第3世代SiC-ショットキーバリアダイオード : 新商品速報

新商品速報
第3世代SiC-ショットキーバリアダイオード
SCS3xxAシリーズ
ハイエンド電源のPFC回路に最適！
低VF＆高サージ電流耐量SiC-SBD登場
製品概要
TO-263AB
D2pak(LPTL)
■
電源機器内のPFC回路に使用するSi-ファストリカバリダイオード（FRD)をSiC-ショットキーバリアダイオード
（SBD）にすることで、連続モード動作時に高効率化がはかれます。ロームでは従来より業界最小レベルの低VF特性
を有した第2世代SiC-SBDを供給していますが、今回同時に高サージ電流耐量も実現したSCS3xxAシリーズ（第3世
代SiC-SBD）をラインアップ。より電源PFC用途向けに最適な製品となっております。
TO-220ACP
低損失なSiC-SBDで高効率を実現
■
Si-FRDに比べSiC-SBDは逆回復損失が小さく、機器の高効率化に貢献し
ます。
業界最小レベルの低VF特性に加え高サージ電流耐量も実現。電源PFC
用途に最適です。
スイッチング電流波形特性
12
8
6
120
IFSM@10msec(A)
0
Si-FRD
・逆回復時間が遅い
・電流損失大
-4
-6
0
20
40
60
90
100
120
140
160
180
70
ROHM
第2世代
(SCS210A)
50
200
時間(nsec)
Low VF & High
Hig
gh IFSM
IF
IF
FSM
80
60
80
40
アプリケーション
0
ROHM
R
H
Low VF
30
■
※ 650V
10A
競合品
ROHM
第3世代
(SCS310A)
100
2
-2
GO特性
OD
110
SiC-SBD
・逆回復時間が早い
・電流損失小
4
SiC-SBC順電圧・サージ電流耐量
130
=400V
VVRR=400V
=10A
IIFF=10A
Ta=25℃
Ta=25
Ta=25℃
10
電流（A）
高サージ耐量で電源PFC用途に最適！
1.2
1.3
1.4
1.5
VF@10A(V)
1.6
※測定値
パソコン、サーバー、エアコンなどのハイエンド電源機器内のPFC回路
【PFC回路】
VIN
650V
SiC-SBD
VOUT
■
ラインアップ（VRM= 650V）
順方向電流(IF)
パッケージ
2A
4A
6A
8A
10A
SCS306AP
SCS308AP
SCS310AP
☆SCS306AJ
☆SCS308AJ
☆SCS310AJ
Si MOSFET
650V
☆SCS302AP ☆SCS304AP
TO-220ACP
☆SCS302AJ
☆SCS304AJ
TO-263AB
D2pak(LTPL)
☆ : 開発中
2016
04
25
.59F6971J 2016.04

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