電力増幅用 (400V, 0.1A)

2SC4505
トランジスタ
電力増幅用 (400V, 0.1A)
2SC4505
z特長
1) 高耐圧である。(BVCEO=400V)
2) VCE(sat)が低い。(Typ. 0.05V at IC / IB=10 / 1mA)
3) スイッチング時間が速い。
(tf : Typ. 1.7µs at IC =100mA)
4) 2SC4505 は 2SA1759 とコンプリである。
z外形寸法図（Unit : mm）
MPT3
1.5
2.5
4.0
0.5
4.5
1.6
(1)
(2)
(3)
1.0
z包装仕様及び hFE
Type
2SC4505
パッケージ名
hFE
標印
MPT3
PQ
CE∗
包装記号
基本発注単位
T100
1000
0.5
0.4
1.5
0.4
0.4
1.5
3.0
(1)Base
(2)Collector
(3)Emitter
∗はhFE
z絶対最大定格（Ta=25°C）
Parameter
Symbol
Limits
Unit
コレクタ・ベース間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
VCBO
VCEO
400
400
V
V
エミッタ・ベース間電圧
VEBO
7
0.1
V
A (DC)
コレクタ電流
IC
0.5
Tj
2
150
W
W
°C
Tstg
−55∼150
°C
コレクタ損失
PC
接合部温度
保存温度範囲
A (Pulse) ∗1
0.2
∗2
∗1 Single pulse, Pw=20ms, Duty=1/2
∗2 40×40×0.7mmのセラミック基板使用時
z電気的特性（Ta=25°C）
Parameter
コレクタ・ベース降伏電圧
コレクタ・エミッタ降伏電圧
エミッタ・ベース降伏電圧
コレクタしゃ断電流
エミッタしゃ断電流
コレクタ・エミッタ飽和電圧
ベース・エミッタ飽和電圧
直流電流増幅率
利得帯域幅積
コレクタ出力容量
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
BVCBO
BVCEO
BVEBO
400
400
7
IC=50µA
IC=1mA
IE=50µA
−
µA
VCB=400V
IEBO
−
VCE(sat)
−
−
−
−
10
10
0.5
1.5
270
−
−
−
−
−
V
V
V
ICBO
−
−
−
−
−
0.05
−
−
20
7
1
5.5
1.7
µA
V
VEB=6V
IC/IB=10mA/1mA
VBE(sat)
−
hFE
82
fT
−
−
−
−
−
ターンオン時間
Cob
ton
蓄積時間
tstg
下降時間
tf
V
−
MHz
pF
µs
µs
µs
Conditions
IC/IB=10mA/1mA
VCE=10V , IC=10mA
VCE=10V , IE=−10mA , f=10MHz
VCB=10V , IE=0A , f=1MHz
IC=100mA RL=1.5kΩ
IB1=−IB2=10mA
∼−150V
VCC−
Rev.D
1/3
2SC4505
トランジスタ
z電気的特性曲線
120
0.5mA
80
40
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
IB=0mA
2
4
6
8
10
50
0
0.2
0.4 0.6
0.8
1.0
1.2
20
10
5
Fig.2 エミッタ接地伝達静特性
100
−25°C
50
20
10
5
2
1
0.001 0.002 0.005 0.01 0.02
0.05
0.1 0.2
0.5
1
Ta=25°C
5
2
1
0.5
0.2
IC/IB=20
10
5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.001 0.002 0.005
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
1000
Ta=25°C
VCE=10V
500
200
100
50
20
10
5
2
1
−0.005 −0.01 −0.02
−0.05 −0.1 −0.2
−0.5 −1 −2
EMITTER CURRENT : IE (A)
Fig.7 利得帯域幅積ーエミッタ電流特性
0.05
0.1 0.2
0.5
1
10
200
100
50
20
10
5
2
1
0.1 0.2
0.5
1
2
5
10
20
IC/IB=10
2
1
0.5
VBE(sat)
Ta=−25°C
25°C
100°C
0.2
0.1
0.05
Ta=100°C
VCE(sat)
25°C
0.02
0.01
0.001 0.002 0.005
−25°C
0.01 0.02
0.05
0.1 0.2
0.5
1
Fig.6 コレクタ・エミッタ間飽和電圧
ベース・エミッタ間飽和電圧ーコレクタ電流特性
1
Ta=25°C
f=1MHz
IE=0A
500
1
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
Fig.5 コレクタ・エミッタ間飽和電圧
ーコレクタ電流特性
1000
0.5
5
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
COLLECTOR OUTPUT CAPACITANCE : Cob (pF)
Fig.4 直流電流増幅率ーコレクタ電流特性( ΙΙ )
0.01 0.02
0.1 0.2
Fig.3 直流電流増幅率ーコレクタ電流特性( Ι )
COLLECTOR SATURATION VOLTAGE :VCE(sat) (V)
BASE SATURATION VOLTAGE :VBE(sat) (V)
25°C
10
0.05
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
Ta=100°C
200
1
0.001 0.002 0.005 0.01 0.02
1.4 1.6
Fig.1 エミッタ接地出力静特性
VCE=10V
5V
2
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE (V)
500
VCE=10V
100
0.001
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (V)
1000
TRANSITION FREQUENCY : fT (MHz)
200
0.002
0
0
DC CURRENT GAIN : hEF
A
2.5m
2.0mA
1.5mA
1.0mA
Ta=25°C
500
DC CURRENT GAIN : hEF
A
3.0m
1000
VCE=3V
25°C
−25°C
3.5
1
0.5
Ta=100
°C
mA
160
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
Ta=25°C
COLLECTOR SATURATION VOLTAGE : VCE(sat) (V)
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
200
50
100
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB (V)
Fig.8 コレクタ出力容量
ーコレクタ・ベース間電圧特性
Ic Max. (Pulse∗)
Pw=10m
Pw=1m
0.1
Pw=100m
DC
0.01
Ta=25°C
∗Single
0.001 nonrepetitive pulse
0.1
1
10
100
1000
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (V)
Fig.9 安全動作領域
Rev.D
2/3
2SC4505
トランジスタ
RL=1.5kΩ
VIN
IB1
ベース電流波形
IB2
IB1
IB2
TUT
~150V
−VCC_
Pw
90%
~50µs
Pw_
duty cycle≦1%
IC
~6V
−VBB_
10%
コレクタ電流波形
ton
tstg tf
Fig.10 スイッチング時間測定回路図
Rev.D
3/3
Appendix
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Appendix1-Rev2.0

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