光応用プロセスの基礎と先端技術

OITDA
一般財団法人光産業技術振興協会
平成 27 年度多元技術融合光プロセス研究会 第 1 回研究交流会プログラム
「光応用プロセスの基礎と先端技術」
日 時:平成 27 年(2015 年)7 月 2 日(木) 13:00~17:20
場 所:産業技術総合研究所 臨海副都心センター別館 バイオ・IT 融合研究棟11F 会議室1
(〒135-0064 東京都江東区青海2-4-7)
交 通: 東京臨海新交通ゆりかもめ テレコムセンター駅 下車徒歩4分
https://unit.aist.go.jp/waterfront/access/index.html
担当幹事:杉岡 幸次(国立研究開発法人 理化学研究所)、岡田 龍雄(九州大学)、岡本 康寛(岡山大学)
【代表幹事挨拶】 小原 實(慶應義塾大学)
【企画趣旨説明】 第 1 回研究交流会 担当幹事
13:00-13:05
13:05-13:10
【講演 1】 LAMP/LPM 2015 報告
新納 弘之(国立研究開発法人 産業技術総合研究所)
13:10-13:40
【講演概要】 2015 年 5 月北九州市において開催された The 7th International Congress on Laser
Advanced Materials Processing (LAMP2015、第 7 回レーザ先端材料加工国際会議) における微細レ
ーザプロセス技術の注目発表について、LPM2015:レーザ精密微細加工国際シンポジウムのセッショ
ンでの研究発表を中心にレビューを行う。
【講演 2】 LAMP/HPL 2015 報告
渡辺 俊哉(三菱重工業株式会社)
13:40-14:10
【講演概要】 2015 年 5 月に北九州において The 7th International Congress on Laser Advanced
Materials Processing (LAMP2015) が開催された。LAMP2015 のうち、International Symposium on
High Power Laser Processing (HPL 2015) は、マクロ加工に関わる国際会議であり、溶接、切断、穴
あけ、表面処理、付加加工等に関する講演がなされた。HPL2015 において発表された注目論文を、
産業界の立場からレビューする。
【講演 3】 固体表面レーザ励起現象計測における高次高調波分光の可能性
小栗 克弥、加藤 景子、増子 拓紀、中野 秀俊、西川 正、舘野 功太、寒川 哲臣、後藤 秀樹
(日本電信電話株式会社 NTT 物性科学基礎研究所)
14:10-14:50
【講演概要】 高強度フェムト秒レーザ光を希ガスに集光することによって発生する高次高調波は、
極端紫外~軟 X 線領域における波長と、フェムト秒~アト秒領域のパルス幅を同時に兼ね備えたコヒ
ーレント光源である。本講演では、高次高調波を用いたフェムト秒時間分解光電子分光技術の開発と、
レーザ照射によって生成するキャリアダイナミクス計測に応用した研究例を中心に紹介し、固体表面
レーザ励起現象計測における高次高調波光源を利用した超高速分光技術の可能性について議論する。
・・・・・・・ 休憩(20 分) ・・・・・・・
【講演 4】
レーザ転写による微細パターン形成技術
奈良崎 愛子(国立研究開発法人 産業技術総合研究所)
15:10-15:50
【講演概要】 環境負荷の低い真空・溶剤フリーな微細パターン形成技術として、「レーザ誘起ドッ
ト転写法」を紹介する。従来の微細集積化プロセスの代表であるシリコン半導体製造技術は真空・多
段プロセスを要し、近年進展の著しいインクジェット法は真空フリーではあるがインク中のバインダ
ーの残存やその除去工程が問題となることがある。本手法によれば、室温大気圧下で固体原料にパル
スレーザ光を集光照射することでミクロンスケールの微細ドットを集積化できるため、簡便に位置選
択的な表面機能化を実現できる。
【講演 5】
炭酸ガスレーザによる TGV(ガラス貫通穴)形成
小島 哲夫(三菱電機株式会社 先端技術総合研究所)
15:50-16:30
【講演概要】 ガラスはインターポーザ用材料として期待が高いが、高スループットかつ低コストの
ガラス穴あけ技術が求められている。このため、我々はパルス CO2 レーザを用いた微細穴あけ技術を
開発中である。CO2 レーザの波長は 9.3µm であるので、直径 40µm 以下の穴を開けるのは困難と言
われてきた。我々は、基板の表面処理テクニックおよびレーザ条件の微調整によって、ガラスに対し
直径 25µm という微小穴あけを実証した。
【講演 6】 LPP-EUV リソグラフィの現状と展望
藤本 准一(ギガフォトン株式会社)
16:30-17:10
【講演概要】 パルス炭酸ガスレーザ励起錫プラズマによる EUV 光源 (波長 13.5nm) は次世代半導
体リソグラフィの微細化のキー技術として近年注目されている。弊社では独自技術として超伝導磁石
による磁場ミチゲーションおよび 1µm 帯パルスレーザによるプリパルスにより高効率・長寿命を実
証しその実用化を目指している。最新の LPP-EUV 光源と EUV リソグラフィの開発状況について報
告する。
【次回研究交流会の案内、交流会会場の案内等】
17:10-17:20
交流会(ミニパーティ)
17:30-19:00
場所:テレコムセンター21 階展望台
http://www.i-house5.com/html/tennboudai.html
恒例となりました、テレコムセンター21 階展望台での交流会を開催します。東京湾の夜景を眺めな
がら、会員相互の交流、講師や幹事との気軽なディスカッションにご活用いただけます。是非ご参加
ください。参加費は 1,000 円です。
【研究交流会参加費】 一般:15,000 円/人
(但し、当研究会発行の参加票を持参された方は無料です)
参加票は、
「多元技術融合光プロセス研究会」会員として登録された方に配布しています。
会員から入手した参加票を持参された方も、研究交流会参加費は無料となります。
【問合せ・参加申し込み方法】
参加を希望される方(会員含む)は、下記問合せフォームへ「第 1 回研究交流会参加希望」と明記して
お申込み願います。参加票を会員から入手された方は、紹介の会員名も記入願います。
詳しくは、下記研究会 HP をご覧下さい。
事務局 一般財団法人光産業技術振興協会
潮田 伊織
東京都文京区関口 1-20-10 住友江戸川橋駅前ビル 7 階
TEL:03-5225-6431/FAX:03-5225-6435
研究会 HP : http://www.oitda.or.jp/main/study/tp/tp.html
問合せフォーム : http://www.oitda.or.jp/main/study/tp/tp_postmail.html