1.固体表面と気体分子 1. 表面における分子散乱 2. 適応係数 3. 付着確率と凝縮係数 4. 理想表面と実用表面 5. 吸着平衡 6. 昇温脱離スペクトル (Lahaye, Thesis) 散乱のダイナミクス flat panel Hard cube model hard sphere combination (Lahaye, Thesis) Classical ball-spring model Quantum mechanical calc. 表面における分子散乱 1 2 Ei mv vf (v)dv 2kT 2 マクロな量 方向分布 エネルギー分布 付着確率 温度T 分子散乱の方向分布測定 i 50 Ag(111) 先駆的な分子ー表面相互作用の理論 Lenard-Jones、Proc.Roy.Soc. ① A150(1935)442. The activation of adsorbed atom to higher vibrational levels. ② A150(1935)456. The evaporation of adsorbed atoms. ③ A156(1936)6, 29. The condensation and evaporation of atoms and molecules. ④ A156(1936)37. The diffraction and reflection of molecular rays. ⑤ A158(1937)242. The behavior of adsorbed He at low temperatures. ⑥ A158(1937)253. The diffraction of atoms by a surface ⑦ A158(1937)269. The exchange of energy between a gas and a solid. 表面分子散乱の方向分布 1 f ( )d cos d d sin dd 余弦則(拡散)反射 実用表面での室温の気体分子の散乱方向分布 鋼 研磨 アルミ 研磨 ガラス (Hurlbut, 1957) TS 220K , Tg 300K dScos dS 表面に入射する分子束は 入射角 の余弦に比例する、 表面に全て吸着した場合の 脱離する分子の方向分布? 吸着確率と脱離確率の方向分布? Steinrueck:Surface Sci.154(1985)99. 吸着確率と脱離確率の方向分布が 一致しない場合、何が起きるか? 反射分子による力積 ランダム入射→圧力の1/2 1 p nmv 2 3 1 2 nmv 6 脱離分子が表面垂直方向に鋭い方向分布のある場合 1 1 2 nv mv nmv 4 4 Pd(111)表面でのCOの散乱 清浄で平坦な表面では 鏡面散乱に近づく傾向がある。 下地の原子の熱運動との エネルギー交換が、葉形パター ンを決定する。 古典的モデルが有効。 軽い分子(H2,He,Ne)では、 量子効果が現れる。 h de Broglie wavelength mv π λh 8m kT de Broglie 波長 h mv h 1 2.73 (nm) 8kTm M rT π モル分子質量 wavelength (nm) T (K) H2 He Ne Ar 1 1.9 1.4 0.6 0.4 10 0.6 0.43 0.19 0.14 100 0.2 0.14 0.06 0.04 300 0.1 0.08 0.04 0.02 Hard cube model 古典的散乱 cf ci 定速 cc i Mg Ms Ei 2kTs lobular pattern Ar/Pt T=1173K i=40° Ts:表面温度 Tg:分子温度 Logan:J.Chem.Phys. 44,195(1966) Hard Cube Model 入射分子の表面垂直方向の速度分布 2 M g ci 2ci M g dci F0 (ci )dci exp 4 2 2kT cos cos i 2kTg g i 3 3 2πkTg ci cosci 4 Mg c kTs M s ci 表面原子の表面垂直方向の速度分布 M s cc 2 Ms dcc G0 (cc )dcc 2 exp 2πkTs 2kTs 上方移動との衝突確率 下方移動との衝突確率 ci cc ci cc cc kTs M s ci Hard Cube <1/3 1 2 ci cc cf 1 1 1 16 i cot coti 2 1 9 π( 1 ) cos i 1 TS T g Ar分子線による測定値 Ar分子線による測定値との比較 Slab modelとの比較(Lahaye) Ar/Pt(111) Vtot ( R) Vrep ( R ri ) Vatt ( z ) i Vrep (ri ) Aeri Vatt ( z ) C z z0 6 C / Vmin 2 A, , C, Vmin , z0 HFS Ef mg Nms cos Ei mg Nms cos2 2 N 2 : bridge site N 3 : 3fold hollowsite 2 Lahaye atop without attractive interaction center bridge atop implantation trapping Potential Energy Surface(PES) を用いた分子動力学シミュレーション (Lahaye) 表面と気体分子:PES 基盤原子間:調和近似 距離:Å エネルギー:eV Ar/Ag(111) i=40° 実験>計算 Ar-Ag(111) multiple collision i 40 Ar/Ag(111) in-plane scattering 付着確率と凝縮係数 付着確率:sticking probability 表面の吸着位置(化学吸着)に 捕捉される確率 凝縮係数:condensation coefficient 表面で物理吸着する確率 多層膜に吸着する過程を含む 凝縮係数 (超高真空の物理) 付着確率 Kisliukモデル Pre-cursor mediated adsorption 化学吸着サイト非占有に入射 n=1 n=2 Pa Pb Pc 1 Pa 物理吸着 Pc 化学吸着 化学吸着サイト占有に入射 Pa 0, Pb Pc 1 ' Pb 物理吸着 物理吸着 ' n=1について 真空 n=1:非解離 n=2:解離 ' 1回目 Pa1 Pa (1 ) Pb1 (1 ) Pb Pb ' Pc1 1 Pa1 Pb1 物理吸着 θ:化学吸着サイト被覆率 1 Pa Pb ( Pa Pb Pb ' ) 無限回 The sticking probability of gases chemisorbed on the surfaces of solids 2, P.Kisliuk: J.Chem.Solids 5(1958)78. 2回目 Pa 2 Pc1 (1 ) Pa Pb 2 Pc1(1 ) Pb Pb ' Pc 2 Pc1 (1 Pa 2 Pb 2 ) Pc1 1 Pa Pb ( Pa Pb Pb ' ) Pc1 付着確率:S S Pai Pa (1 ) 1 Pc1 P P i 1 2 c1 3 c1 Pa (1 ) (1 ) Pa 1 Pc1 Pa Pb ( Pa Pb Pb ' ) 初期付着確率 Pa S0 Pa Pb 2 Kisliuk2 1 S S 0 Pb ' 1 1 K S 0 1 Pa 1 K S/S0 S 1 Pb ' Pa Pb S0=0.84 exp Kisliuk : CO/Pt(111) K=0.3 熱的適応係数:thermal accommodation coefficient T f Tg 散乱角 Ts Tg 古典的な二体間衝突では、 E 4 cos2 E0 (1 ) 2 E 2 E0 (1 ) 2 表面の場合には、 周りの原子の影響 を考慮し、 ψ ms 静止 散乱角について積分 mg ms 気体分子 表面原子 mg E E f E g : energytransfer (Bauleの式) 2 .4 2 (1 ) G.Comsa & R.David: Dynamical parameters of desorbing molecules, Surface Science Reports 5(1985)145. 熱的適応係数(thermal accommodation coefficient)の 格子理論 F.O.Goodman:Surface Science 3(1965)386. •古典的バネー格子モデル(半無限格子) •二体間Morseポテンシャル •断熱近似(表面温度0K) n (M ; N , ) : dynamicresponsefunction 原子Mが、時刻0に単位速度で運動し始めた とき、τ時間後の原子Nの変位 1D 3D maxt max : maximummodal frequency 補足 熱的適応係数の格子理論 F.O.Goodman: Progress in Surface Science 5, 261(1974). : J. Phys. Chem.Solids 23, 1269(1962). 1.