高周波増幅用 (20V, 50mA, 1.5GHz)

2SC5661 / 2SC4725 / 2SC4082 / 2SC3837K
トランジスタ
高周波増幅用 (20V, 50mA, 1.5GHz)
2SC5661 / 2SC4725 / 2SC4082 / 2SC3837K
z外形寸法図（Unit：mm）
z特長
１）fT が高い。 (fT = 1.5GHz)
２）rbb’⋅Cc が小さく高利得である。(Typ. 6ps)
３）NF が小さい。
2SC5661
z包装仕様及び hFE
Type
2SC5661
2SC4725
2SC4082
2SC3837K
パッケージ名
hFE
VMT3
NP
AC∗
EMT3
NP
AC∗
UMT3
NP
1C∗
SMT3
NP
AC∗
T2L
8000
TL
3000
T106
3000
T146
3000
標印
包装記号
基本発注単位
(1) Base
(2) Emitter
(3) Collector
ROHM : VMT3
2SC4725
∗はhFE
z絶対最大定格（Ta=25℃）
Parameter
コレクタ・ベース間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
エミッタ・ベース間電圧
コレクタ電流
2SC5661,2SC4725
コレクタ損失
2SC4082,2SC3837K
接合部温度
Symbol
VCBO
VCEO
Limits
30
V
V
3
VEBO
IC
V
mA
50
0.15
PC
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
W
0.2
150
−55 ∼ +150
Tstg
2SC4082
Unit
20
Tj
保存温度範囲
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
ROHM : EMT3
EIAJ : SC-75A
℃
ROHM : UMT3
EIAJ : SC-70
℃
各端子とも同寸法
2SC3837K
2.9
1.1
0.4
0.8
1.6
2.8
(3)
(2)
ROHM : SMT3
EIAJ : SC-59
0.15
1.9
0.3Min.
(1)
0.95 0.95
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
各端子とも同寸法
z電気的特性（Ta=25℃）
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
コレクタ・ベース降伏電圧
コレクタ・エミッタ降伏電圧
エミッタ・ベース降伏電圧
コレクタしゃ断電流
エミッタしゃ断電流
Parameter
BVCBO
BVCEO
30
20
3
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
0.5
0.5
V
V
V
µA
IC＝10µA
IC＝1mA
µA
VEB＝2V
コレクタ・エミッタ飽和電圧
VCE(sat)
−
−
1500
0.9
0.5
180
−
1.5
V
−
MHz
pF
BVEBO
ICBO
IEBO
Conditions
IE＝10µA
VCB＝15V
直流電流増幅率
利得帯域幅積
hFE
コレクタ出力容量
Cob
−
56
600
−
rbb'·Cc
−
6
13
ps
VCB＝10V, IC＝10mA, f＝31.8MHz
NF
−
4.5
−
dB
VCE＝12V, IC＝2mA, f＝200MHz, Rg＝50Ω
コレクタ・ベース時定数
雑音指数
fT
IC/IB＝20mA/4mA
VCE/IC＝10V/10mA
VCE＝10V, IE＝ −10mA, f＝200MHz
VCB＝10V, IE＝0A, f＝1MHz
本製品は、帯電性の大きな環境では素子の劣化・破壊の恐れがありますので、取り扱い時には必ず静電対策を講じてく
ださい。
Rev.B
1/3
2SC5661 / 2SC4725 / 2SC4082 / 2SC3837K
トランジスタ
200
100
50
20
10
0.1 0.2
0.5
1
2
5
10 20
50
500
200
100
50
20
10
1000
500
200
−0.5 −1 −2
−5
−10 −20
−50
5
10 20
2
5
10
20
50
COLLECTOR CURRENT : Ic (mA)
Fig.7 順方向伝達利得ーコレクタ電流特性
0.5
1
2
5
10
5
Ta＝25°C
VCE＝10V
f＝31.8MHz
1
0.1 0.2
0.5
1
2
5
10 20
Ta＝25°C
VCE＝10V
IC＝10mA
20
15
10
5
0
50
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
FREQUENCY : f (GHz)
Fig.6 順方向伝達利得ー周波数特性
Ta＝25°C
IC＝2mA
f＝200MHz
Ta＝25°C
VCE＝12V
f＝200MHz
NOISE FIGURE : NF(dB)
25
50
Fig.3 入出力・帰還容量ー電圧特性
20
2
10 20
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB (V)
2
5
1
0.2
0.1 0.2
50
Fig.5 コレクタ・ベース時定数
ーコレクタ電流特性
INSERTION GAIN : IS21el (dB)
2
INSERTION GAIN : IS21el (dB)
2
30
Ta＝25°C
VCE＝12V
f＝200MHz
10
0.5
Cre
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
15
0
0.5
25
Fig.4 利得帯域幅積ーエミッタ電流特性
20
Cob
1.0
50
EMITTER CURRENT : IE (mA)
25
1
2
2000
−0.1 −0.2
0.5
Fig.2 コレクタ・エミッタ飽和電圧
ーコレクタ電流特性
COLLECTOR TO BASE TIME CONSTANT : Cc rbb' (ps)
TRANSITION FREQUENCY : fT (MHz)
Ta＝25°C
VCE＝10V
100
2.0
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
Fig.1 直流増幅率ーコレクタ電流特性
Ta＝25°C
f＝1MHz
IE＝0A
0.1
0.1 0.2
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
5000
5.0
Ta＝25°C
IC/IB＝5
OUTPUT CAPACITANCE :CoB (pF)
FEEDBACK CAPACITANCE :Cre (pF)
Ta＝25°C
VCE＝10V
INSERTION GAIN : IS21el (dB)
DC CURRENT TRANSFER RATIO :hFE
500
COLLECTOR SATURATION VOLTAGE :VCE(sat) (mV)
z電気的特性曲線
20
15
10
20
10
5
0
0
2
4
6
8
10
12
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (V)
Fig.8 順方向伝達利得ーコレクタ電圧特性
0
0.1 0.2
0.5
1
2
5
10 20
50
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
Fig.9 雑音指数ーコレクタ電流特性
Rev.B
2/3
2SC5661 / 2SC4725 / 2SC4082 / 2SC3837K
トランジスタ
30
Ta＝25°C
IC＝2mA
f＝200MHz
NOISE FIGURE : NF(dB)
25
20
15
10
5
0
0
2
4
6
8
10
12
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (V)
Fig.10 雑音指数ーコレクタ電圧特性
Rev.B
3/3
Appendix
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Appendix1-Rev3.0

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