参　考　文　献＊１）中上昭光，川上信之：ナノインデンテーション法による薄膜の機械的特性評価，R ＆D神戸製鋼技報， 52(Sep. 2002)No.2 ＊2）江尻芳則ほか：半導体パッケージ基板用無電解Ni/ Pd/Auめっき技術(第1報)，エレクトロニクス実装学会誌， Vol.15(2012)No.1，pp.8295 ＊3）松本圭司ほか：今後のパッケージングにおける構造解析・熱解析，エレクトロニクス実装学会誌，Vol.15(2012) No.2，pp.142-147 ＊4）宮本輝，小川武史，大澤直：圧子圧入法による鉛フリーはんだの力学特性の予測, 材料，Vol51(Apr.2002) No.4,pp.445-450 ＊5） Sam Zhang, Deen Sun, Yongqing Fu, Hejun Du : Toughness measurement of thin films : a critical review, Surface & Coatings Technology, 198(2005), pp.74-84 ＊6） W.C. Oliver and G.M. Pharr :An improved for determining hardness and elastic modulus using load and displacement sensing indentation experiments, J. Mater. Res, Vol.7(1992)No.6, pp.1564-1583 近年、エレクトロニクス分野では半導体デバイス、情報蓄積メディア、MEMSの微小化にともない、その構造も複雑化かつ微細化が進んでいる。それを構成する薄膜材料は数nm ～数百nmオーダーとなっているが、構造設計、不良解析、信頼性評価、品質管理のためには製膜状態あるいは微細構造状態(実装状態)での機械特性評価が必要とされている＊1）。機械特性の評価方法には引張試験や硬さ試験等の様々な方法があるが、たとえば、古くから用いられているビッカース硬さ試験では試験荷重が高く、ミクロンオーダーの膜でも精度の高い評価は困難である。その中で、20年程前から極低荷重と微小変位の同時計測が可能なナノインデンテーション法が注目され、その計測精度の高さにより現在では様々な薄膜，微小領域の評価に採用されている＊2）＊3）。また、硬さ、ヤング率の他にも薄膜や微小領域のクリープ特性評価、破壊靱性評価にも応用されており、汎用性も高い＊4）＊5）。当社でも、ナノインデンテーション法による評価のニーズに対応すべく15年程前より技術を導入し、これまで様々な評価に取り組んできた。本稿では、ナノインデンテーション法による硬さ、ヤング率測定の原理、特徴について説明し、最近の評価例として配線膜、微小領域 (二次電池電極の活物質)の機械特性評価事例を紹介する。その他、薄膜の密着性評価手法であるサイカス試験、ナノスクラッチ試験ついても原理を説明し、評価事例について紹介する。技術本部エレクトロニクス事業部物理解析センター表面・物性解析室加藤　隆明 D—1 ナノインデンテーション法による硬さ、ヤング率評価 1-1 ナノインデンテーション法による硬さ、ヤング率測定原理（1）基本原理ナノインデンテーション法による材料の硬さは、第1図に示すような三角錐（通常はBerkovich型）のダイヤモンド製圧子を試料の表面から押し込み、その際に負荷される荷重Pを圧子と試料の接触投影面積Apで除することにより求められる＊6）。第1図 Berkovich型圧子外観と形状ことにより接触投影面積Apを求めることができるため、ビッカース硬さ試験のように実際に圧痕径を計測する必要がないことから、微小な押し込み深さ（微小な圧痕）でも硬さ、ヤング率を測定できる。圧子と試料の合成モジュラス（複合的なヤング率）のよ Erは、第 2 図の除荷曲線から決定されるSと式（2）うな関係が成立する。（2）第 2 図に材第2図ナノインデンテーション法による料の弾塑性荷重-変位曲線変形の典型 P max 的な荷重-変除荷曲線位曲線を示負荷曲線す。接触深さhc スチフネスS は第 2 図に示 h c すように、除 ht 荷曲線の傾き変位 h (nm) S（スチフネス: 圧子と試料の剛性パラメータ）の近似直線と横軸の交点に相当する変形量で定義する。