http://ik-lab.web.nitech.ac.jp/ @m34kato ユニポーラデバイスの観点リーク・酸化膜破壊は表面のピットに起因ピットは転位位置に転位の減少が必要 H. Fujiwara et al., Appl. Phys. Lett. 100 (2012) 242102. のFig.5 ただしプロセスによってはピットにならないプロセスで何とかなる＝シリアスでない？バイポーラデバイスの観点エピ層のキャリアライフタイムが重要従来制限してきたのは点欠陥(Z1/2) Z1/2は低減可能 S. Ichikawa, Appl. Phys. Express 5 (2012) 101301 のFig.1. 数十μsのキャリアライフタイムが実現キャリアの拡散長は100 μmオーダーとなるとキャリアは転位により再結合 100 μm 転位の周囲100 μmΦのキャリアが転位で再結合すると仮定で、転位にリミットされないためには S. Ichikawa, Appl. Phys. Express 5 (2012) 101301. のFig3(b) 1/(100μm×100μm×)=3×103 cm-2 現状の市販ウェハ ~104 cm-2 3×103 cm-2は現実的な目標か？転位の種類に関して Gan Feng et al., Jpn. J. Appl. Phys. 49 (2010) 090201 のFig.1 刃状よりも螺旋の方が悪影響ただしバーガースベクトルまでは議論できていない結局全ての転位を少なくして欲しい、という身も蓋も… 将来の基板への期待 Si IGBTの場合エピコストを下げるため FZウェハを使用キャリアライフタイムの長い基板があれば厚膜エピは不要 D. Burns et al., ISPSD '96 Proceedings 331. のFig.1 SiC IGBTが実用化され、その後にはキャリアライフタイムの長いSiC基板が必要に？ IGBTドリフト層用基板への要求ドーピング密度を下げる低窒素濃度基板キャリアライフタイムを長くする点欠陥濃度の低減 B. Zippelius et al., J. Appl. Phys. 111 (2012) 033515. のFig.2(a) ただし熱平衡濃度が存在低温成長技術に脚光？コストメリットを考慮すると、夢かもしれませんが…