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MITSUMI
N Channel Power MOSFET
MP1001N10T1
N Channel Power MOSFET
Monolithic IC MP1001N10T1
概要
低いドライブ電圧で低オン抵抗を実現する100V耐圧のNチャネルパワー MOSFETです。
ACDC電源の2次側同期整流用スイッチに最適です。
特長
（1）ドレイン・ソース間電圧：
（2）ドレイン電流：
（3）オン抵抗：
100V
60A
10.5mΩ typ. @Vgs=4.5V
パッケージ
TO-220A
用途
（1）同期整流回路の2次側スイッチ
（2）DC/DCコンバータ
• 記載された製品は改良などにより、外観及び記載事項の一部を予告なく変更することがあります。
• 記載内容は実際にご注文される時点での個別の製品の仕様を保証するものではありませんので、ご使用にあたりましては、必ず製品仕様書・製品規格をご請求の上、確認して頂きますようお願い致します。
• Any products mentioned in this catalog are subject to any modification in their appearance and others for improvements without prior notification.
• The details listed here are not a guarantee of the individual products at the time of ordering. When using the products, you will be asked to check their specifications.
MITSUMI
N Channel Power MOSFET
MP1001N10T1
等価回路
Drain
Gate
Source
端子接続図
1
2
3
1
2
Gate
Drain
Source
3
TO-220A
(TOP VIEW)
端子説明
ピンNo.
1
2
3
端子名
Gate
Drain
Source
機能
ゲート
ドレイン
ソース
• 記載された製品は改良などにより、外観及び記載事項の一部を予告なく変更することがあります。
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MITSUMI
N Channel Power MOSFET
絶対最大定格
MP1001N10T1
（特記なき場合Tc＝25℃）
項
目
ドレイン・ソース間電圧
ゲート・ソース間電圧
ドレイン電流
DC
（Tc=25℃）
パルス
アバランシェエネルギー（単発）
許容損失
（Tc=25℃）
チャネル温度
保存温度
記号
V（BR）DSS
VGSS
定格
100
±20
単位
V
V
ID
60
IDP
EAS
PD
Tj
Tstg
200
135
125
150
-55 ∼ 150
ｍJ
W
℃
℃
記号
RthJC
RthJA
定格
1.0
62.5
単位
℃ /W
℃ /W
A
熱抵抗特性
項
目
チャネル・ケース間熱抵抗
チャネル・外気間熱抵抗
• 記載された製品は改良などにより、外観及び記載事項の一部を予告なく変更することがあります。
• 記載内容は実際にご注文される時点での個別の製品の仕様を保証するものではありませんので、ご使用にあたりましては、必ず製品仕様書・製品規格をご請求の上、確認して頂きますようお願い致します。
• Any products mentioned in this catalog are subject to any modification in their appearance and others for improvements without prior notification.
• The details listed here are not a guarantee of the individual products at the time of ordering. When using the products, you will be asked to check their specifications.
MITSUMI
N Channel Power MOSFET
電気的特性
MP1001N10T1
（特記なき場合、Tc=25℃）
静特性
項目
記号
測定条件
ドレイン・ソース間降伏電圧
BVDSS
ID=100μA，VGS=0V
ドレイン遮断電流
IDSS
VDS=100V，VGS=0V
ゲートしきい値電圧
Vth
VDS=VGS，ID=1mA
ゲート漏れ電流
IGSS
VGS=±20V，VDS=0V
ドレイン・ソース間オン抵抗
RDS（on）
順方向伝達アドミタンス
最小標準最大単位測定回路No.
100
1.8
V
1-C
10.0
uA
1-E
2.5
V
1-A
±100
nA
1-D
mΩ
1-B
S
1-A
VGS=10V，ID=30A
9.5
12.0
VGS=4.5V，ID=30A
10.5
13.0
Gfs
ID=60A
180.0
項目
記号
測定条件
ゲート入力電荷量
Qg
ダイナミック特性
最小標準最大単位測定回路No.
160
VDS≒30V，VGS=10V，
ID=30A
ゲート・ソース間電荷量
Qgs
ゲート・ドレイン間電荷量
Qgd
40
ターンオン
Td（on）
80
上昇時間
Tr
ターンオフ
Td（oﬀ）
下降時間
Tf
スイッチング
時間
入力容量
VDD≒30V，VGS=10V，
ID=30A，RL=47Ω
Coss
帰還容量
Crss
50
200
nC
2
ns
3
40
6000
Ciss
出力容量
30
VDS=25V，VGS=0V，
f=100KHz
pF
500
300
ソース・
ドレイン間ダイオードの定格
項目
ソース電流
記号
測定条件
最小標準最大単位測定回路No.