圧子と試料の接触投影面積Apは、接触深さhcを用いて幾何学的に式（1）で与えられる。（1）ここで、f（hc）は先端の尖った理想的な圧子と実際に用いられる圧子（先端の丸（Ap = 2 4 . 5 6 hc²）みを持つ圧子）の接触投影面積の差を補正する項である。このように、押し込みによる接触深さhcを計測する 10 こべるにくす No.43,APR.2015 また、試料のヤング率Esは、式（2）で求めたErと圧子のヤング率Ei 、圧子のポアソン比υi 、試料のポアソンで算出される。比υsを用いて式（3）荷重 P (mN) D 薄膜、微小領域の機械物性評価技術（3）ダイヤモンド製圧子のEi およびポアソン比υi は既知の値であるため、試料のポアソン比υsを入力することで、なお、試料の試料のヤング率Esを求めることができる。ポアソン比については不明であることが多いため、当社では通常一般的な工業材料のポアソン比（0.15~0.35）の平均値 0 . 2 5を入力してヤング率を計算している。仮に0 . 1 5 ~ 0 . 3 5を入力してヤング率を計算してもその差異は、測定誤差の範囲内（±5 %内）である。（2）連続剛性測定法（CSM）の原理と特徴第3図に薄膜（膜のヤング率74GPa、基板のヤング率 1 6 5 GPaと仮定）に押し込み荷重（深さ）を変えた試験を模擬した圧子直下の応力シミュレーション結果を示す。薄膜材料や金属組織、粉体といった微小領域に押し込みを行うと、第3図圧子直下の応力シミュレーション結果押し込みが浅い押し込み深い押し込み深くなるにつれて圧子応力：大直下の応力場が主として深さ方向応力：小に拡がり、硬評価領域ヤング率：164GPa ● 基板の干渉を受けて低下 ● 硬さヤング率 150 10 硬さ H (GPa) 200 100 基板の干渉を受けて増加 5 0 0 50 評価領域硬さ：6.7GPa 50 100 150 200 0 250 押し込み深さ h (nm) 押し込み深さと硬さプロファイルは押し込み深さ 6 5 nmから基板の干渉を受けて増加しており、ヤング率プロファイルは押し込み深さ2 0 nmから低下しているのがわかる。これにより基板の干渉が極力小さい押し込み深さ範囲を定義し、硬さ、ヤング率を解析できる。これは、当社所有の装置が極低荷重、極微小変位で計測可能であることに加え、CSMを採用することにより実現できる評価であり、薄膜、微小領域の精度の高い硬さ、ヤング率解析には有効な手法である。これまでの評価実績を含め、この手法による評価可能な厚さ下限および領域下限を検証した結果、薄膜は数百nmの厚さ、微小領域は1μmφ程度であれば評価可能である。 1 - 2 ナノインデンテーション硬さとビッカース硬さの相関これまで述べてきたようにナノインデンテーション法の評価スケールは微小であるが、マクロ、ミクロスケールのビッカース硬さ試験とは評価スケールのほかに、評価の原理と定義が異なる。マクロスケール~ナノスケールの一貫した硬さ評価の基礎的な知見を得るため、両手法により評価される硬さの相関を実験的に調査した。ビッカース硬さHV（kgf/mm ²） 1 - 3 二次電池正極負極の活物質単体のCSM応用事例 ■ ◆ ▲ DP-FM-3gf ● ＋ ■■■ 俊夫，大村孝仁：ナノインデンテーション法による微小領域及び薄膜の機械特性評価技術，金属，Vol.78 （2008） No.9，pp.885-892 二次電池電極に用いられる活物質の劣化予測や、電極塗膜自体の強度計算のためには活物質の機械特性が必要であるが、活物質のような数μm~数十μm の粉体の評価はナノインデンテーション法が得意とするところである。第 6 図、第 7 図は正極、負極の活物質を樹脂埋め、断面を加工して、断面から連続剛性測定を行った結果である。正極活第6図正極負極活物質の押し込み深さと硬さの関係物質は硬さ、ヤング率ともに 12 埋め込み樹脂の干渉を受負極活物質正極活物質 10 けて押し込みが深くなるに埋め込み樹脂の干渉を受けて低下つれて低下しているが、負 8 極の活物質はほぼ変化が評価領域 6 硬さ：9.2GPa 見られない。両者とも埋め 4 評価領域込み樹脂（硬さ: 0 . 