2SD2704K / 2SD2705S トランジスタ ミューティング回路用 (高 hEF 20V, 0.3A) 2SD2704K / 2SD2705S z特長 1) 直流電流増幅率 hFE が高い。 hFE = 820~2700 2) エミッタ・ベース間電圧が高い。 VEBO =25V (Min.) 3) RON が低い。 RON = 0.7Ω (Typ.) z外形寸法図 (Unit : mm) 2SD2704K 2.9 1.1 0.4 0.8 1.6 2.8 (3) (2) 0.3Min. (1) 0.95 0.95 0.15 1.9 z構造 エピタキシャルプレーナ形 NPN シリコントランジスタ ROHM : SMT3 EIAJ : SC-59 (1) Emitter (2) Base (3) Collector 標印略記号: XL 2SD2705S 2.0 3.0 4.0 3Min. z包装仕様 包装名 Type 各端子とも同寸法 (15Min.) テーピング 記 号 T146 TP 基本発注単位(個) 3000 5000 2.5 0.45 (1) (2) (3) ROHM : SPT EIAJ : SC-72 − 2SD2705S 0.5 5.0 − 2SD2704K 0.45 (1) Emitter (2) Collector (3) Base z絶対最大定格 (Ta=25°C) Parameter Symbol Limits Unit コレクタ・ベース間電圧 VCBO 50 V コレクタ・エミッタ間電圧 VCEO 20 V エミッタ・ベース間電圧 VEBO 25 V IC 0.3 A コレクタ電流 コレクタ損失 2SD2704K 2SD2705S ジャンクション温度 保存温度 PC 0.2 0.3 W Tj 150 °C Tstg −55∼+150 °C Rev.B 1/4 2SD2704K / 2SD2705S トランジスタ z電気的特性 (Ta=25°C) Symbol Min. Typ. Max. Unit コレクタ・ベース降伏電圧 BVCBO 50 − − V IC=10µA コレクタ・エミッタ降伏電圧 BVCEO 20 − − V IC=1mA エミッタ・ベース降伏電圧 BVEBO 25 − − V IE=10µA コレクタしゃ断電流 ICBO − − 0.1 µA VCB=50V エミッタしゃ断電流 IEBO − − 0.1 µA VEB=25V VCE(sat) − 50 100 mV IC/IB=30mA/3mA hFE 820 − 2700 − VCE=2V, IC=4mA Parameter コレクタ・エミッタ飽和電圧 直流電流増幅率 Conditions fT − 35 − MHz コレクタ出力容量 Cob − 3.9 − pF VCB=10V, IE=0A, f=1MHz 出力オン抵抗 Ron − 0.7 − Ω IB=5mA, Vi=100mV(rms), f=1kHz 利得帯域幅積 VCE=6V, IE= −4mA, f=10MHz z電気的特性曲線 25°C −40°C 0.1 0.1 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 Ta=125°C 100 25°C 0.1 1000 Ta=25°C Ta= −40°C 100 10 1 10 100 COLLECTOR CURRENT : IC (mA) Fig.4 直流電流増幅率 -コレクタ電流特性 ( ) 1000 1000 Ta=25°C Ta= −40°C 100 10 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1 10000 IC/IB=10/1 1000 Ta=125°C 100 Ta=25°C 10 Ta= −40°C 1 1 10 100 1000 COLLECTOR CURRENT : IC (mA) Fig.5 コレクタ・エミッタ間飽和電圧 −コレクタ電流特性 ( ) 10 100 1000 COLLECTOR CURRENT : IC (mA) Fig.2 エミッタ接地伝達静特性 ( ΙΙ ) COLLECTOR SATURATION VOLTAGE : VCE(sat) (mV) DC CURRENT GAIN : hFE Ta=125°C VCE=2V BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE(ON) (V) Fig.1 エミッタ接地伝達静特性 ( Ι ) VCE=6V −40°C 10 0.1 0 1.2 10000 Ta=125°C BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE(ON) (V) 10000 VCE=6V DC CURRENT GAIN : hFE Ta=125°C 100 10 1000 Fig.3 直流電流増幅率 -コレクタ電流特性 ( ) COLLECTOR SATURATION VOLTAGE : VCE(sat) (mV) VCE=2V COLLECTOR CURRENT : IC (mA) COLLECTOR CURRENT : IC (mA) 1000 10000 IC/IB=20/1 1000 Ta=125°C 100 Ta=25°C 10 Ta= −40°C 1 1 10 100 1000 COLLECTOR CURRENT : IC (mA) Fig.6 コレクタ・エミッタ間飽和電圧 −コレクタ電流特性 ( ) Rev.B 2/4 2SD2704K / 2SD2705S 1000 Ta=125°C 