連続
IS
60
パルス
ISP
200
A
1-E
V
1-C
順方向電圧
（ダイオード）
VSD
IS=60A，VGS=0V
0.9
逆回復時間
Trr
60
ns
逆回復電荷量
Qrr
VR≒40V，IS=60A，
dIS/dt=100A/μs
120
nC
1.2
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N Channel Power MOSFET
MP1001N10T1
測定回路図
（1）静特性
（A）
（D）
Id
A
Drain
Drain
Ig
Gate
M
Vd
Vg
M
Gate
Vg
Source
（B）
Source
（E）
Id
Id
A
M
Drain
Drain
Gate
Gate
Id
M
Vg
Vd
Source
Source
（C）
Id
A
Drain
Gate
M
Id
Source
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N Channel Power MOSFET
MP1001N10T1
（2）ゲート電荷量
Id
VGS
A
10V
RL
Qg
Drain
Gate
Qgs
VDS
Qgd
Vin
Source
M
VGS
Q
（3）抵抗負荷スイッチング特性
Id
A
VDS
90%
RL
Drain
RG
Gate
Vdd
Vin
M Source
VGS
M
VDS
10%
VGS
Tr
Td(on)
Tf
Td(off)
Ton
Toff
（4）アバランシェエネルギー試験
ID
BVDSS
A
L
IAS
Drain
RG
Gate
Vdd
VDD
Vin
Source
M
VDS
ID(t)
VDS(t)
ID
1
EAS = ––– · L · IAS2
2
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MITSUMI
N Channel Power MOSFET
特性例
MP1001N10T1
（特記なき場合 Tc=25℃）
Fig.1 ID-VGS
Fig.2 Vth-Tj
1.E+03
2.0
1.8
1.E+01
Vth (V)
ID (A)
ID=1mA
1.6
150ºC
1.E–01
100ºC
1.4
1.2
ID=250µA
1.0
1.E–03
0.8
Tj=25ºC
0.6
1.E–05
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
20
40
60
80
VGS (V)
Fig.4 Ron-ID
200
30
4.5V
10V
3V
4.0V
3.5V
80
Ron (m )
ID (A)
3.7V
120
3.3V 3.5V
3.7V
4.0V
25
160
3.3V
40
20
4.5V
15
10
VGS=10V
5
VGS=3V
0
0
0
2
4
6
8
0
10
40
80
120
160
200
ID (A)
VDS (V)
Fig.5 Ron-Tj
Fig.6 BVDSS-Tj
1.1
Normalized Breakdown
Voltage BVdss
30
25
20
15
10
5
0
−50
0
50
100
150
Tj (ºC)
1.0
0.9
−50
0
50
100
Tj (ºC)
Fig.7 IS-VSD
1000
10V
100
4.5V
IS (A)
160
Tj (ºC)
Fig.3 ID-VDS
Ron (m )
100 120 140
10
3V
1
VGS=0V
2V
1V
0.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
VSD (V)
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150
MITSUMI
N Channel Power MOSFET
Fig.8 C-VDS
MP1001N10T1
Fig.9 VGS-Q
14
10000
VDS=30V
ID=30A
12
VGS (V)
C (pF)
10
1000
8
6
4
2
0
100
0
10
20
30
0
40
50
Fig.10 PD-Tc
150
200
Fig.11 ID-Tc
140
70
120
60
100
50
80
40
ID (A)
PD (W)
100
Qg (nC)
VDS (V)
60
30
40
20
20
10
0
0
0
50
100
150
0
50
Tc (ºC)
100
150
Tc (ºC)
Transient Thermal Resistance
Fig.12 Transient Thermal Response Curve
10
1
0.1
Duty=0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
1.E-05
Single Pulse
1.E-04
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
Time (sec)
Fig.13 Safe Operation Area
1000
10µs
Ids (A)
100
100µs
1ms
10ms
10
Operation in this area is limited by RDS(on)
DC
1
0.1
0.1
1
10
100
Vds (V)
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