2 GPa程硬さ：0.94GPa 度、ヤング率 3 GPa程度）よ 2 り硬く、高いヤング率を有し 0 0 50 100 150 200 250 300 ているが、第8図に示すよう押し込み深さ h (nm) に負極の活物質は数十μ mと正極活物質に比べて第7図正極負極活物質の押し込み深さとヤング率の関係大きいことと比較的樹脂の 200 特性に近いため、本測定の評価領域負極活物質ヤング率：153GPa 深さ範囲では周囲の干渉正極活物質を受けなったと考えられる。 150 正極活物質の測定で得ら埋め込み樹脂の干渉を受けて低下 100 れたプロファイルから、極大領域（硬さ: 5 0 nm- 7 0 nm 評価領域 50 ヤング率：14.4GPa ヤング率: 2 0 nm- 2 5 nm）が活物質自体の硬さ、ヤング 0 0 50 100 150 200 250 300 率を反映していると解釈で押し込み深さ h (nm) きる。正極活物質の硬さ、ヤング率は負極活物質の 1 0 倍程度であり、たとえば、第8図各活物質の圧痕SEM観察写真カーボンブラックやバインダ正極負極との存在比率にもよるが、電極塗膜の圧縮強度も相応の差異が得られるものと考えられる。 ◆ ■ 硬さ H (GPa) 15 Ni 薄膜のCSM による硬さ、ヤング率測定結果ヤング率 E (GPa) 第4図第 5 図に各種材料のナノイ第5図ナノインデンテーション硬さとビッカース硬さの相関ンデンテーション硬さとビッ 1000 カース硬さの関係を示す。 900 800 試料はビッカース硬さ標準 y = 76.165x + 6.3307 700 試験片（HV 4 0、HV 1 0 0、 600 ビッカース硬さ標準試験片-10gf 500 HV 5 0 0、HV 9 0 0）、IF IF-3gf 400 IF-10gf × IF-50gf 鋼（図中凡例:IF）、マルテ 300 200 DP-FM-10gf ンサイト鋼（図中凡例DPDP-FM-50gf 000 線形 (ビッカース硬さ標準試験片-10gf) FM）を用いた。IF鋼、マ 0 0 2 4 6 8 10 12 14 ルテンサイト鋼についてナノインデンテーション硬さ（GPa）は試験荷重を変えて（IF 鋼: 3 gf、 1 0 gf、 5 0 gf　DP-FM: 1 0 gf、 5 0 gf）硬さを評価した。その結果、すべての試料について線形的な相関が得られ、その一次近似式の第1項の係数は76.2となった。たとえば、ナノインデンテーション硬さ1GPaのビッカース硬さ概算値はHV 8 0 程度となる。1 : 1の関係にはなら参　考　文　献ないものの、一定の相関は得られているため、両手法を＊7）組み合わせることで評価スケールを拡張できる。加藤隆明，大谷茂生，村上 ◆ ■ ヤング率 E (GPa) さ、ヤング率は基板や周囲の干渉を受けて評価される。前項で述べた基本原理に基づく負荷除荷法では、ある押し込み深さでの硬さ、ヤング率を測定するため、基板や周囲の干渉有無を判断することは困難である。したがって、薄膜材料や金属組織、粉体自体の特性の解析にはどの程度の押し込み深さから干渉を受けるのかを精確に把握することが重要であるが、この対策として、当社では連続剛性測定法（Continuous Stiffness Measurement）を採用している。CSMは当社が所有する測定装置の特徴であり、押し込み深さと硬さ、ヤング率の連続的な関係を測定できる手法である。圧子を微小振動させながら、試料表面に押し込みを行い、圧子の励起振動振幅、試料の変位振動振幅、両者の振動の位相差を計測する。これらのパラメータをもとに前項で述べた除荷曲線の傾きに相当するスチフネスSが押し込み深さ方向に連続的に求まる＊6）＊7）。押し込み深さ方向に連続的にSが求まると、基本原理に基づいて押し込み深さと接触面積Apの関係を求めることができ、結果として押し込み深さと硬さ、ヤング率の関係を得ることができる。第 4 図にSi基板上のNi薄膜（厚さ3 0 0 nm）のCSM による押し込み深さと硬さ、ヤング率測定事例を示す。ここで、Ni薄膜を含む金属配線膜の機械特性は、たとえばそれらで構成される半導体パッケージの信頼性評価ための基礎物性として利用される。