データシート

2SC5876
トランジスタ
中電力増幅用 (60V, 0.5A)
2SC5876
2.0
1.3
0.9
(1)
(2)
(3)
0.3
0.65 0.65
UMT3
0.7
z外形寸法図 (Unit : mm)
z特長
1) スイッチング速度が速い。
(Tf : Typ. : 80ns at IC = 500mA)
2) VCE(sat)が低い。 (Typ. : 150mV at IC = 100mA, IB =
10mA)
3) 安全動作領域が広く、インダクタンス負荷及び
コンデンサ負荷に強い。
4) 2SA2088 とコンパチである。
1.25
0.15
0.2
2.1
0.1Min.
(1)Emitter
(2)Base
(3)Collector
各端子とも同寸法
標印略記号：VS
z用途
低周波増幅、高速スイッチング
z構造
NPN エピタキシャルプレーナ形
シリコントランジスタ
z包装仕様
包装名
Type
テーピング
記号
T106
基本発注単位 (個)
3000
2SC5876
z絶対最大定格 (Ta=25°C)
Parameter
Symbol
Limits
Unit
コレクタ・ベース間電圧
VCBO
60
V
コレクタ・エミッタ間電圧
VCEO
60
V
エミッタ・ベース間電圧
VEBO
6
V
IC
0.5
A
ICP
1.0
A
コレクタ損失
PC
200
mW
ジャンクション温度
Tj
150
°C
Tstg
−55~+150
°C
コレクタ電流
保存温度
∗1
∗2
∗1 Pw=10ms
∗2 各端子を推奨ランドに実装した場合
Rev.A
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2SC5876
トランジスタ
z電気的特性 (Ta=25°C)
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
コレクタ・ベース降伏電圧
Parameter
BVCBO
60
−
−
V
IC=100µA
コレクタ・エミッタ降伏電圧
BVCEO
60
−
−
V
IC=1mA
エミッタ・ベース降伏電圧
BVEBO
6
−
−
V
IE=100µA
Conditions
コレクタ遮断電流
ICBO
−
−
1.0
µA
VCB=40V
エミッタ遮断電流
IEBO
−
−
1.0
µA
VEB=4V
VCE(sat)
−
150
300
mV
IC=100mA, IB=10mA
hFE
120
−
390
−
fT
−
300
−
MHz
Cob
−
5
−
pF
VCB=10V, IE=0mA, f=1MHz
IC=500mA,
IB1=50mA
IB2= −50mA
VCC 25V ∗1
コレクタ・エミッタ飽和電圧
直流電流増幅率
利得帯域幅積
コレクタ出力容量
ターンオン時間
ton
−
70
−
ns
蓄積時間
tstg
−
130
−
ns
下降時間
tf
−
80
−
ns
VCE=2V, IC=50mA
VCE=10V, IE= −100mA, f=10MHz∗1
∗1 パルス測定
zhFE ランク分類
Q
R
120-270
180-390
z電気的特性曲線
1000
1000
Single non
repetitive pulse
Tstg
1ms
10ms
DC
0.01
0.1
100ms
1
10
Tf
Ton
10
0.01
100
0.1
1
1000
0.01
COLLECTOR SATURATION
VOLTAGE : VCE(sat)(V)
VCE=2V
VCE=3V
10
0.1
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
Fig.4 DC current gain vs. collector
current
1
10
Ta=25°C
1
Ta=125°C
0.1
0.01
0.001
1
Fig.3 DC current gain vs. collector
current
Ta=25°C
1
IC/IB=20/1
0.1
IC/IB=10/1
Ta= −40°C
0.01
0.1
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
IC/IB=10/1
VCE=5V
DC CURRENT GAIN : hFE
1
0.001
10
Ta=25°C
1
0.001
Ta=25°C
Ta= −40°C
10
10
Fig.2 Switching Time
Fig.1 Safe operating area
100
100
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
COLLECTOR EMITTER VOLTAGE : VCE (V)
COLLECTOR SATURATION
VOLTAGE : VCE (sat)(V)
0.1
100
Ta=125°C
DC CURRENT GAIN : hFE
1
VCE=2V
Ta=25°C
VCC=25V
IC/IB=10/1
500µs
SWITCHING TIME (ns)
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
10
0.01
0.1
1
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
Fig.5 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current
0.01
0.001
0.01
0.1
1
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
Fig.6 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current
Rev.A
2/3
2SC5876
トランジスタ
10
1000
TRANSITION FREQUENCY : FT (MHz)
1
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
BASE EMITTER SATURATION
VOLTAGE : VBE(sat) (V)
IC/IB=10/1
Ta= −40°C
1
Ta=25°C
Ta=125°C
0.1
0.01
0.001
0.1
Ta=25°C
Ta= −40°C
0.1
0
1
100
10
VCE=2V
0.01
0.01
0.5
1
1.5
1
−0.001
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE (V)
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
−0.01
−0.1
−1
−10
EMITTER CURRENT : IE (A)
Fig.8 Ground emitter propagat on
characteristics
Fig.7 Base-emitter saturation voltage
vs. collector current
COLLECTOR OUTPUT CAPACITANCE : CoB (pF)
Ta=125°C
Ta=25°C
VCE=10V
Fig.9 Transition frequency
100
Ta=25°C
f=1MHz
10
1
0.1
1
10
100
BASE TO COLLECTOR VOLTAGE : VCB (V)
Fig.10 Collector output capacitance
zスイッチング特性測定回路図
RL=50Ω
VIN
IB1
IC
VCC 25V
PW
IB2
PW 50 S
Duty cycle 1%
IB1
IB2
ベース電流波形
90%
IC
コレクタ電流波形
10%
Ton
Tstg Tf
Rev.A
3/3
Appendix
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Appendix1-Rev2.0

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