高耐圧スイッチング用 (400V, 2A)

2SC5161
トランジスタ
高耐圧スイッチング用 (400V, 2A)
2SC5161
z外形寸法図 (Unit : mm）
6.5±0.2
5.1+0.2
−0.1
C0.5
2.3 +0.2
−0.1
2.5
1.5
9.5±0.5
0.5±0.1
0.9
5.5 +0.3
−0.1
1.5±0.3
z特長
1) VCE(sat)が低い。
VCE(sat)=0.15V(Typ.)
(IC/IB=1A/0.2A)
2) 高耐圧である。
VCEO=400V
3) スイッチング速度が速い。
tf ≤1.0µs
(IC=0.8A)
0.65±0.1
0.75
0.9
0.5±0.1
2.3±0.2 2.3±0.2
1.0±0.2
(1) (2) (3)
z構造
三重拡散プレーナ形
NPN シリコントランジスタ
ROHM : CPT3
EIAJ : SC-63
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
z絶対最大定格 (Ta=25°C)
Parameter
Symbol
Limits
Unit
コレクタ・ベース間電圧
VCBO
400
V
コレクタ・エミッタ間電圧
VCEO
400
V
エミッタ・ベース間電圧
VEBO
7
V
IC
2
A(DC)
ICP
4
A(Pulse)
1
W
10
W(Tc=25°C)
Tj
150
°C
Tstg
−55~+150
°C
コレクタ電流
コレクタ損失
接合部温度
保存温度範囲
PC
∗
∗ Single pulse Pw=10ms
Rev.A
1/3
2SC5161
トランジスタ
z電気的特性 (Ta=25°C)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
コレクタ・ベース降伏電圧
BVCBO
400
−
−
V
コレクタ・エミッタ降伏電圧
BVCEO
400
−
−
V
IC=1mA
エミッタ・ベース降伏電圧
BVEBO
7
−
−
V
IE=50µA
コレクタしゃ断電流
ICBO
−
−
10
µA
VCB=400V
エミッタしゃ断電流
IEBO
−
−
10
µA
VEB=5V
コレクタ・エミッタ飽和電圧
VCE(sat)
−
−
1
V
IC/IB=1A/0.2A
ベース・エミッタ飽和電圧
VBE(sat)
−
−
1.5
V
IC/IB=1A/0.2A
hFE
25
−
50
−
VCE=5V, IC=0.1A
fT
−
10
−
MHz
コレクタ出力容量
Cob
−
30
−
pF
VCB=10V, IE=0A, f=1MHz
ターンオン時間
tON
−
−
1
µs
蓄積時間
tstg
−
−
2.5
µs
下降時間
tf
−
−
1
µs
IC=0.8A, RL=250Ω
IB1=−IB2=0.08A
VCC 200V
Refer to measurement circuit diagram
直流電流増幅率
利得帯域幅積
Conditions
IC=50µA
VCE=10V,IE=−0.5A,f=5MHz
∗1
∗1 パルス測定
z包装仕様及び hFE
テーピング
包装名
記号
Type
hFE
2SC5161
B
TL
基本発注単位(個)
2500
hFE の値により下表のように分類します。
Item
B
hFE
25~50
z電気的特性曲線
1
Ta=100°C
0.5
0.2
25°C
0.1
0.05
−25°C
0.02
0.01
0.005
1000
Tc=25°C
180mA
1.6
80mA
1.2
60mA
40mA
0.8
20mA
0.4
IB=10mA
0.2 0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE (V)
Fig.1 エミッタ接地伝達静特性
0
2
4
6
8
10
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (V)
Fig.2 エミッタ接地出力静特性
200
100
50
20
10
5
VCE=10V
5V
2
0
0
Ta=25°C
500
120mA
DC CURRENT GAIN : hFE
2
0.002
0.001
2.0
VCE=5V
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
10
5
1
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5
1
2
5
10
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
Fig.3 直流電流増幅率
−コレクタ電流特性 ( Ι )
Rev.A
2/3
2SC5161
DC CURRENT GAIN : hFE
200
Ta=100°C
25°C
−25°C
100
50
20
10
5
2
1
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5
1
2
5
10
10
Ta=25°C
5
2
1
0.5
IC/IB=10
0.2
0.1
5
0.05
0.02
0.01
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
Ta=−25°C
25°C
100°C
1
0.5
0.2
0.1
0.02
5
10
100°C
25°C
−25°C
tstg
1
tf
0.2
ton
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5
1
2
2
1
5
0.01
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
10
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
Fig.6 コレクタ・エミッタ間飽和電圧
−コレクタ電流特性
ベース・エミッタ間飽和電圧
−コレクタ電流特性
0.5
1
2
Ta=−25°C
25°C
100°C
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
100°C
25°C
−25°C
0.01
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5
1
2
5
10
Fig.6 コレクタ・エミッタ間飽和電圧
−コレクタ電流特性
ベース・エミッタ間飽和電圧
−コレクタ電流特性
2
0.5
IC/IB=5
5
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
IC=10IB1=−10IB2
Pulse
5
TURN ON TIME : ton (µs)
STORAGE TIME : tstg (µs)
FALL TIME
: tf (µs)
COLLECTOR SATURATION VOLTAGE : VCE(sat) (V)
BASE SATURATION VOLTAGE
: VBE(sat) (V)
10
IC/IB=5
2
2
Fig.5 コレクタ・エミッタ間飽和電圧
−コレクタ電流特性
5
0.05
1
10
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
Fig.4 直流電流増幅率
−コレクタ電流特性 ( ΙΙ )
10
0.5
COLLECTOR SATURATION VOLTAGE : VCE(sat) (V)
BASE SATURATION VOLTAGE
: VBE(sat) (V)
Ta=25°C
500
COLLECTOR OUTPUT CAPACITANCE : Cob (pF)
1000
COLLECTOR SATURATION VOLTAGE : VCE(sat ) (V)
トランジスタ
5
10
1000
Ta=25°C
f=1MHz
IE=0A
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.1 0.2
0.5 1
2
5
10
20
50 100
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB (V)
Fig.9 スイッチング時間
−コレクタ電流特性
Fig.8 コレクタ出力容量
−コレクタ・ベース間電圧特性
zスイッチング特性測定回路図
RL=250Ω
IC
VIN
IB1
T.U.T.
VCC
200V
IB2
PW
PW 50µs
duty cycle≤1%
IB1
ベース電流波形
IB2
90%
IC
コレクタ電流波形
10%
ton
tstg tf
Rev.A
3/3
Appendix
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装置が外為法に定める規制貨物に該当するか否かを判断していただく必要があります。
● 本製品は「耐放射線設計」はなされておりません。
本資料に掲載されている製品は、一般的な電子機器（AV機器、OA機器、通信機器、家電
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●輸出貿易管理令について
本資料に掲載した製品は、輸出貿易管理令別表1の16項に定める関税定率法別表第85類の貨物の対象とな
りますので、輸出する場合には、大量破壊兵器などの不拡散のためのキャッチオール規制に基づく客観要
件又はインフォーム要件に該当するか否かを判定願います。
Appendix1-Rev1.1

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