以下の A.1-3 と B.1-3

表面物理レポート課題
（提出先：物工教務室，締め切り：2016 年 8 月 5 日）
以下の A.1-3 と B.1-3 に答えよ．
A．
１．
２．
３．
B.
１．バンドギャップ 1 eV，ドナー密度が 1018 cm-3，比誘電率 10 の n 型半導体
表面のバンドベンディングを考える．バルクのフェルミ準位は伝導体から 0.05
eV 下に位置するとする．バンドギャップ中の中央に十分状態密度の高い表面状
態が存在する場合，300K におけるバンドベンディングの高さとベンディングが
生じる表面からの深さを求めよ．
２．表面局在状態であるショックレー状態とタム状態についてそれらの特徴を
A4 用紙 1 ページ程度で説明せよ．
３．表面においてある原子がジャンプ頻度，ジャンプ距離 a で等方的に 2 次元
拡散している．
(1) 拡散係数の表式を導出せよ．
(2) ジャンプ頻度の温度依存性を測定した結果，下表の値が得られた．拡散障壁
と頻度因子を求めよ．
T (K)
100
200
300
500
(s-1)
6.7×10-14
2.6×10-1
4.1×103
9.2×106
(3) a = 0.3 nm のとき，T = 400 K において拡散長が 1 m となる拡散時間を求
めよ．

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