2SB1424 / 2SA1585S

2SB1424 / 2SA1585S
トランジスタ
低消費電力増幅用（−20V, −3A）
2SB1424 / 2SA1585S
z外形寸法図（Unit : mm）
2SB1424
2SA1585S
4±0.2
(3)
0.5±0.1
0.4+0.1
−0.05
3Min.
4.0±0.3
2.5+0.2
−0.1
0.4±0.1
1.5±0.1
(2)
0.45+0.15
−0.05
0.4±0.1
1.5±0.1
2.5 +0.4
−0.1
3.0±0.2
z構造
エピタキシャルプレーナ形
PNP シリコントランジスタ
5
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
ROHM : MPT3
EIAJ : SC-62
2±0.2
3±0.2
1.5±0.1
1.6±0.1
（15Min.）
0.5±0.1
4.5+0.2
−0.1
(1)
1.0±0.2
z特長
1) VCE(sat)が低い。
VCE(sat)= −0.2V（Typ.）
（IC / IB= −2A / −0.1A）
2) 直流電流増幅率 hFE の電流特性が
優れている。
3) 2SD2150 / 2SC4115S とコンプ
リである。
+0.15
0.45 −0.05
(1) (2) (3)
ROHM : SPT
EIAJ : SC-72
標印略記号 : AE∗
0.5
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
∗はhFE
z絶対最大定格（Ta=25°C）
Parameter
Symbol
Limits
Unit
コレクタ・ベース間電圧
VCBO
−20
V
コレクタ・エミッタ間電圧
VCEO
−20
V
エミッタ・ベース間電圧
VEBO
−6
V
2SB1424
−3
IC
−5
ICP
コレクタ損失
2SB1424
2SA1585S
接合部温度
保存温度範囲
A
−2
コレクタ電流 2SA1585S
A(Pulse) ∗
0.5
PC
W
0.4
Tj
150
°C
Tstg
−55∼+150
°C
∗Single pulse Pw=10ms
z電気的特性（Ta=25°C）
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
コレクタ・ベース降伏電圧
BVCBO
−20
−
−
V
コレクタ・エミッタ降伏電圧
BVCEO
−20
−
−
V
IC= −1mA
エミッタ・ベース降伏電圧
BVEBO
−6
−
−
V
IE= −50µA
コレクタしゃ断電流
ICBO
−
−
−0.1
µA
VCB= −20V
エミッタしゃ断電流
IEBO
−
−
−0.1
µA
VEB= −5V
VCE(sat)
−
−
−0.5
V
IC/IB= −2A/−0.1A
hFE
120
−
390
−
VCE= −2V, IC= −0.1A
fT
−
240
−
MHz
Cob
−
35
−
pF
Parameter
コレクタ・エミッタ飽和電圧
直流電流増幅率
利得帯域幅積
コレクタ出力容量
Conditions
IC= −50µA
VCE= −2V, IE=0.5A, f=100MHz
VCB= −10V, IE=0A, f=1MHz
Rev.A
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2SB1424 / 2SA1585S
トランジスタ
z包装仕様及び hFE
hFE の値により下表のように分類します。
包装名
テーピング
記号
Type
基本発注単位(個)
hFE
TP
T100
5000
1000
2SA1585S
QR
⃝
−
2SB1424
QR
−
⃝
Item
Q
R
hFE
120~270
180~390
z電気的特性曲線
−40°C
25°C
−0.1
−0.05
−0.02
−0.01
−5m
0
−0.2
−0.4
−0.6
−0.8
DC CURRENT GAIN : hFE
1k
500
−1.2
−10mA
−8mA
−1.2
−6mA
−0.8
−4mA
−2mA
−0.4
0
0
−0.4
−0.6
−0.8
IB=0A
−1.0
Fig.1 エミッタ接地伝達静特性
Fig.2 エミッタ接地出力静特性 ( )
VCE= −2V
−2
IC/IB=10
−1
Ta=100°C
25°C
−40°C
−2m
−1m −2m −5m −10m −20m −50m −100m −200m −500m −1 −2 −5 −10
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
IC/IB=50
−500m
−200m
Ta=100°C
−40°C
25°C
−20m
−10m
−5m
−2m
−1m −2m −5m −10m −20m −50m −100m −200m −500m −1 −2
−5 −10
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
Fig.7 コレクタ・エミッタ間飽和電圧
−コレクタ電流特性 ( )
EMITTER INPUT CAPACITANCE : Cib (pF)
COLLECTOR OUTPUT CAPACITANCE : Cob (pF)
−2
−5mA
−1
IB=0A
0
0
−1
−2
−3
−4
−5
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (V)
Fig.3 エミッタ接地出力静特性 (
−2
)
IC/IB=20
Ta=100°C
25°C
−40°C
−10m
−5m
−1
−10mA
−20m
−10m
Fig.4 直流電流増幅率−コレクタ電流特性
−15mA
−2
−50m
−20m
−5 −10
−20mA
−100m
−50m
5
−1m −2m −5m −10m −20m −50m −100m −200m −500m −1 −2
−3
−200m
−100m
20
−4
−500m
Ta=100°C
25°C
−40°C
−200m
50
Ta=25°C
−45mA
−40mA 35mA
−
−30mA
−25mA
−1
−500m
10
COLLECTOR SATURATION VOLTAGE : VCE(sat) (V)
−0.2
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (V)
100
−50m
−50mA
−12mA
−1.6
−1.4
200
−100m
−5
Ta=25°C
−14mA
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE (V)
5k
2k
−1.0
A
−16m
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
−0.2
−20mA
−18mA
COLLECTOR SATURATION VOLTAGE : VCE(sat) (V)
Ta=100°C
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
−1
−0.5
COLLECTOR SATURATION VOLTAGE : VCE(sat) (V)
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
−2
−2m
−1m
−2.0
VCE= −2V
−5
−5m
−2m
−1m −2m −5m −10m −20m −50m−100m−200m −500m −1 −2 −5 −10
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
Fig.5 コレクタ・エミッタ間飽和電圧
−コレクタ電流特性 ( )
Fig.6 コレクタ・エミッタ間飽和電圧
ーコレクタ電流特性 ( )
1000
Ta=25°C
f=1MHz
IE=0A
IC=0A
500
Cib
200
100
Cob
50
20
10
−0.1 −0.2
−0.5
−1
−2
−5
−10 −20
−50
EMITTER TO BASE VOLTAGE : VEB (V)
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB (V)
Fig.8 利得帯域幅積−エミッタ電流特性
コレクタ出力容量
−コレクタ・ベース間電圧特性
1000
TRANSITION FREQUENCY : fT (MHz)
−10
Ta=25°C
VCE= −2V
500
200
100
50
20
10
5
2
1
1
2
5
10
20
50 100 200
500 1000
EMITTER CURRENT : IE (mA)
Fig.9 エミッタ入力容量
−エミッタ・ベース間電圧特性
Rev.A
2/2
Appendix
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りますので、輸出する場合には、大量破壊兵器などの不拡散のためのキャッチオール規制に基づく客観要
件又はインフォーム要件に該当するか否かを判定願います。
Appendix1-Rev1.1

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