MOSFET 75A 500V

查询P2HM755HA供应商
PDM755HA
P2HM755HA
MOSFET 75A 500V
P2HM755HA
P2HM755HA
PDM755HA
108.0
108.0
質量 Approximate Weight :220g
質量 Approximate Weight :220g
■最大定格 Maximum Ratings
項
目
Rating
ドレイン・ソース間電圧
VDSS
Drain-Source Voltage
ゲート・ソース間電圧
Gate-Source Voltage
ドレイン電流（連続）
Duty=50%
Continuous Drain Current
D.C.
パルスドレイン電流
Pulsed Drain Current
全損失
Total Power Dissipation
動作接合温度範囲
Operating Junction Temperature Range
保存温度範囲
Storage Temperature Range
絶縁耐圧
RMS Isolation Voltage
締付トルク
Mounting
1 Torque
耐圧・クラス Grade
PDM755HA / P2HM755HA
500
記号
Symbol
VGS=0V
単位
Unit
V
VGSS
±20
V
ID
75（Ｔc=25℃）
53（Ｔc=25℃）
A
IDM
150（Ｔc=25℃）
A
PD
500（Ｔc=25℃）
W
Tjw
−40∼+150℃
℃
Tstg
−40∼+125℃
℃
Viso
Ftor
2000
端子 - ベース間,AC1 分間 Terminals to Base, AC 1 min .
3.0（本体取付 Module Base to Heat sink）
2.0（ネジ端子部 Bus bar to Main Terminals）
V
N・m
■電気的特性 Electrical Characteristics（＠TC＝25℃ unless otherwise noted）
項目
Characteristic
ドレイン遮断電流
Zero Gate Voltage Drain Current
ゲート・ソース間しきい値電圧
Gate-Source Threshold Voltage
ゲート・ソース間漏れ電流
Gate-Source Leakage Current
ドレイン・ソース間オン抵抗（MOSFET部）
Static Drain-Source On-Resistance
ドレイン・ソース間オン電圧
Drain-Source On-Voltage
順伝達コンダクタンス
Forward Transconductance
入力容量
Input Capacitance
出力容量
Output Capacitance
帰還容量
Reverse Transfer Capacitance
ターン・オン遅延時間
Turn-On Delay Time
上昇時間
Rise Time
ターン・オン遅延時間
Turn-Off Delay Time
下降時間
Fall Time
記号
Symbol
条件
Condition
特性値（最大）
Maximum Value
最小
標準
最大
Min.
Typ.
Max.
単位
Unit
VDS＝VDSS, VGS＝0V
─
─
1
Tj＝125℃, VDS＝VDSS, VGS＝0V
─
─
4
VDS＝VGS, ID＝5mA
2
2.9
4
V
VGS＝±20V, VDS＝0V
─
─
10
μA
rDS
（on）
VGS＝10V, ID＝35A
─
55
65
mΩ
VDS
（on）
VGS＝10V, ID＝35A
─
2.4
2.9
V
gfg
VDS＝15V, ID＝35A
─
75
─
S
─
16
─
nF
─
1.8
─
nF
Crss
─
0.4
─
nF
t（on）
d
─
180
─
ns
─
70
─
ns
─
390
─
ns
─
50
─
ns
IDSS
VGS
（th）
IGSS
Ciss
Coss
tr
t（off）
d
VGS＝0V
VDS＝25V
f＝1MHz
VDD＝1/2VDSS
ID＝35A
VGS＝−5V, ＋10V
RG＝5Ω
tf
mA
■内部ダイオード定格・特性 Source-Drain Diode Ratings and Characteristics（＠TC＝25℃ unless otherwise noted）
項目
Characteristic
ソース電流（連続）
Continuous Source Current
パルスソース電流
Pulsed Source Current
ダイオード順電圧
Diode Forward Voltage
逆回復時間
Reverse Recovery Time
逆回復電荷
Reverse Recovery Charge
記号
Symbol
IS
条件
Condition
D. C.
ISM
VSD
trr
Qr
IS＝75A
IS＝75A
−diS/dt＝100A/μs
特性値（最大）
Maximum Value
最小
標準
最大
Min.
Typ.
Max.
単位
Unit
─
─
53
A
─
─
150
A
─
─
1.8
V
─
70
─
ns
─
0.15
─
μC
■熱抵抗特性 Thermal Characteristics
項目
Characteristic
記号
Symbol
熱抵抗（接合部−ケース間）
Thermal Resistance, Junction to Case
Rth（j-c）
接触熱抵抗（ケース−冷却フィン間）
Thermal Resistance, Case to Heatsink
Rth（c-f）
条件
Condition
特性値（最大）
Maximum Value
最小
標準
最大
Min.
