ミューティング回路用 (高 hEF 20V, 0.3A)

2SD2704K / 2SD2705S
トランジスタ
ミューティング回路用 (高 hEF 20V, 0.3A)
2SD2704K / 2SD2705S
z特長
1) 直流電流増幅率 hFE が高い。
hFE = 820~2700
2) エミッタ・ベース間電圧が高い。
VEBO =25V (Min.)
3) RON が低い。
RON = 0.7Ω (Typ.)
z外形寸法図 (Unit : mm)
2SD2704K
2.9
1.1
0.4
0.8
1.6
2.8
(3)
(2)
0.3Min.
(1)
0.95 0.95
0.15
1.9
z構造
エピタキシャルプレーナ形
NPN シリコントランジスタ
ROHM : SMT3
EIAJ : SC-59
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
標印略記号: XL
2SD2705S
2.0
3.0
4.0
3Min.
z包装仕様
包装名
Type
各端子とも同寸法
(15Min.)
テーピング
記号
T146
TP
基本発注単位(個)
3000
5000
2.5
0.45
(1) (2) (3)
ROHM : SPT
EIAJ : SC-72
−
2SD2705S
0.5
5.0
−
2SD2704K
0.45
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
z絶対最大定格 (Ta=25°C)
Parameter
Symbol
Limits
Unit
コレクタ・ベース間電圧
VCBO
50
V
コレクタ・エミッタ間電圧
VCEO
20
V
エミッタ・ベース間電圧
VEBO
25
V
IC
0.3
A
コレクタ電流
コレクタ損失
2SD2704K
2SD2705S
ジャンクション温度
保存温度
PC
0.2
0.3
W
Tj
150
°C
Tstg
−55∼+150
°C
Rev.B
1/4
2SD2704K / 2SD2705S
トランジスタ
z電気的特性 (Ta=25°C)
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
コレクタ・ベース降伏電圧
BVCBO
50
−
−
V
IC=10µA
コレクタ・エミッタ降伏電圧
BVCEO
20
−
−
V
IC=1mA
エミッタ・ベース降伏電圧
BVEBO
25
−
−
V
IE=10µA
コレクタしゃ断電流
ICBO
−
−
0.1
µA
VCB=50V
エミッタしゃ断電流
IEBO
−
−
0.1
µA
VEB=25V
VCE(sat)
−
50
100
mV
IC/IB=30mA/3mA
hFE
820
−
2700
−
VCE=2V, IC=4mA
Parameter
コレクタ・エミッタ飽和電圧
直流電流増幅率
Conditions
fT
−
35
−
MHz
コレクタ出力容量
Cob
−
3.9
−
pF
VCB=10V, IE=0A, f=1MHz
出力オン抵抗
Ron
−
0.7
−
Ω
IB=5mA, Vi=100mV(rms), f=1kHz
利得帯域幅積
VCE=6V, IE= −4mA, f=10MHz
z電気的特性曲線
25°C
−40°C
0.1
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
Ta=125°C
100
25°C
0.1
1000
Ta=25°C
Ta= −40°C
100
10
1
10
100
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
Fig.4 直流電流増幅率
-コレクタ電流特性 ( )
1000
1000
Ta=25°C
Ta= −40°C
100
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1
10000
IC/IB=10/1
1000
Ta=125°C
100
Ta=25°C
10
Ta= −40°C
1
1
10
100
1000
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
Fig.5 コレクタ・エミッタ間飽和電圧
−コレクタ電流特性 ( )
10
100
1000
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
Fig.2 エミッタ接地伝達静特性 ( ΙΙ )
COLLECTOR SATURATION VOLTAGE : VCE(sat) (mV)
DC CURRENT GAIN : hFE
Ta=125°C
VCE=2V
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE(ON) (V)
Fig.1 エミッタ接地伝達静特性 ( Ι )
VCE=6V
−40°C
10
0.1
0
1.2
10000
Ta=125°C
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE(ON) (V)
10000
VCE=6V
DC CURRENT GAIN : hFE
Ta=125°C
100
10
1000
Fig.3 直流電流増幅率
-コレクタ電流特性 ( )
COLLECTOR SATURATION VOLTAGE : VCE(sat) (mV)
VCE=2V
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
1000
10000
IC/IB=20/1
1000
Ta=125°C
100
Ta=25°C
10
Ta= −40°C
1
1
10
100
1000
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
Fig.6 コレクタ・エミッタ間飽和電圧
−コレクタ電流特性 ( )
Rev.B
2/4
2SD2704K / 2SD2705S
1000
Ta=125°C
100
Ta=25°C
Ta= −40°C
10
1
1
10
100
1000
10000
IC/IB=10/1
Ta= −40°C
1000
Ta=125°C
100
1
Ta= −40°C
Ta=25°C
1
1
10
100
1000
1
10
Fig.10 ベース・エミッタ間飽和電圧
−コレクタ電流特性 ( )
100
ON RESISTANCE : Ron (Ω)
ON RESISTANCE : Ron (Ω)
10
1
10
Ta=125°C
100
1
100
BASE CURRENT : IB (mA)
Fig.13 出力オン抵抗ーベース電流特性 ( )
Ta=25°C
10
100
1000
Fig.9 ベース・エミッタ間飽和電圧
−コレクタ電流特性 ( )
100
100
Ta=25°C
f=1MHz
IE=0A
10
1
0.1
1
10
100
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB (V)
EMITTER TO BASE VOLTAGE : VEB (V)
Fig.11 利得帯域幅積ーエミッタ電流特性
Ta= 25°C
0.1 Ron測定回路はFig.15を参照
0.01
0.1
1
Ta= −40°C
1000
EMITTER CURRENT : IE (mA)
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
100
IC/IB=20/1
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
Ta=25°C
f=50MHz
IE=0A
TRANSITION FREQUENCY : fT (MHz)
BASE SATURATION VOLTAGE : VBE(sat) (mV)
100
1000
Fig.8 ベース・エミッタ間飽和電圧
−コレクタ電流特性 ( )
10000
IC/IB=50/1
Ta=125°C
100
10000
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
Fig.7 コレクタ・エミッタ間飽和電圧
−コレクタ電流特性 ( )
1000
Ta=25°C
10
COLLECTOR CURRENT : IC (mA)
10000
BASE SATURATION VOLTAGE : VBE(sat) (mV)
IC/IB=50/1
COLLECTOR OUTPUT CAPACITANCE : Cob (pF)
EMITTER INPUT CAPACITANCE : Cib (pF)
10000
BASE SATURATION VOLTAGE : VBE(sat) (mV)
COLLECTOR SATURATION VOLTAGE : VCE(sat) (mV)
トランジスタ
Fig.12 コレクタ出力容量
ーコレクタ・ベース間電圧特性
エミッタ入力容量
ーエミッタ・ベース間電圧特性
Ta= 25°C
10
1
0.1 Ron測定回路はFig.16を参照
0.01
0.1
1
10
100
BASE CURRENT : IB (mA)
Fig.14 出力オン抵抗ーベース電流特性 (
)
Rev.B
3/4
2SD2704K / 2SD2705S
トランジスタ
zRon測定回路図
RL=1kΩ
RL=1kΩ
入力
Vi
100mV(rms)
1V(rms)
f=1kHz
V
IB
Ron=
v0
vi−v0
×RL
Fig.15 Ron測定回路 ( )
出力
v0
入力
Vi
100mV(rms)
1V(rms)
f=1kHz
V
出力
v0
IB
Ron=
v0
vi−v0
×RL
Fig.16 Ron測定回路 ( )
Rev.B
4/4
Appendix
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Appendix1-Rev2.0

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