電力増幅用 (100V , 2A)

2SD2195 / 2SD1980 / 2SD1867
トランジスタ
電力増幅用 (100V , 2A)
2SD2195 / 2SD1980 / 2SD1867
z特長
z外形寸法図 (Unit : mm)
1）ダーリントン接続で高 hFE である。
2）BE 間に抵抗を内蔵。
3）ダンパーDi を内蔵。
4）2SB1580 / 2SB1316 とコンプリである。
2SD2195
1.5
2.5
4.0
(1)
(2)
(3)
1.0
z内部回路図
0.5
0.4
1.5
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
3.0
2SD1980
B
0.4
0.4
1.5
ROHM : MPT3
EIAJ : SC-62
C
R1
0.5
4.5
1.6
6.5
5.1
2.3
R2
0.5
0.75
z絶対最大定格 (Ta = 25°C)
2SD1980
PC
2SD1867
接合部温度
保存温度範囲
Tj
Tstg
∗1 Single pulse Pw=100ms
∗2 40×40×0.7mmセラミック基板時
∗3 t=1.7mm,コレクタ部1cm2以上プリント基板時
0.8Min.
0.9
2.3
(1)
(2)
(3)
2.3
0.5
1.0
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
ROHM : CPT3
EIAJ : SC-63
W
2SD1867
2.5
6.8
W(Tc=25°C)
W
°C
°C
4.4
2SD2195
コレクタ損失
Unit
V
V
V
A(DC)
A(Pulse)
0.65Max.
14.5
IC
0.65
Limits
100
100
6
2
3 ∗1
0.5
2 ∗2
1
10
1 ∗3
150
−55~+150
0.9
コレクタ電流
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
1.0
Parameter
コレクタ・ベース間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
エミッタ・ベース間電圧
2.5
0.9
1.5
5.5
B : Base
C : Collector
E : Emitter
9.5
R1 3.5kΩ
R2 300Ω
1.5
E
0.5
(1)
(2)
(3)
2.54
2.54
1.05
0.45
テーピング仕様です。
ROHM : ATV
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
Rev.B
1/3
2SD2195 / 2SD1980 / 2SD1867
トランジスタ
z包装仕様及び hFE
2SD2195
MPT3
1k~10k
DP
T100
1000
Type
パッケージ名
hFE
標印
包装記号
基本発注単位
2SD1980
CPT3
1k~10k
−
TL
2500
2SD1867
ATV
1k~10k
−
TV2
2500
∗はhFE
z電気的特性 (Ta = 25°C)
Parameter
コレクタ・ベース降伏電圧
コレクタ・エミッタ降伏電圧
エミッタ・ベース降伏電圧
コレクタしゃ断電流
エミッタしゃ断電流
コレクタ・エミッタ飽和電圧
ベース・エミッタ飽和電圧
直流電流増幅率
利得帯域幅積
コレクタ出力容量
Symbol
BVCBO
BVCBO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE(sat)
VBE(sat)
hFE
fT
Cob
Min.
100
100
6
−
−
−
−
1000
−
−
Typ.
−
−
−
−
−
−
−
−
80
25
Max.
−
−
−
10
3
1.5
2.0
10000
−
−
Unit
V
V
V
µA
mA
V
V
−
MHz
pF
Conditions
IC = 50µA
IC = 5mA
IE = 5mA
VCB = 100V
VEB = 5V
IC = 1A , IB = 1mA
∗
IC/IB = 1A/1mA
VCE = 2V , IC = 1A
∗
VCE = 5V , IE = −0.1A , f = 30MHz
VCB = 10V , IE = 0A , f = 1MHz
∗パルス測定
z電気的特性曲線
0.8
A
IB=0.3m
0.4
DC CURRENT GAIN : hFE
A
0.4m
2
1
0.5
0.2
25°C
−25°C
1.2
0.1
0.05
0.02
0
0
1
2
3
5
4
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
2.2
2.6
VCE=4V
2V
2000
1000
500
200
100
50
20
10
0.001
3.0
0.01
1
0.1
10
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
Fig.1 エミッタ接地出力静特性
Fig.2 エミッタ接地伝達静特性
Fig.3 直流電流増幅率−コレクタ電流特性
VCE=2V
5000
2000
200
0°
C
Ta
=1
0
500
−2
25
5°
°C
C
1000
100
50
20
10
0.001 0.002 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1
2
5
10
100
Ta=25°C
50
20
10
5
IC/IB=1000
2
500
1
0.5
0.2
0.1
0.01 0.02
0.05 0.1 0.2
0.5
1
2
5
10
COLLECTOR SATURATION VOLTAGE : VCE(sat) (V)
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE (V)
COLLECTOR SATURATION VOLTAGE : VCE(sat) (V)
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (V)
10000
DC CURRENT GAIN : hFE
0.01
Ta=25°C
5000
100
°C
1.6
VCE=2V
5
Ta=
1m
10000
10
A
0.9m
A
0.8m
A
0.7m
A
0.6m
A
0.5m
A
Ta=25°C
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
2.0
100
IC/IB=1000
50
20
10
5
Ta = −25°C
2
1
25°C
100°C
0.5
0.2
0.1
0.01 0.02
0.05 0.1 0.2
0.5
1
2
5
10
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
Fig.4 直流電流増幅率−コレクタ電流特性
Fig.5 コレクタ・エミッタ間飽和電圧
−コレクタ電流特性
Fig.6 コレクタ・エミッタ間飽和電圧
−コレクタ電流特性
Rev.B
2/3
2SD2195 / 2SD1980 / 2SD1867
トランジスタ
20
50 100
IC (A)
s
10
0m
14w 81 0.8τ(単位 : mm)
+
5
s
0.05
1
0.1
2
10
10m
1m
0.1 0.2
1
0.2
0.1
20m
2m ガラエボ基板使用時
0.5
0.5
0m
50m
5m
=
Pw
100m
=1
DC
2
0.2
s∗
Pw
5
200m
10
0m
IC Max
DC
10
500m
IC Max Pulse
1
s∗
0m
=1
20
Pw
=
1
2
∗
1ms
50
2
Pw
100
3
Ta=25°C
∗ Single Nonrepetitive Pulse
IC Max Pulse∗
Pw=
200
10
5
COLLECTOR CURRENT : IC (A)
Ta=25°C
f=1MHz
IE=0A
500
+
COLLECTOR OUTPUT CAPACITANCE : Cob (pF)
1000
0.5 1
2
5 10 20
50 100 200 500 1000
Ta=25°C
∗ Single Nonrepetitive
Pulse
1
2
5
10
20
50
100
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB (V)
COLLECTOR TO EMITTER VOLTTER
VOLTAGE :VCE (V)
VCE (V)
Fig.7 コレクタ出力容量
−コレクタ・ベース間電圧特性
Fig.8 安全動作領域(2SD2195)
Fig.9 安全動作領域(2SD1867)
Rev.B
3/3
Appendix
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作や使い方を説明するものです。従いまして、量産設計をされる場合には、外部諸条件を考
慮していただきますようお願いいたします。
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装置が外為法に定める規制貨物に該当するか否かを判断していただく必要があります。
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本資料に掲載されている製品は、一般的な電子機器（AV機器、OA機器、通信機器、家電
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●輸出貿易管理令について
本資料に掲載した製品は、輸出貿易管理令別表1の16項に定める関税定率法別表第85類の貨物の対象とな
りますので、輸出する場合には、大量破壊兵器などの不拡散のためのキャッチオール規制に基づく客観要
件又はインフォーム要件に該当するか否かを判定願います。
Appendix1-Rev1.1

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