Typ.
Max.
MOSFET
─
─
0.25
Diode
─
─
2.0
サーマルコンパウンド塗布
Mounting surface flat, smooth, and greased
─
─
0.1
─ 329 ─
単位
Unit
℃/W
■定格・特性曲線
TC=25℃ 250μs Pulse Test
120
VGS=10V
8V
90
6V
60
30
0
2
4
6
8
10
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE VDS (V)
Fig. 4 Typical Capacitance
Fig. 4 Vs. Drain-Source Voltage
2
20A
0
4
8
12
GATE TO SOURCE VOLTAGE VGS (V)
16
Ciss
12
8
4
ID=75A
12
8
35A
4
20A
0
-40
16
0
40
80
120
JUNCTION TEMPERATURE Tj ( ˘ )
160
Fig. 6 Typical Switching Time
Fig. 6 Vs. Series Gate impedance
ID=50A
16
GATE TO SOURCE VOLTAGE VGS (V)
20
CAPACITANCE C (nF)
35A
Fig. 5 Typical Gate Charge
Fig. 5 Vs. Gate-Source Voltage
VGS=0V f=1MHz
24
4
0
12
ID=75A
6
VGS=10V 250μs Pulse Test
16
ID=35A VDD=250V TC=25℃ 80μs Pulse Test
td(off)
5
VDD= 100V
250V
400V
tr
td(on)
2
12
SWITCHING TIME t ( s)
0
5V
Fig. 3 Typical Drain-Source On Voltage
Fig. 3 Vs. Junction Temperature
TC=25℃ 250μs Pulse Test
8
DRAIN TO SOURCE ON VOLTAGE VDS (on)(V)
150
DRAIN CURRENT ID (A)
Fig. 2 Typical Drain-Source On-Voltage
Fig. 2 Vs. Gate-Source Voltage
DRAIN TO SOURCE ON VOLTAGE VDS (on)(V)
Fig. 1 Typical Output Characteristics
8
4
tf
1
0.5
0.2
0.1
Coss
1
2
5
10
20
50
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE VDS (V)
Fig. 7 Typical Switching Time
Fig. 7 Vs. Drain Current
200
400
600
TOTAL GATE CHRAGE Qg (nC)
2
5
10
20
50
100
SERIES GATE IMPEDANCE RG ( )
200
Fig. 9 Typical Reverse Recovery Characteristics
IS=75A IS=35A Tj=125℃
500
150
td(on)
tf
100
50
REVERSE RECOVERY TIME trr (ns)
REVERSE CURRENT IR (A)
tr
120
Tj=125℃
90
Tj=25℃
60
30
10
20
50
DRAIN CURRENT ID (A)
100
200
Fig. 10 Maximum Safe Operating Area
TC=25℃ Tj=150℃MAX Single Pulse
200
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
SOURCE TO DRAIN VOLTAGE VSD (V)
Fig. 11-1
Normalized Transient Thermal
impedance(MOSFET)
10μs
100
100μs
50
20
1ms
Operation in this area
is limited by RDS (on)
10
5
Fig. 11-2
Normalized Transient Thermal
impedance(DIODE)
2
DC
1
0.5
1
2
200
100
50
IR
20
10
5
2.4
5
10 20
50 100 200 500 1000
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE VDS (V)
─ 330 ─
0
100
200
300
400
-dis/dt (A/ s)
500
600
2
1
0.5
0.2
0.1
Per Unit Base
Rth(j-c)=0.25℃/W
1 Shot Pulse
0.05
0.02
0.01 -5
10
10 -4
10ms
NORMALIZED TRANSIENT
THERMAL IMPEDANCE
[rth(j-c) / Rth(j-c)]
5
2
NORMALIZED TRANSIENT
THERMAL IMPEDANCE
[rth(j-c) / Rth(j-c)]
20
DRAIN CURRENT ID (A)
0.05
250μs Pulse Test
180
td(off)
200
0.2
800
trr
500
SWITCHING TIME t (ns)
0
Fig. 8 Typical Source-Drain Diode Forward
Fig. 8 Characteristics
RG=5Ω VDD=250V TC=25℃ 80μs Pulse Test
1000
10
0
100
SOURCE CURRENT IS (A)
0
10 -3
10 -2
10 -1
PULSE DURATION t (s)
1
10
2
1
0.5
0.2
0.1
Per Unit Base
Rth(j-c)=2.0℃/W
1 Shot Pulse
0.05
0.02
0.01 -5
10
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
PULSE DURATION t (s)
1
10
Ｍ
Ｏ
Ｓ
Ｆ
Ｅ
Ｔ
モ
ジ
ュ
ー
ル

Download Report