こべるにくす No.43,APR.2015 11 D 薄膜，微小領域の機械物性評価技術 D—2 サイカス試験、ナノスクラッチ試験による密着性評価 2-1 サイカス試験、ナノスクラッチ試験の原理参　考　文　献＊8）西山逸雄： “SAICAS法”による被着体の付着強度評価（1），塗装技術，（ 1995年 4月号），pp.123-128 第10図第9図第 9 図に、サイカス試験およびナノスクラッチ試験の概要を示す。サイカス試験は、ダイヤモンド製の切刃を用いて膜表面から切込み、膜/基板界面到達後に膜を剥離させながら水平方向に移動させ、その際に計測した水平力により密着性を比較評価する手法である＊8）。膜を変形させながら剥離させるので、金属膜や樹脂膜のような展延性に富む薄膜材料（厚さ数百nm~数十μm）の評価に適している。一方、ナノスクラッチ試験は、先端の鋭い圧子を用いて、試料表面から荷重を負荷しながら引っ掻き、膜が剥離した際の荷重で密着性を比較評価する手法である。ナノスクラッチ試験は膜の局所的な破壊をともないながら剥離させるので、DLC膜やセラミックス系膜のような脆性的な薄膜材料の評価に適している。当社におけるナノスクラッチ試験は、前章で述べた装置のオプション機能であるため、厚さ数十nm~数百nmの薄膜や数十 μm角程度の微小領域における試験が可能である。サイカス試験、ナノスクラッチ試験の概要展延性に富む薄膜材料脆性的な破壊を起こす薄膜材料切刃外観圧子外観水平力から密着性を評価垂直荷重から密着性を評価水平力は増加していき、切刃移動距離 5 0μm程度で急激に低下している。水平力の急激な低下は膜の剥離開始を示唆するものであり、その後は一定の水平力が得られている。試験箇所の切削深さプロファイルおよびSEM/EDX分析の結果、ITO膜と金属多層膜の界面での均一な剥離が確認でき、剥離時の水平力を0 . 0 2 6 Nと評価した。 2 - 2 サイカス試験、第 1 1 図にガラス基板上ITO膜のナノスクラッチ試ナノスクラッチ試験の密着性評価事例験結果および解析結果を示す。荷重の増加にともなディスプレイは、基板をガラス材として主にITO膜のい押し込みは深くなり、スクラッチ距離 1 7 5μm程度でような機能性薄膜と金属配線膜で構成されているが、押し込み深さプロファイルの傾きが大きくなっている（プその信頼性評価や品質管理ための一手段として膜ロファイル図中破線位置）。それと同期して圧子に負の密着性評価が用いられる。荷される水平力に増加が見られた。押し込み深さのフラットパネルディスプレイを模擬して、ガラス基板上変動は膜の破砕、水平力の変動は膜の破砕と摩擦係 ITO膜（厚さ2 0 0 nm）の上に厚さ7 0 0 nmの金属多数の変化を反映していると考えられ、これらの変動は層膜を製膜した試料を準備した。第 1 0 図にサイカス膜の剥離を示唆していると解釈できる。プロファイルの試験および解析結果を示す。プロファイル図の横軸は変動位置におけるSEM/EDX分析の結果、ITO膜と切刃移動距離を示しているが、切り込みの過程ではガラス基板の界面での剥離が確認でき、剥離時の垂直荷重を2 5 . 7 mN 配線膜のサイカス試験、解析結果第11図 ITO膜のナノスクラッチ試験、解析結果と評価した。なお、各手法で得られる剥離時の水平力や垂直荷重は、密着力を直接反映したものではないため、当社では試料間の比較評価としているが、評価の目的を考慮して、各手法の特徴を活かした評価を提案させていただいている。切削痕のSEM観察像 SEM-EDX 分析結果スクラッチ痕のSEM観察像本稿では、薄膜、微小領域の機械特性評価技術について紹介した。ナノインデンテーション法では、ほかのミクロ、マクロスケールの試験では見極めることができないナノスケールの特性を評価できる。そのため、当社では評価する材質、材料組織、構造等から最適な測定、解析条件を検討し、サイズ効果の見極 12 こべるにくす No.43,APR.2015 SEM-EDX 分析結果めを含めより確かなデータの解釈を提供させていただいている。密着性評価については一般的に定性的な比較評価に留まっているため、より定量的な評価を実現すべく、試験技術,解析技術の高度化に取り組んでいく所存である。