無限格子から、半無限格子をつくる -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 表面 自由表面: x(0) x(1) 無限格子では、 t=0に原子Mが変位→ 時刻tの原子Nの変位 y( M : N , t ) y(M : N , t ) y(M L : N L, t ) y(M : N , t ) y(M : N 2( N M ), t ) 2つの格子原子の変位の和 x(M :, N , t ) y(M : N , t ) y(M (2M 1) : N , t ) x(M :, N , t ) y(M : N , t ) y(M : N (2M 1),t ) x(M : 0, t ) x(M : 1, t ) 表面原子:M=0 自由表面! x(0 : 0, t ) y(0 : 0, t ) y(0 : 1, t ) X 1 ( ) 2 J 0 (t )dt 2 J1 ( ) 0 表面原子変位の応答関数 2t m 20t 表面への原子衝突 原子間相互作用:剛体球ポテンシャル :衝突 Mg m 2 熱的適応係数 E Ei トラップ状態 Baule の式 minimum 入射エネルギー 適応係数の経験式 TC 2.4 (T ) 1 exp 2 T ( 1 ) b a k BT TC tanh exp D mg T Goodman &Wachman: J.Chem.Phys. 46(1967)2376. He/H/W 排気後 水素導入(ステップ状) 清浄化後 Wachman:PhD thesis (Univ.Missouri, 1957) 2.分子と固体表面の相互作用 分子の2体間相互作用 dE F (r ) dr r E Edis Eind Ees Eval dispersion アルゴン原子間相互作用 valence electrostatic induced 水素原子間相互作用 分子の電気双極子・四極子モーメント z + +q d ー -q r 1 z (r , z ) dq 3 4πε0 r 双極子モーメント D:デバイ d=0.1nm q=1.6 x 10-19 c (4.8x10-10 esu) 4.8D 1D 1018 esu cm 四極子モーメントの例 N2分子 表面における理論Ⅱ(丸善、1995)、p4. 分子の双極子・四極子モーメント Kr/Cu(111) 分散力 木原太郎、分子間力(岩波全書) W2 ( r ) 12 r6 3 12 1 (i ) 2 (i )d π 0 1 (), 2 () : 分極率 2 レナード・ジョーンズ ポテンシャル (Lennard-Jones) 斥力項 ε 12 r0 12 r0 6 E (r ) 4 r r rm 21/ 6 r0 1.12r0 r 4 0 r r0 ε 2 0 rm 引力項 r 4 0 r r0 6 Lenard-Jones Potential rm 21/ 6 r0 1.12r0 r0 12 r0 6 E (r ) 4 r r 分子と表面の相互作用 r0 12 r0 6 2 dE N 4 r sin drdd r r 固体全体との二体間相互作用 9 3 1 r0 3 1 r0 E 4Nr0 45 r 6 r 表面1層のみとの二体間相互作用 10 4 1 r0 2 1 r0 E (r ) 4N A r0 6 r 3 r 2原子分子の解離エネルギー 物理吸着と化学吸着 物理吸着(Physical adsorption): physisorption 化学吸着(Chemical adsorption): chemisorption 結合エネルギー 表面選択性 多層吸着 解離 相互作用 大 大 なし(単層のみ) あり(場合による) 化学結合力 小 小 あり,凝縮 なし 分散力 物理吸着の吸着ポテンシャル He Zaremba-Kohn: Phys.Rev. B15, 1769(1977). 希ガス分子の吸着位置 fccサイト オントップサイト Z (A) Z ( A) Z ( A) Da Silva: Phys.Rev.B72(2005)075424. 化学吸着(酸素分子の解離吸着の模式図) 切断 結合 解離エネルギー 吸着の活性化エネルギー 吸着エネルギー(物理吸着) 物理吸着状態 吸着エネルギー(化学吸着) 化学吸着状態 脱離の活性化エネルギー Surfaces (Oxford Chemistry Primers, 1998) back donation フェルミレベル近傍の d電子状態密度 化学吸着特性 back donation 表面物理学(村田好正) シリコン表面での酸素の解離(JRCAT、寺倉清之) 吸着平衡のkinetics Temperature Pressure Adsorption Desorption Coverage Impingement Rate: 1 ν nv 4 Desorption Rate :coverage :mean sojourn time 脱離速度と平均滞在時間 吸着分子の脱離速度は、吸着分子密度σに比例し、次のようにあらわすことがで きる。 