100 Ta=25°C Ta= −40°C 10 1 1 10 100 1000 10000 IC/IB=10/1 Ta= −40°C 1000 Ta=125°C 100 1 Ta= −40°C Ta=25°C 1 1 10 100 1000 1 10 Fig.10 ベース・エミッタ間飽和電圧 −コレクタ電流特性 ( ) 100 ON RESISTANCE : Ron (Ω) ON RESISTANCE : Ron (Ω) 10 1 10 Ta=125°C 100 1 100 BASE CURRENT : IB (mA) Fig.13 出力オン抵抗ーベース電流特性 ( ) Ta=25°C 10 100 1000 Fig.9 ベース・エミッタ間飽和電圧 −コレクタ電流特性 ( ) 100 100 Ta=25°C f=1MHz IE=0A 10 1 0.1 1 10 100 COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB (V) EMITTER TO BASE VOLTAGE : VEB (V) Fig.11 利得帯域幅積ーエミッタ電流特性 Ta= 25°C 0.1 Ron測定回路はFig.15を参照 0.01 0.1 1 Ta= −40°C 1000 EMITTER CURRENT : IE (mA) COLLECTOR CURRENT : IC (mA) 100 IC/IB=20/1 COLLECTOR CURRENT : IC (mA) Ta=25°C f=50MHz IE=0A TRANSITION FREQUENCY : fT (MHz) BASE SATURATION VOLTAGE : VBE(sat) (mV) 100 1000 Fig.8 ベース・エミッタ間飽和電圧 −コレクタ電流特性 ( ) 10000 IC/IB=50/1 Ta=125°C 100 10000 COLLECTOR CURRENT : IC (mA) Fig.7 コレクタ・エミッタ間飽和電圧 −コレクタ電流特性 ( ) 1000 Ta=25°C 10 COLLECTOR CURRENT : IC (mA) 10000 BASE SATURATION VOLTAGE : VBE(sat) (mV) IC/IB=50/1 COLLECTOR OUTPUT CAPACITANCE : Cob (pF) EMITTER INPUT CAPACITANCE : Cib (pF) 10000 BASE SATURATION VOLTAGE : VBE(sat) (mV) COLLECTOR SATURATION VOLTAGE : VCE(sat) (mV) トランジスタ Fig.12 コレクタ出力容量 ーコレクタ・ベース間電圧特性 エミッタ入力容量 ー エミッタ・ベース間電圧特性 Ta= 25°C 10 1 0.1 Ron測定回路はFig.16を参照 0.01 0.1 1 10 100 BASE CURRENT : IB (mA) Fig.14 出力オン抵抗ーベース電流特性 ( ) Rev.B 3/4 2SD2704K / 2SD2705S トランジスタ zRon測定回路図 RL=1kΩ RL=1kΩ 入力 Vi 100mV(rms) 1V(rms) f=1kHz V IB Ron= v0 vi−v0 ×RL Fig.15 Ron測定回路 ( ) 出力 v0 入力 Vi 100mV(rms) 1V(rms) f=1kHz V 出力 v0 IB Ron= v0 vi−v0 ×RL Fig.16 Ron測定回路 ( ) Rev.B 4/4 Appendix ご 注 意 ● 本資料の一部または全部を弊社の許可なく、転載・複写することを堅くお断りします。 ● 本資料の記載内容は改良などのため予告なく変更することがあります。 ● 本資料に記載されている内容は製品のご紹介資料です。ご使用にあたりましては、別途仕様書を 必ずご請求のうえ、ご確認ください。 ● 本資料に記載されております応用回路例やその定数などの情報につきましては、本製品の標準的な 動作や使い方を説明するものです。したがいまして、量産設計をされる場合には、外部諸条件を 考慮していただきますようお願いいたします。 ● 本資料に記載されております製品の使用に関する応用回路例・情報・諸データは、あくまで一例を 示すものであり、これらの使用に起因する工場所有権に関する諸問題につきましては、弊社は一切 その責任を負いかねますのでご了承ください。 ● 本資料に記載されております製品の販売に関し、その製品自体の使用・販売、その他の処分以外には 弊社の所有または管理している工業所有権など知的財産権またはその他のあらゆる権利に ついて明示的にも黙視的にも、その実施または利用を買主に許諾するものではありません。 ● 本資料に記載されております製品および技術のうち「外国為替及び外国貿易法」に該当する製品 または技術を輸出する場合、または国外に提供する場合には、同法に基づく許可が必要です。 ● 本製品は「耐放射線設計」はなされておりません。 本資料に掲載されております製品は、一般的な電子機器(AV機器、OA機器、通信機器、家電製品、 アミューズメント機器など)への使用を意図しています。極めて高度な信頼性が要求され、その 製品の故障や誤動作が直接人命に関わるような機器・装置(医療機器、輸送機器、航空宇宙機、 原子力制御、燃料制御、各種安全装置など)へのご使用を検討される際は、事前に弊社営業窓口まで ご相談願います。 Appendix1-Rev2.0
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