被覆率: 脱離速度: m m :単分子層吸着分子密度 d n kd dt n Ed 0 exp RT :平均滞在時間(mean residence time mean sojourn time) Ed:脱離の活性化エネルギー n : 脱離の次数 非解離:n=1、解離:n=2 反応速度論モデル q Ed exp qad kT 1 遷移状態の分配関数 E 1 kT q q q 1 exp(h / kT ) h 遷移状態 h qk T q ad z 表面垂直 振動モード q qad s 1 Ed 1 Ed kT exp exp h kT 0 kT 1 h kT h 13 0 10 (s) kT 6.6 1034 4.8 1011 23 1.3810 T T 分配関数 Physisorption Kinetics (Springer、1986) 運動 自由度 数値例 分配関数 (2πm kT)3 / 2V h3 並進 3 回転 (線形) 2 回転 (非線形) 8π 2 IkT qr h2 3 8π (8π ABC) (kT ) qr h3 振動 1 qtr 3 1030-1033V 10-102 2 2 3 1/ 2 3/ 2 102-103 3 1 qv 1 exp(h / kT ) 1-10 I,A,B,C:慣性モーメント 脱離の活性化エネルギー (真空の物理と応用、1970) 吸着系 τ0 (s) Ed(KJ/mol) Ar/ガラス 9.1×10-12 10.2 Kr/Ni 8×10-14 18.1 H2/Ni 2.2×10-12 48.3 O/W 2.0×10-16 680 DPオイル/ガラス 4.5×10-15 94 (kJ/mole) 吸着平衡と吸着式(温度、圧力、吸着密度) 吸着等温線 温度一定での圧力と吸着密度の関係 ※吸着等量線、吸着等圧線 • Henry則(非局在吸着) m p 被覆率 • Langmuirの式 局在吸着、 吸着サイト p / p0 1 p / p0 Langmuirの吸着等温式 M個の吸着サイトにN個の分子が吸着している。 M個のサイトにN個の分子を配置する場合の数 W(M,N) M! ( M N )!N ! 局在吸着モデルの分配関数は、 M! q0 (T )N Q ( M N )!N! ゼロ点振動準位から のエネルギー q0 qvib exp( / kBT ) F kT ln Q kT M ln M N ln N ( M N ) ln(M N ) N ln q0 吸着分子の化学ポテンシャル ln F ad kT ln kT N M ,T (1 )q0 (T ) Reference F.C.Tompkins:Chemisorption of Gases on Metals (Academic Press, 1978), p.134. 吸着分子の化学ポテンシャル ad kT ln (1 )q0 (T ) 気相単原子分子の化学ポテンシャル ※ h3 P g kT ln 3 kT 2mkT 2 qg (T ) ad g Langmuir吸着式 p p0 1 p g k BT ln p0 qg (T ) : ガス分子の内部自由度の分配関数 q0 (T ) 1 の場合 3 (2m kT) 2 p0 kT q ( T ) g 3 h ※ 例えば、ランダウ統計物理学 p.163 Langmuir 吸着等温式 p p0 (1 ) p0 0 p 1 p p0 p 1 p0 解離吸着の場合 ' A ' kT ln (1 ' )qA ' g 2A ' ' p qA ' p0 1 p p0 分子間相互作用(平均場近似) W.L.Bragg and E.J.Williams, Proc.Roy.Soc. A145(699)1934. p Z exp p0 (1 )qad kT Z:最近接吸着サイトの数 ω:吸着分子間相互作用 運動学的な吸着式の導出 1 気相からの供給: nv s0 (1 ) 4 表面からの脱離速度: p nkT 付着確率 m m 0 exp(Ed / kT ) 1 s0 (1 ) p 8kT m 4 kT πm 0 exp(Ed / kT ) Kp 1 Kp 解離吸着では, Kp 1 2 1 Kp 1 2 Kisliukモデルによる吸着平衡式の導出 Kisliukモデルによる付着確率の被覆率依存性 1 S S0 1 K S0 1 K 1 1 運動学モデル 1 Sp 8kT m 4 kT πm 0expEd / kT 1 S0 8kT 0expEd / kT K 4 m kT πm 1 1 K P 1 K 1 K 2 1 K p K p 0 K 1 p 1 1 K p 1 K p * * 2 21 K 41 K K * p 答 1 K p 1 K p * * 2 21 K 41 K K * p マクロな表面での吸着分子密度 d 1 nv s dt 4 平衡状態では 1 nv ( s ) 4 sの寄与とτの寄与を分離することができない。 分子線実験
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